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世聯(lián)博研(北京)科技有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第4年

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3D Stretchable Microelectrode Array

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)bmseed

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2022-04-21 14:39:42瀏覽次數(shù):399次

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產(chǎn)地類(lèi)別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),綜合
力學(xué)模塊 應(yīng)變速率高達(dá)80/s,,應(yīng)變度高達(dá)80% 成像模塊 幀率:2,000fps
電生理模塊 2x60通道
3D Stretchable Microelectrode Array
腦類(lèi)器官3D記錄系統(tǒng),,3d可牽張微電極陣列系統(tǒng),3D MEA,,3D Microelectrode Arrays ,,3D 貼合微電極陣列

3D Stretchable  Microelectrode Array

3D Stretchable  Microelectrode Array







美國(guó) 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)



機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

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美國(guó)bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類(lèi)器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型


3D 貼合微電極陣列,用于記錄生理上完整的腦類(lèi)器官的電信號(hào),。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能,,以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程。


牽張,、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析,、高分辨率成像三位一體系統(tǒng)

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該細(xì)胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統(tǒng)是研究人員以機(jī)械方式拉伸細(xì)胞/組織,對(duì)其進(jìn)行光學(xué)成像以及單獨(dú)/同時(shí)記錄/刺激電生理活動(dòng)的完整解決方案,。

技術(shù)特點(diǎn)概述:

電極的特性:

柔性,,可拉伸,,軟(Flexible, Stretchable and Soft)

記錄和刺激電生理活動(dòng)(Recording and Stimulation of Electrophysiological Activity)

機(jī)械力方面強(qiáng)大:拉伸,,彎曲,扭曲(Mechanically robust: stretch, bend, twist)

阻抗定量測(cè)量分析

細(xì)胞電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集,、及分析

允許在整個(gè)拉伸過(guò)程中對(duì)細(xì)胞進(jìn)行光學(xué)成像,,以驗(yàn)證組織應(yīng)變并檢測(cè)組織中的形態(tài)變化。

2×60通道

★雙軸,,單軸
★自定義應(yīng)變場(chǎng)
★一種快速?zèng)_動(dòng)拉伸或周期性拉伸
★高達(dá)50%的應(yīng)變
★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復(fù)性

-細(xì)胞牽張刺激前后或刺激期間,,多電極刺激、阻抗定量測(cè)量以及記錄電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集記錄

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MEASSURE 在創(chuàng)傷性腦損傷 (TBI) 藥物發(fā)現(xiàn)方面的優(yōu)勢(shì)

  • 基于電生理組織對(duì)拉伸(損傷)的反應(yīng)篩選導(dǎo)聯(lián)

  • 無(wú)需知道目標(biāo)

  • 尋找新的生物學(xué)機(jī)制

  • 在臨床前開(kāi)發(fā)早期消除候選藥物

  • 避免拒絕潛在的候選藥物

  • 通過(guò)減少體內(nèi)測(cè)試的數(shù)量來(lái)節(jié)省時(shí)間,、金錢(qián)和研究動(dòng)物

BMSEED_MEASSURE-X.jpg

     制造了可彈性拉伸的微電極陣列 (SMEA),,并通過(guò)記錄神經(jīng)組織的場(chǎng)電位來(lái)測(cè)試它們的功能。SMEA 包括 11 個(gè)微電極,,每個(gè)微電極的記錄面積為和參考電極,。通過(guò)在彈性基底聚 (二甲基硅氧烷) 上沉積和圖案化薄膜金導(dǎo)體來(lái)制造微電極??晒鈭D案化的硅樹(shù)脂用于封裝微電極和圖案化通孔以進(jìn)行電接觸,。用鉑黑電鍍微電極的記錄位點(diǎn)以降低電極/電解質(zhì)界面的阻抗,。從放置在雙軸拉伸至 13.3% 的陣列上的海馬切片記錄自發(fā)和刺激誘發(fā)的活動(dòng)。拉伸前后微電極性能沒(méi)有明顯差異,,表明微電極可以可逆地拉伸,。

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