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集成電路的制造過程主要以晶圓為基本材料,，經(jīng)過表面氧化膜的形成和感光劑的涂布后，結(jié)合光罩進(jìn)行曝光,、顯像,，使晶圓上形成各類型的電路，再經(jīng)蝕刻,、光阻液的去除及不純物的添加后,，進(jìn)行金屬蒸發(fā)，使各元件的線路及電極得以形成,，后進(jìn)行晶圓探針檢測;然后切割成芯片,，再經(jīng)粘著,、連線及包裝等組配工程而成電子產(chǎn)品。各主要制程單元概述如下：

 氧化與模附著

原料晶圓在投入制程前,，本身表面涂有2μm厚的AI2O3,，與甘油混合溶液保護(hù)之，晶圓的表面及角落的污損區(qū)域則藉化學(xué)蝕刻去除,。

為制成不同的元件及集成電路,，在芯片長上不同的薄層，這些薄層可分為四類:熱氧化物,，介質(zhì)層,，硅晶聚合物及金屬層。熱氧化物中重要的薄層有閘極氧化層(gate oxide;與場氧化層(field oxide),，此二層均由熱氧化程序制造,。