塑料薄膜金屬鍍層電導(dǎo)率電阻率測(cè)試儀用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn),。利用電流探針,、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量,，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距塑料薄膜金屬鍍層電導(dǎo)率電阻率測(cè)試儀計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,，由表3中

查出修正因子F,，也可以見(jiàn)GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F,，見(jiàn)式(4),。

對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針,，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不

小于3μ的試樣,，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開(kāi)關(guān),。.定,。歐嬌表，能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻,，溫度針

0℃-40℃,，小刻度為0.1℃。

光照,、高頻,、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影

響測(cè)試結(jié)果,，

甲醇,、99.5%，干燥氮?dú)?。測(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針,，針實(shí)半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差,，硅片幾何形狀，表

面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果,，

R(TD-R_xF式中:

計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻R.,，見(jiàn)式(3).

試劑優(yōu)級(jí)純，純水,，25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,

s=號(hào)(二[R,，(TD-瓦(7D羽yt ..

計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到23℃，具體見(jiàn)表4)

見(jiàn)式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上,，試樣放置

的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng),，到達(dá)熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流,，令其任一方向?yàn)檎?，調(diào)節(jié)電流大小見(jiàn)表1

所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù),，所有測(cè)試數(shù)據(jù)

至少應(yīng)取三位有效數(shù)字,。改變電流方向，測(cè)量,、記錄數(shù)據(jù),。

操作步驟及流程

3.1.本機(jī)可以依據(jù)不同測(cè)試產(chǎn)品選擇配置不同的測(cè)試治具，以下舉例操作說(shuō)明

3.1.1.在開(kāi)機(jī)界面按下按鍵板上的“顯示"鍵,，進(jìn)入測(cè)量界面,。如圖1

3.1.2 如圖2，在液晶顯示屏右側(cè)有4個(gè)藍(lán)色功能按鍵,，當(dāng)測(cè)材料電阻率時(shí),，請(qǐng)選擇 “材料"按鍵 ，進(jìn)入材料測(cè)試主界面.  

3.1.3.在該界面下通過(guò)按下按鍵板上的上下左右鍵,，可以移動(dòng)藍(lán)色光標(biāo)選擇相應(yīng)的參數(shù),。如圖2，將移動(dòng)到某一參數(shù)的位置,，按下“設(shè)置"鍵,，光標(biāo)將變?yōu)樯钏{(lán)色。此時(shí)通過(guò)上下左右鍵和數(shù)字鍵可以對(duì)相應(yīng)的參數(shù)進(jìn)行設(shè)置,，設(shè)置完畢后按“確定"鍵返回,。