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　　主要功能

　　具有熱ALD沉積氧化物,、氮化物,、貴金屬等薄膜材料的功能；具備未來等離子體增強ALD,、Loadlock單元擴展功能,。

　　應(yīng)用

　　原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度、成份和結(jié)構(gòu)）

　　原子層沉積（Atomic Layer Deposition,，ALD）,，最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE）,，也稱為原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,，ALCVD）。原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種,，化學(xué)吸附的過程直至表面飽和時就自動終止,，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。

　　目前可以沉積的材料包括：氧化物,，氮化物,，氟化物，金屬,，碳化物,，復(fù)合結(jié)構(gòu)，硫化物,，納米薄層等,。中空納米管，隧道勢壘層,，光電電池性能的提高,，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形,，微機電系統(tǒng)（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層,，納米晶體，ZnSe涂層,，納米結(jié)構(gòu),，中空納米碗，存儲硅量子點涂層,，納米顆粒的涂層,，納米孔內(nèi)部的涂層,，納米線的涂層。

　　上述領(lǐng)域并不代表原子層沉積技術(shù)的所有可能應(yīng)用領(lǐng)域,，隨著科技的發(fā)展在不遠的將來將會發(fā)現(xiàn)其越來越多的應(yīng)用。根據(jù)該技術(shù)的反應(yīng)原理特征,，各類不同的材料都可以沉積出來。已經(jīng)沉積的材料包括金屬,、氧化物、碳（氮,、硫、硅）化物,、各類半導(dǎo)體材料和超導(dǎo)材料等?，F(xiàn)在原子層沉積系統(tǒng)有國際品牌和自主品牌兩類,。在國外品牌以劍橋（cambridge）最為悠久,，全球銷售量幾百臺,。其次以芬蘭的BENEQ和picosun,，在g端ALD領(lǐng)域投入大量研發(fā)工作。近幾年,，在國內(nèi)已經(jīng)有幾家設(shè)備公司先后完成研發(fā)，在市場上推出自己的機型,。