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CuBi3PbS6晶體,，拓撲絕緣體CuBi3PbS6是一種由銅（Cu）,、鉍（Bi）、鉛（Pb）和硫（S）元素組成的化合物,，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,。這種化合...

Cu3SbS3晶體,，拓撲絕緣體Cu3SbS3是一種由銅（Cu）、銻（Sb）和硫（S）元素組成的化合物,，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,。這種化合物屬于半導體材料的一...

碘化鉻晶體,，CrI3碘化鉻（Chromium iodide）是由鉻（Chromium,，Cr）和碘（Iodine，I）元素形成的化合物,。它有幾種不同的物種,，如Cr...

CrBi4Te7晶體，拓撲材料CrBi4Te7是由鉻（Cr）,、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物,，屬于多鐵材料的一種。

CrBi2Te4晶體，拓撲材料CrBi2Te4是由鉻（Cr）,、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物,，屬于拓撲絕緣體的一種。這種化合物在研究中引起了一定的關注,，...

拓撲絕緣體,，CrTe2晶體CrTe2是由鉻（Cr）和碲（Te）元素組成的化合物,，通常呈現(xiàn)出層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合物屬于過渡金屬碲化物,，具有一定的磁性和電學...

Cr2Si2Te6晶體,， CrSiTe3，磁性拓撲絕緣體Cr2Si2Te6在自旋電子學和磁性存儲方面有著一定的研究價值,。它顯示出可調(diào)控的磁性和自旋特性,，這使得它...

二硫化三鉻晶體，Cr2S3Cr2S3呈現(xiàn)出不同的晶體結(jié)構(gòu),，如六方晶系或三方晶系,。它是一種過渡金屬硫化物,，具有一定的磁性和光學性質(zhì)。Cr2S3具有磁性,，在研究磁學...

Cr2Ge2Te6晶體,， CrGeTe3，磁性拓撲絕緣體Cr2Ge2Te6在自旋電子學領域有一定的應用潛力,，因為它顯示出可調(diào)控的磁性和自旋特性,。它還可能用于存儲...

銀銦磷硒晶體，AgInP2Se6AgInP2Se6是一種二維層狀結(jié)構(gòu)材料,，具有優(yōu)異的非線性光學性能,，這使得它在光電子學中具有潛在的應用價值，尤其是在光學調(diào)制器,、...

碲化銀晶體 Ag2Te碲化銀化學式Ag2Te。分子量 343.34,?；疑⒎较稻w或粉末。熔點955℃,，相對密度8.5,。制法：在高溫下（以使過剩的碲揮發(fā)）和氫氣...

CoBi4Se7晶體,，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研,，不能用于人體

CoBi4Te7晶體,，磁性拓撲絕緣體合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研，不能用于人體

CoBi2Te4晶體，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途：僅用于科研,，不能用于人體

Co2Bi2Te5晶體,，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研,，不能用于人體

CdPS3晶體,，拓撲材料晶體大?。?～10 mm純度：99%表征方法：EDS,，SEM，Raman禁帶寬度：1.7eV用途：僅用于科研,，不能用于人體

BiSe晶體,，拓撲絕緣體合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途：僅用于科研,，不能用于人體

Bi4Pb7Se13晶體,，拓撲絕緣體禁帶寬度：0.94eV合成方法：CVT晶體結(jié)構(gòu)：monoclinic剝離難易程度：中用途：僅用于科研，不能用于人體

碲化鉍晶體，Bi2Te3Crystal碲化鉍是一種窄帶隙半導體材料,，由鉍和碲元素組成,。這種材料使其在紅外波段具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率,，因此在紅外探測和傳感領域有很...

硒化鉍晶體,，Bi2Se3硒化鉍是一種化合物,，由鉍和硒元素組成。它是一種半導體材料，具有特殊的電學和光學性質(zhì),。硒化鉍晶體應用于光電子學和紅外探測器等方面的領域,，被...