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Bi晶體,，拓撲絕緣體性質(zhì)分類：拓撲絕緣體合成方法：CVT用途：僅用于科研，不能用于人體

AgTaS3晶體，拓撲絕緣體性質(zhì)分類：拓撲絕緣體合成方法：CVT晶體結(jié)構(gòu)：monoclinic剝離難易程度：易用途：僅用于科研,，不能用于人體

Ag3Sb晶體,，CVT，單斜晶系A(chǔ)g3Sb晶體是拓撲絕緣體,。晶體按其結(jié)構(gòu)粒子和作用力的不同可分為四類：離子晶體,、原子晶體,、分子晶體和金屬晶體。

天然單晶石墨,，Nature Graphite Crystal天然石墨是一種金屬,。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，并且可以剝離成薄的 2D 層,。天然晶體的典型...

碳化硅納米晶須,，SiC Nanocrystals碳化硅納米晶須可應(yīng)用于電子,、信息、精密加工技術(shù),、軍工,，航天航空、高溫耐火材料,、特種陶瓷材料,、高級磨削材料和增強增...

晶須碳納米管,，Whisker carbon nanotubes晶須碳納米管還具有電解液吸附能力，是動力鋰離子電池正負極材料的重要添加劑,。

鈣鈦礦微晶,，Cs2ZrxSnyCl6:Te 鈣鈦礦微晶（Cs2ZrxSnyCl6:Te )又稱 Perovskite microcrystal,，可用于顯示照明L...

碘化鉻單晶,，CrI3 Single crystalCrI3極易與空氣、水等媒介發(fā)生反應(yīng),，為大程度保持其原有特性,，請盡量在使用過程中少接觸空氣與水。建議全程惰性氣...

錳磷硫單晶，MnPS3 Single crystalMnPS3在78 K以下表現(xiàn)為反鐵磁性，插層化合物表現(xiàn)為弱鐵磁性,，這可能是由于其具有傾斜的自旋結(jié)構(gòu),。

錳磷硒單晶,，MnPSe3 Single crystal錳磷硒單晶（MnPSe3 Single crystal），是磁性半導體,，可用于電子器件實驗,，物理性能研究等...

鉻磷硫單晶,，CrPS4 Single crystal具有整齊規(guī)則的幾何外形、固定熔點和各向異性的固態(tài)物質(zhì),，是物質(zhì)存在的一種基本形式,。固態(tài)物質(zhì)是否為晶體，一般可由...

鎳磷硫單晶，NiPS3 Single crystal層狀過渡金屬三鹵化物NiPS3是一種范德華反鐵磁體,，其存在強烈的電荷-自旋耦合,。NiPS3在磁有序溫度下顯示...

鈷磷硫單晶,，CoPS3 Single crystal鈷磷硫單晶（CoPS3 Single crystal）是磁性半導體，可用于電子器件實驗,，物理性能研究等,。

鐵磷硫單晶,，F(xiàn)ePS3 Single crystalFePS3 (鐵磷硫)是具有單斜晶體結(jié)構(gòu)磁性半導體,，材料的光禁帶為1-1.5eV,。有研究采用FePS3作為全...

PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶,，cas1317-61-9PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶可用于生物分子偶聯(lián)、固定,、納米探針構(gòu)建等,。

錳鋅鐵氧體納米晶,，cas1317-61-9磁性錳鋅鐵氧體納米結(jié)構(gòu)具有均一的尺寸,、規(guī)則的形貌、高的磁性和交流磁熱效應(yīng),、良好的生物相容性,、高的靶向性和體內(nèi)長循環(huán)能力...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,，GFET-S31GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀,，利用高K金屬柵極 （HKMG）工藝流程提供E...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S20,，GFET S-20GFET S-20 芯片專為液體介質(zhì)中的測量而設(shè)計,。提供 12 個石墨烯器件，封裝在金屬焊盤上以避免退化并減少泄...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S10，GFET-S10GFET-S10芯片提供36個石墨烯器件,，以網(wǎng)格模式分布在芯片上,。30 個器件具有霍爾棒幾何形狀，6個器件具有2探...

二硫化鉬晶體摻雜鈮元素，cas1317-33-5二硫化鉬（MoS2）晶體摻雜鈮（Nb）元素是一種常見的方法,，用于改變MoS2的性質(zhì)和特性,。摻雜是指在材料中引入其...