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絕緣子鹽密度測(cè)試儀HDYM-III

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  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
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更新時(shí)間:2022-11-17 16:27:45瀏覽次數(shù):275

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產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,農(nóng)林牧漁,石油,電子/電池
絕緣子鹽密度測(cè)試儀HDYM-III進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度,。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自

詳細(xì)介紹

,、功能特點(diǎn)

    (1)具有量程自動(dòng)切換功能,測(cè)量速度快(3s/次),。

    (2)測(cè)量范圍大,,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。

    (3)中英文界面可自主切換,。

    (4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕,。

    (5)可直接顯示并打印鹽密度,、電導(dǎo)率、溫度,、污穢等級(jí)、統(tǒng)一爬電比距,。

    (6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償,,直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD)。

    (7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能,,降低了對(duì)清洗液的要求,。

    (8)自動(dòng)將不帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)。

    (9)可存儲(chǔ)10萬(wàn)組記錄,,并可將記錄導(dǎo)出至U盤或通過打印機(jī)打印,。

    (10)可查閱、刪除,、導(dǎo)出單條記錄,,也可刪除所有記錄。

    (11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),,適合野外現(xiàn)場(chǎng)使用,。

三、產(chǎn)品參數(shù)

    3.1 測(cè)量范圍:

              鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn))

              測(cè)量溫度:0℃~100℃

              測(cè)量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm

    3.2 基本誤差:

             測(cè)量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2

             滿量程精度:±2%

             測(cè)量溫度:分辨率0.1℃,,精度±0.5℃

             測(cè)量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm

    3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃,。

    3.4 環(huán)境濕度:  <90%。

    3.5 體積與重量

            整機(jī)機(jī)箱尺寸:長(zhǎng)356mm*寬260mm*高133m

 

GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠,、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》

    GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義,、信息和一般原則》

    Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》

相關(guān)術(shù)語(yǔ):

    1,、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator

       XP-70,、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),,通常7~9片組成一串用來測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度,。

    2、爬電距離 creepage distance

        在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,,沿絕緣體表面的距離,。

        注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,,則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi),。

    3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)

        絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓(對(duì)于交流系統(tǒng),,為相電壓)之比,,mm/kV,。

    4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)

        人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)NACL總量除以表面積,,mg/cm²,。

    5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)

        絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,,mg/cm²,。絕緣子鹽密度測(cè)試儀HDYM-III

    6、不溶物密度(簡(jiǎn)稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)

        絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,,mg/cm²,。

    7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity(SES)絕緣子鹽密度測(cè)試儀HDYM-III

        根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度,。用該鹽度試驗(yàn),,在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同,。

    8,、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity(SPS)

        在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。

    9,、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class

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