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目錄:沈陽科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司>>專業(yè)高溫爐系列>>石墨烯/納米管生長爐>> OTF-1200X-4-C4LV1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV
  • 1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV
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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌
  • 型號 OTF-1200X-4-C4LV
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 沈陽市
屬性

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更新時(shí)間:2016-04-12 10:51:21瀏覽次數(shù):1832評價(jià)

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1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設(shè)計(jì)的,,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究,。

 

產(chǎn)品型號

  1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

主要特點(diǎn)

  1,、采用高純氧化鋁保溫材料,,保證了*的溫度均勻性,。

  2,、內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口氧化鋁涂層,,可以提高反射率和保護(hù)爐膛潔凈度,。

  3采用PID控制器 ,,可以設(shè)置30段升降溫程序,。

  4金屬箔纏繞在內(nèi)管的外表面上發(fā)CVD反應(yīng),。

  5,、采用雙管真空密封法蘭,允許反應(yīng)氣體通過兩管之間(10mm間隙),。

  6,、冷卻氣體直接通入內(nèi)管。

  7,、配有KF25快接和波紋管的高速機(jī)械泵,。

  8,、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端,,從而實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫,。為了獲得較快的加熱速度,可以 

        先將爐體預(yù)熱,,然后滑至放置樣品處,;為了獲得較快的冷卻速度,可將爐體滑至另一端,,同時(shí)將冷氣通入 

        樣品所在處,。

  9封法蘭系統(tǒng)采用不銹鋼制作,。

  10,、通過CE認(rèn)證。

技術(shù)參數(shù)

  管式爐

  1,、電源:單相AC 208-240V   50/60Hz  2.5KW 20A保險(xiǎn)絲)

  2,、石英管:外管外徑Φ100mm內(nèi)徑Φ96mm,,長1400mm

                        內(nèi)管外徑Φ80mm內(nèi)徑Φ75mm,,長1400mm

  3,、加熱元件:摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯)

  4、加熱區(qū)域:440mm

   5,、恒溫區(qū)域:120mm(±1℃在400-1100℃)

  6,、工作溫度:zui高1100連續(xù)工作1000

  7,、zui大升降溫速率:20/min

  8,、控溫精度:±1

  9、真空度:10-2torr(機(jī)械泵),,10-5torr(分子泵)

  質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)

  1,、質(zhì)子流量計(jì):4路精密質(zhì)子流量計(jì),數(shù)字顯示,,氣體流量自動(dòng)控制

                                MFC1范圍0-100sccm,,MFC2范圍0-200sccmMFC3范圍0-200sccm,,MFC1范圍0-500sccm

  2,、流量精度:0.2%

  3、氣路:4路(每個(gè)氣路都有一個(gè)獨(dú)立的不銹鋼針閥控制)

  4,、進(jìn)出氣口:1/4卡套

  5,、混氣罐:1個(gè)

產(chǎn)品規(guī)格

  尺寸:管式爐550mm×380mm×520mm,,移動(dòng)架600mm×600mm×597mm

  重量:135kg

可選配件

  1、分子泵

  2,、雙溫區(qū)管式爐

  3,、銅箔(生長石墨烯150mm×150mm×25µm

 

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