產地類別 | 國產 | 價格區(qū)間 | 面議 |
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應用領域 | 環(huán)保,電子,綜合 |
產品簡介
詳細介紹
一,、概述
ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀,,凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入,其采用行業(yè)的創(chuàng)新技術,,具備 1 全穆勒矩陣測量技術,, 2 雙旋轉補償器同步控制技術,3 超級消色差補償器設計技術,,4 納米光柵表征測量技術 等技術,。可應用于各種各向同性/異性薄膜材料膜厚,、光學納米光柵常數(shù)以及一維/二維納米光柵材料結構的表征分析,,代表當今橢偏行業(yè)技術水平。
1. 雙旋轉補償器(DRC)配置一次測量全部穆勒矩陣16個元素,;
2. 配置自動變角器,、五維樣件控制平臺等優(yōu)質硬件模塊;
3. 軟件交互式界面配合輔助向導式設計,,易上手,、操作便捷;
4. 豐富的數(shù)據(jù)庫和幾何結構模型庫,,保證強大數(shù)據(jù)分析能力
二,、穆勒矩陣型橢偏儀產品特點
1. 采用氘燈和鹵素燈復合光源,光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm),;
2. 可實現(xiàn)穆勒矩陣數(shù)據(jù)處理,,測量信息量更大,測量速度快,、數(shù)據(jù)更加準確,;
3. 基于雙旋轉補償器配置,可一次測量獲得全穆勒矩陣的16個元素,,相對傳統(tǒng)光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面測量信息,;
4. 頤光技術確保在寬光譜范圍內,提供優(yōu)質穩(wěn)定的各波段光譜,;
5. 數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫,、多種算法模型庫,涵蓋了目前絕大部分的光電材料,;
6. 集成對納米光柵的分析,可同時測量分析納米結構周期、線寬,、線高,、側壁角、粗糙度等幾何形貌信息,;
三,、產品應用
1. 半導體薄膜結構:介電薄膜、金屬薄膜,、高分子,、光刻膠、硅,、PZT膜,,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等,;
2. 半導體周期性納米結構:納米光柵,,套刻誤差,T型相變存儲器等,;
3. 新材料,,新物理現(xiàn)象研究:材料光學各向異性,電光效應,、彈光效應,、聲光效應、磁光效應,、旋光效應,、Kerr效應、Farady效應等,;
4. 平板顯示:TFT,、OLED、等離子顯示板,、柔性顯示板等,;
5. 光伏太陽能:光伏材料(如Si3N4、Sb2Se3,、Sb2S3,、CdS等)反射率,消光系數(shù)測量,,膜層厚度及表面粗糙度測量等,;
6. 功能性涂料:增透型、自清潔型,、電致變色型,、鏡面性光學涂層,,以及高分子、油類,、Al2O3表面鍍層和處理等,;
7. 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜,、SAM膜,、蛋白子分子層、薄膜吸附,、表面改性處理等,;
8. 塊狀材料分析:固體(金屬、半導體,、介質等)或液體(純凈物或混合物)的折射率n和消光系數(shù)k表征,,玻璃新品研發(fā)和質量控制等。