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6日本進(jìn)口大面積LED太陽(yáng)光模擬器，有效光
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高功率激光材料測(cè)試儀用于高功率激光器和極
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光熱弱吸收測(cè)量?jī)x,、弱吸收測(cè)量?jī)x,，強(qiáng)激光材
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波前曲率傳感器/壓電驅(qū)動(dòng)微動(dòng)平臺(tái)，裝配C
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Hartmann波前傳感器（相干和非相干
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Hartmann-Shack波前傳感器/
技術(shù)文章
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主要內(nèi)容試錯(cuò)法對(duì)于找到限制鈣鈦礦太陽(yáng)能電池效率的因素具有實(shí)用性,，但這種方法較為復(fù)雜,。除此之外還有另一種選擇，即機(jī)器學(xué)習(xí)與漂移擴(kuò)散模擬相結(jié)合,。在這篇文章中,，研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種機(jī)器學(xué)習(xí)模型，提出機(jī)器學(xué)習(xí)(...2024/7/12查看全文
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電卡效應(yīng)測(cè)試儀是一款直接法測(cè)試材料電卡效應(yīng)的設(shè)備,。在介電材料中,，因外電場(chǎng)的作用而導(dǎo)致偶極子極化狀態(tài)發(fā)生改變，進(jìn)而產(chǎn)生自身溫度的變化,。由于電卡效應(yīng)直接與極化強(qiáng)度的變化相關(guān),，因而強(qiáng)極性的鐵電材料能產(chǎn)生較大...2024/7/9查看全文
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高溫介電測(cè)試系統(tǒng)是一種能夠在高溫條件下對(duì)材料的介電性能進(jìn)行測(cè)試與分析的儀器。它結(jié)合了高溫恒溫器與介電橋等關(guān)鍵技術(shù),，通過(guò)測(cè)試電容與電感在不同溫度下的變化,，來(lái)確定高溫下介電性質(zhì)的變化規(guī)律。該設(shè)備是科研實(shí)驗(yàn)...2024/6/18查看全文
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電卡效應(yīng)測(cè)試原理主要涉及在極性電介質(zhì)材料中,，由于外電場(chǎng)改變引起的極化狀態(tài)改變而產(chǎn)生的絕熱溫變和等溫熵變,。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)對(duì)極性材料施加電場(chǎng)時(shí),，材料中的電偶極子從無(wú)序狀態(tài)變?yōu)橛行驙顟B(tài),，這導(dǎo)致材料的熵減小。在...2024/5/23查看全文
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壓電系數(shù)測(cè)試儀是為測(cè)量壓電材料的d33常數(shù)而設(shè)計(jì)的儀器,，壓電效應(yīng)是指某些晶體或陶瓷在受到外力作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電荷的現(xiàn)象,。而d33壓電系數(shù)就是用來(lái)描述材料受到力作用時(shí),，產(chǎn)生電荷的程度的指標(biāo)。壓電系數(shù)測(cè)試儀...2024/5/14查看全文
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在硅片等基板上附膜時(shí),，由于基板和薄膜的物理定數(shù)有異,，產(chǎn)生應(yīng)力，進(jìn)而引起基板變形,。由涂抹均勻的薄膜引起的變形的表現(xiàn)為基板的翹曲,，而薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)可從這個(gè)翹曲(曲率半徑)的變化量測(cè)量其應(yīng)力。薄膜應(yīng)力測(cè)量...2024/4/25查看全文
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GPT-LBL策略通過(guò)受體的聚合調(diào)整來(lái)增強(qiáng)p-i-n結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了PCE為19.41%(認(rèn)證為19.0%)的高效GPT-LBL器件GPT-LBL策略增強(qiáng)了OSCs的運(yùn)行穩(wěn)定性主要內(nèi)容由于供體-受體結(jié)構(gòu)域的...2024/4/10查看全文
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隨著材料科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,，薄膜材料因其特別的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電子,、光學(xué),、航空航天等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。薄膜應(yīng)力是評(píng)估薄膜質(zhì)量和性能的重要指標(biāo)之一,，而原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀則是準(zhǔn)確測(cè)量薄膜應(yīng)力的關(guān)鍵工具...2024/3/20查看全文
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隨著科技的不斷發(fā)展，人們對(duì)于太陽(yáng)光的利用越來(lái)越高效,。聚光太陽(yáng)光模擬器作為一種高科技設(shè)備,，可以模擬太陽(yáng)光的特性，以便于各種應(yīng)用,。使用聚光太陽(yáng)模擬器能避免室外測(cè)量的環(huán)境,、氣候、時(shí)間等因素限制,，而廣泛應(yīng)用于...2024/3/14查看全文
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隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,，精確控制生產(chǎn)過(guò)程中的各項(xiàng)參數(shù)變得尤為重要。其中,，襯底溫度作為影響材料生長(zhǎng),、晶體結(jié)構(gòu)以及最終器件性能的關(guān)鍵因素，其準(zhǔn)確測(cè)量與控制顯得尤為重要,。在這樣的背景下,，KSABandiT...2024/3/14查看全文