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目錄:上海波銘科學(xué)儀器有限公司>>光譜系統(tǒng)>>顯微缺陷膜厚>> 橢偏儀 FE-5000/5000S

橢偏儀 FE-5000/5000S
  • 橢偏儀 FE-5000/5000S
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 OTSUKA/日本大塚
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時(shí)間:2025-01-23 11:52:42瀏覽次數(shù):361評(píng)價(jià)

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更多產(chǎn)品
●可在紫外和可見(250至800nm)波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù)

●可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度

●可以通過超過400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜

●通過可變反射角測(cè)量,,可詳細(xì)分析薄膜

●通過創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊(cè)功能,增強(qiáng)操作便利性

●通過層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測(cè)量可控制膜厚度/膜質(zhì)量

產(chǎn)品信息

測(cè)量項(xiàng)目

測(cè)量橢圓參數(shù)(TANψ,,COSΔ)

光學(xué)常數(shù)(n:折射率,,k:消光系數(shù))分析

薄膜厚度分析

 

用途

半導(dǎo)體晶圓
柵氧化膜,氮化膜
SiO2,,SixOy,,SiN,,SiON,SiNx,,Al2O3,,SiNxOy,poly-Si,,ZnSe,,BPSG,TiN
光學(xué)常數(shù)(波長(zhǎng)色散)

復(fù)合半導(dǎo)體
AlxGa(1-x)多層膜,、非晶硅

FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO,、MgO等

各種新材料
DLC(類金剛石碳)、超導(dǎo)薄膜,、磁頭薄膜

光學(xué)薄膜
TiO2,,SiO2多層膜、防反射膜,、反射膜

光刻領(lǐng)域
g線(436nm),、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長(zhǎng)的n,、k評(píng)估

 

原理

包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,,對(duì)于反射光的橢圓偏振光進(jìn)行測(cè)量。s波和p波的位相和振幅獨(dú)立變化,,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),,即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
橢偏儀 FE-5000/5000S

產(chǎn)品規(guī)格

型號(hào)FE-5000SFE-5000
測(cè)量樣品反射測(cè)量樣品
樣品尺寸100×100毫米200×200毫米
測(cè)量方法旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1
測(cè)量膜厚范圍(ND)0.1納米-
入射(反射)的角度范圍45至90°45至90°
入射(反射)的角度驅(qū)動(dòng)方式自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)方法
入射點(diǎn)直徑*2關(guān)于φ2.0關(guān)于φ1.2sup*3
tanψ測(cè)量精度±0.01以下
cosΔ測(cè)量精度±0.01以下
薄膜厚度的可重復(fù)性0.01%以下*4
測(cè)定波長(zhǎng)范圍*5300至800納米250至800納米
光譜檢測(cè)器多色儀(PDA,,CCD)
測(cè)量用光源高穩(wěn)定性氙燈*6
平臺(tái)驅(qū)動(dòng)方式手動(dòng)手動(dòng)/自動(dòng)
裝載機(jī)兼容不可
尺寸,,重量650(W)×400(D)×560(H)mm
約50公斤
1300(W)×900(D)×1750(H)mm
約350公斤*7
軟件
分析最小二乘薄膜分析(折射率模型函數(shù),Cauchy色散方程模型方程,,nk-Cauchy色散模型分析等)
理論方程分析(體表面nk分析,,角度依賴同時(shí)分析)

*1可以驅(qū)動(dòng)偏振器,可以分離不感帶有效的位相板,。
*2取決于短軸?角度,。
*3對(duì)應(yīng)微小點(diǎn)(可選)
*4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜(100nm)時(shí)的值。
*5可以在此波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行選擇,。
*6光源因測(cè)量波長(zhǎng)而異,。
*7選擇自動(dòng)平臺(tái)時(shí)的值。

測(cè)量示例

以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]

作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO(氧化銦錫),,在成膜后的退火處理(熱處理)可改善其導(dǎo)電性和色調(diào),。此時(shí),氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化,,但是這種變化相對(duì)于膜的厚度是逐漸變化的,,不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜,。
以下介紹對(duì)于這種類型的ITO,通過使用梯度模型,,從上界面和下界面的nk測(cè)量斜率,。

橢偏儀 FE-5000/5000S

橢偏儀 FE-5000/5000S

考慮到表面粗糙度測(cè)量膜厚度值[FE-0008]

當(dāng)樣品表面存在粗糙度(Roughness)時(shí),將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層",,可以分析粗糙度和膜厚度,。以下介紹了測(cè)量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。

 

 

使用非干涉層模型測(cè)量封裝的有機(jī)EL材料[FE-0011]

有機(jī)EL材料易受氧氣和水分的影響,,并且在正常大氣條件下它們可能會(huì)發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,,在成膜后立即用玻璃密封,。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測(cè)量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型,。

橢偏儀 FE-5000/5000S

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使用多點(diǎn)相同分析測(cè)量未知的超薄nk[FE-0014]

為了通過擬合最小二乘法來分析膜厚度值(d)需要材料nk,。如果nk未知,則d和nk都被分析為可變參數(shù),。然而,,在d為100nm或更小的超薄膜的情況下,d和nk是無法分離的,,因此精度將降低并且將無法求出精確的d,。在這種情況下,測(cè)量不同d的多個(gè)樣本,,假設(shè)nk是相同的,,并進(jìn)行同時(shí)分析(多點(diǎn)相同分析),則可以高精度,、精確地求出nk和d,。

橢偏儀 FE-5000/5000S

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