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參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)bmseed
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地北京市
更新時(shí)間:2022-04-20 10:57:48瀏覽次數(shù):186次
聯(lián)系我時(shí),,請(qǐng)告知來自 化工儀器網(wǎng)3D Stretchable Microelectrode Array
3D-formfitting microelectrode array
產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),綜合 |
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力學(xué)模塊 | 應(yīng)變速率高達(dá)80/s,應(yīng)變度高達(dá)80% | 成像模塊 | 幀率:2,000fps |
電生理模塊 | 2x60通道 |
可拉伸多電極陣列 |
可拉伸多電極陣列
美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)機(jī)械力刺激 電刺激記錄 高分辨率成像三合一 美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型 3D 貼合微電極陣列,,用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能,,以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程,。 大腦類器官使用人體細(xì)胞來復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比,,它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型,。 然而,它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺,。
該細(xì)胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統(tǒng)使研究人員能夠可重復(fù)且可靠地研究生理和病理機(jī)械拉伸對(duì)生物組織電生理的影響。該系統(tǒng)集成:(1)細(xì)胞拉伸設(shè)備,;(2)電生理數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),;(3)活細(xì)胞成像系統(tǒng)三種功能。系統(tǒng)小巧,,可放入培養(yǎng)箱內(nèi)長期培養(yǎng),,每個(gè)模塊都可以作為獨(dú)立工具使用。 技術(shù)特點(diǎn)概述: 2×60通道 ★雙軸,,單軸 -細(xì)胞牽張刺激前后或刺激期間,,多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集記錄 |
該細(xì)胞組織微電極陣列拉伸刺激與成像記錄系統(tǒng)使研究人員能夠可重復(fù)且可靠地研究生理和病理機(jī)械拉伸對(duì)生物組織電生理的影響,。該系統(tǒng)集成:(1)細(xì)胞拉伸設(shè)備;(2)電生理數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),;(3)活細(xì)胞成像系統(tǒng)三種功能,。每個(gè)模塊都可以作為立工具使用
該細(xì)胞組織微電極陣列拉伸刺激與成像記錄系統(tǒng)是研究人員以機(jī)械方式拉伸細(xì)胞/組織,對(duì)其進(jìn)行光學(xué)成像以及單/同時(shí)記錄/刺激電生理活動(dòng)的完整解決方案,。
細(xì)胞,、組織拉伸功能:
★雙軸,單軸
★自定義應(yīng)變場
★一種快速?zèng)_動(dòng)拉伸或周期性拉伸
★高達(dá)50%的應(yīng)變
★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復(fù)性
成像功能:
★拉伸之前,,期間和之后
★ 2MP分辨率下每秒高達(dá)2,000幀
★定制,,易于使用的軟件可立測量組織應(yīng)變
電極刺激與記錄功能:
★電極同時(shí)細(xì)胞/組織伸展
★伸展前,伸展中和伸展后記錄/刺激
★拉伸前后電生理活動(dòng)的比較(標(biāo)準(zhǔn)化)
★彈性硅樹脂基材上的軟MEA
★可以在硬質(zhì)基材上使用標(biāo)準(zhǔn)MEA
應(yīng)用文獻(xiàn)(Publications):
O. Graudejus, B. Morrison, C. Goletiani, Z. Yu, S. Wagner, Encapsulating elastically stretchable neural interfaces: yield, resolution, and recording/stimulation of neural activity, Advanced Functional Materials, 2012, 22, 640-651
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