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塑料薄膜金屬鍍層電導(dǎo)率電阻率測試儀用直線或方形四探針雙位測量,。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針,、電壓探針的變換,，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,，解決樣品幾何尺寸,、邊界效應(yīng)以及探針不等距塑料薄膜金屬鍍層電導(dǎo)率電阻率測試儀計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F,，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子,。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4),。

對于薄層厚度小于3μm的試樣,，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不

小于3μ的試樣,，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針,，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定,。歐嬌表,，能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃,，小刻度為0.1℃,。

光照、高頻,、需動,、強電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影

響測試結(jié)果,，

甲醇、99.5%,，干燥氮氣,。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差,，硅片幾何形狀,，表

面粘污等會影響測試結(jié)果，

R(TD-R_xF式中:

計算每一測量位置的平均電阻R.,，見式(3).

試劑優(yōu)級純,，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,

s=號(二[R,，(TD-瓦(7D羽yt ..

計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計算出對應(yīng)的電阻率并修正到23℃,，具體見表4)

見式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置

的時間應(yīng)足夠長,，到達(dá)熱平衡時,，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向為正向,，調(diào)節(jié)電流大小見表1

所給出的某一合適值,，測量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測試數(shù)據(jù)

至少應(yīng)取三位有效數(shù)字,。改變電流方向,，測量、記錄數(shù)據(jù),。

操作步驟及流程

3.1.本機可以依據(jù)不同測試產(chǎn)品選擇配置不同的測試治具,，以下舉例操作說明

3.1.1.在開機界面按下按鍵板上的“顯示"鍵，進(jìn)入測量界面,。如圖1

3.1.2 如圖2,，在液晶顯示屏右側(cè)有4個藍(lán)色功能按鍵,，當(dāng)測材料電阻率時,，請選擇 “材料"按鍵 ，進(jìn)入材料測試主界面.  

3.1.3.在該界面下通過按下按鍵板上的上下左右鍵,，可以移動藍(lán)色光標(biāo)選擇相應(yīng)的參數(shù),。如圖2，將移動到某一參數(shù)的位置,，按下“設(shè)置"鍵,，光標(biāo)將變?yōu)樯钏{(lán)色。此時通過上下左右鍵和數(shù)字鍵可以對相應(yīng)的參數(shù)進(jìn)行設(shè)置,，設(shè)置完畢后按“確定"鍵返回,。