粉末原子層沉積是一種薄膜制備技術(shù),。與傳統(tǒng)的原子層沉積（ALD）相比,，利用粉末作為反應(yīng)物源，實(shí)現(xiàn)了更高的生長速率和更大尺寸的薄膜覆蓋面積,。在過去的幾年里,，已經(jīng)成為材料科學(xué)和工程領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，并在微電子,、能源存儲(chǔ)、光電子等領(lǐng)域展示出巨大的潛力,。
粉末原子層沉積通過交替地引入氣體與粉末進(jìn)行表面反應(yīng),，將它的概念擴(kuò)展到固體顆粒上,。先在基材表面形成一個(gè)導(dǎo)電或非導(dǎo)電的種子層,，然后將粉末在該種子層上均勻地分布。接下來,，通過向反應(yīng)室中引入適當(dāng)?shù)臍怏w,，與粉末表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使其在每個(gè)原子層上生長一層薄膜,。這個(gè)過程可以重復(fù)多次,，直到達(dá)到所需的薄膜厚度。
具有許多優(yōu)點(diǎn),。
1,、它具有較高的生長速率，通常比傳統(tǒng)ALD快一個(gè)數(shù)量級(jí)。這是因?yàn)榉勰┳鳛榉磻?yīng)物源可以提供更多的原子或分子,，從而加快了薄膜的沉積速度,。
此外，還具有較大的薄膜覆蓋面積,，因?yàn)榉勰┛梢跃鶆虻胤植荚诨谋砻嫔?，使得整個(gè)表面都能夠進(jìn)行原子層沉積。
2,、另一個(gè)重要的優(yōu)勢(shì)是對(duì)于復(fù)雜形狀的基材具有較好的適應(yīng)性,。由于粉末可以填充到不規(guī)則表面的細(xì)微縫隙中，可以在曲率半徑很小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)原子層沉積,，從而保持了薄膜的均勻性和一致性,。這使得它在納米器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景,。
粉末原子層沉積是一種具有高生長速率,、大薄膜覆蓋面積和良好適應(yīng)性的薄膜制備技術(shù)。
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