粉末原子層沉積是一種薄膜制備技術。與傳統(tǒng)的原子層沉積（ALD）相比,，利用粉末作為反應物源,，實現(xiàn)了更高的生長速率和更大尺寸的薄膜覆蓋面積。在過去的幾年里,，已經(jīng)成為材料科學和工程領域的研究熱點,，并在微電子,、能源存儲,、光電子等領域展示出巨大的潛力。
粉末原子層沉積通過交替地引入氣體與粉末進行表面反應,，將它的概念擴展到固體顆粒上,。先在基材表面形成一個導電或非導電的種子層，然后將粉末在該種子層上均勻地分布,。接下來,，通過向反應室中引入適當?shù)臍怏w，與粉末表面發(fā)生化學反應,，使其在每個原子層上生長一層薄膜,。這個過程可以重復多次，直到達到所需的薄膜厚度,。
具有許多優(yōu)點,。
1、它具有較高的生長速率,，通常比傳統(tǒng)ALD快一個數(shù)量級,。這是因為粉末作為反應物源可以提供更多的原子或分子,，從而加快了薄膜的沉積速度。
此外,，還具有較大的薄膜覆蓋面積,，因為粉末可以均勻地分布在基材表面上，使得整個表面都能夠進行原子層沉積,。
2,、另一個重要的優(yōu)勢是對于復雜形狀的基材具有較好的適應性。由于粉末可以填充到不規(guī)則表面的細微縫隙中,，可以在曲率半徑很小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)原子層沉積,，從而保持了薄膜的均勻性和一致性。這使得它在納米器件,、MEMS（微機電系統(tǒng)）和生物醫(yī)學等領域中具有廣泛的應用前景,。
粉末原子層沉積是一種具有高生長速率、大薄膜覆蓋面積和良好適應性的薄膜制備技術,。
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