產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子,航天 |
---|
由于晶圓在超低溫情況下進行探測,,水氣將會出現(xiàn)并且將會凍結(jié)晶圓。水氣將會影響測量,,導(dǎo)致測量失敗,。真空倉中的水氣將通過真空泵排出,真空泵必須具備長時間測量的要求,。
參考價 | 面議 |
更新時間:2021-11-17 15:24:46瀏覽次數(shù):1400
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
高低溫探針臺
中國臺灣奕葉CG-196高低溫探針臺的探針座架設(shè)在真空腔體外側(cè),,在不破壞溫度及真空環(huán)境的情況下,隨著元件的冷縮熱膨,,探針座可配合將探針做重復(fù)修改下針. 為消除來自于真空幫浦及地的震動,,內(nèi)置主動氣浮式防震桌. 探針座少2 組多8 組,真空10exp-3 Torr 到10exp-6 Torr,, 甚至提供腔體正壓到達10atm,,超低溫達4度K ,超高溫達1200°C,,除了DC直流pA應(yīng)用之外,,RF射頻也能勝任到40GHz.適合感知器,航太及軍事 精密產(chǎn)品電特性分析,。
在真空環(huán)境下,探針臺有兩種應(yīng)用:
一,、超低溫情況下:
由于晶圓在超低溫情況下進行探測,,水氣將會出現(xiàn)并且將會凍結(jié)晶圓。水氣將會影響測量,,導(dǎo)致測量失敗,。真空倉中的水氣將通過真空泵排出,真空泵必須具備長時間測量的要求,。
二,、高溫情況下:
當(dāng)晶圓加熱超過300攝氏度, 400攝氏度,, 500攝氏度或者更高溫度時,,會發(fā)生很強烈的氧化。溫度越高,,越加大硅片表面的氧化,,氧化將使晶圓降低電學(xué)性,物理性和機械性,。真空倉中的氧氣通過真空泵來排出,。真空泵必須能夠保持長時間的測量要求。
由于卡盤將被熱量所控制,,應(yīng)用于超低溫和高溫的環(huán)境,,在晶圓上探針由于晶圓的收縮和膨脹,,將需要一定的改變位置。因此,,一些探針將需要通過真空倉之外的探針座的三軸控制旋鈕重新定位,。外部的機動探針座可通過拉桿控制系統(tǒng)輕松地重新定位真空倉中的探針。
三,、特點:
三種溫度范圍可選擇:
77K—480K (-196℃—200℃)
77K—780K (-196℃—500℃)
77K—1080K (-196℃—800℃)
所有框架采用焊接以堅固的結(jié)構(gòu)
通過外置探針座來控制探針重新定位
橋型結(jié)構(gòu)顯微鏡以方便打開真空倉
顯微鏡可通過鏡臺控制地移動,,X-Y軸移動范圍 1英寸—1英寸
可升級到6個探針座
雙屏蔽chuck高低溫時達到10pA精度
可選擇防震桌
可選擇高真空倉
四、規(guī)格:
l 卡盤直徑40mm
l 溫度的精度為0.1度
l 液氮瓶50升
l 探針座X-Y-Z三軸移動范圍:25mmx25mmx25mm,,精度10微米
l 顯微鏡X-Y軸移動范圍:1英寸x1英寸
l 連續(xù)變焦:0.8X—5X
l 目鏡:20X
l 總放大倍數(shù):16X—100X
l 150W燈源箱
l 雙分支鵝頸管燈源
l 尺寸:1300mm長x1100mm寬x1500mm高
l 重量:300Kg
五,、操作說明:
l 溫度控制單元:
當(dāng)需要溫度達到室溫以下時,卡盤需要通過液氮來降溫以達到溫度低于事先設(shè)置的溫度,。比例積分微(PID)分控制器可以的控制溫度來加熱卡盤中的熱敏器件,。
l 液氮單元
氮氣是必須的,通過氮氣加壓真空瓶來推動液氮的流出,,液氮的容量可以通過氮氣的壓強,、液氮的進氣閥和出氣閥來控制。
l 真空倉單元
真空倉可通過真空泵產(chǎn)生10-3 托的壓強提供給超低溫的應(yīng)用,;
BNC母接頭用來連接探測設(shè)備的信號裝置,;
真空泵可提供排氣過濾作用,以避免污染客戶的環(huán)境,;
l 探針座單元
所有探針座都在真空倉外設(shè)置,,這將幫助工程師在真空組織下進行探測時不用排出真空倉內(nèi)的氣體。特別是,,當(dāng)溫度降低的時候,,晶圓開始收縮,探針已經(jīng)離開需要探測的測試樣品,,工程師需要重新設(shè)置探針,,將探針扎到測試樣品上。
l 顯微鏡單元:
顯微鏡可以通過橋梁結(jié)構(gòu)移動到旁邊,,以方便打開真空倉的蓋子,。顯微鏡可以通過真空倉上面得窗口觀察,
燈光可以通過階梯式旋鈕控制亮度,,雙分支鵝頸式光纖引導(dǎo)源可以用于定位及分離目標(biāo),。