機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國(guó)bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類(lèi)器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列,，用于記錄生理上完整的腦類(lèi)器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能,，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程,。
大腦類(lèi)器官使用人體細(xì)胞來(lái)復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比,，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型,。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類(lèi)器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺,。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的,，因此它們只能記錄球形類(lèi)器官表面積的一小部分，而B(niǎo)M的 3D 微電極陣列大限度地與類(lèi)器官表面接觸,，以收集比以前更多的神經(jīng)信號(hào),。

3D 微電極陣列為球形類(lèi)器官創(chuàng)建一個(gè)更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能,。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動(dòng)創(chuàng)傷性腦損傷,、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病,、自閉癥等方面的研究,。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析,、高分辨率成像三位一體系統(tǒng)

該細(xì)胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統(tǒng)使研究人員能夠可重復(fù)且可靠地研究生理和病理機(jī)械拉伸對(duì)生物組織電生理的影響,。該系統(tǒng)集成：（1）細(xì)胞拉伸設(shè)備；（2）電生理數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),；（3）活細(xì)胞成像系統(tǒng)三種功能,。系統(tǒng)小巧，可放入培養(yǎng)箱內(nèi)長(zhǎng)期培養(yǎng),，每個(gè)模塊都可以作為獨(dú)立工具使用,。

該細(xì)胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統(tǒng)是研究人員以機(jī)械方式拉伸細(xì)胞/組織,，對(duì)其進(jìn)行光學(xué)成像以及單獨(dú)/同時(shí)記錄/刺激電生理活動(dòng)的完整解決方案。

技術(shù)特點(diǎn)概述：

電極的特性：

柔性,，可拉伸,，軟（Flexible, Stretchable and Soft）

記錄和刺激電生理活動(dòng)（Recording and Stimulation of Electrophysiological Activity）

機(jī)械力方面強(qiáng)大：拉伸，彎曲,，扭曲（Mechanically robust: stretch, bend, twist）

阻抗定量測(cè)量分析

細(xì)胞電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集,、及分析

允許在整個(gè)拉伸過(guò)程中對(duì)細(xì)胞進(jìn)行光學(xué)成像，以驗(yàn)證組織應(yīng)變并檢測(cè)組織中的形態(tài)變化,。

2×60通道

★雙軸,，單軸
★自定義應(yīng)變場(chǎng)
★一種快速?zèng)_動(dòng)拉伸或周期性拉伸
★高達(dá)50％的應(yīng)變
★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復(fù)性

-細(xì)胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激,、阻抗定量測(cè)量以及記錄電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集記錄