美國(guó) 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國(guó)bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類(lèi)器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列,，用于記錄生理上完整的腦類(lèi)器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能,，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程,。
大腦類(lèi)器官使用人體細(xì)胞來(lái)復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比,，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型,。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類(lèi)器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺,。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的,，因此它們只能記錄球形類(lèi)器官表面積的一小部分，而B(niǎo)M的 3D 微電極陣列大限度地與類(lèi)器官表面接觸,，以收集比以前更多的神經(jīng)信號(hào),。

3D 微電極陣列為球形類(lèi)器官創(chuàng)建一個(gè)更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能,。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動(dòng)創(chuàng)傷性腦損傷,、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病,、自閉癥等方面的研究,。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析,、高分辨率成像三位一體完整尺寸