國(guó)標(biāo)GBT1409介電常數(shù)損耗試驗(yàn)儀

電介質(zhì)在恒定電場(chǎng)作用下,，介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場(chǎng)作用下,，電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量,，此時(shí)介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù)，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小,。

D,，E，J之間的相位關(guān)系圖

D,，E，J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示,，從電路觀點(diǎn)來(lái)看,，電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位,。稱為有功電流密度，導(dǎo)致能量損耗,；Je,，相比較E超前90°,，稱為無(wú)功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,，δ稱為損耗角，tanδ稱為損耗角正切值,。

國(guó)標(biāo)GBT1409介電常數(shù)損耗試驗(yàn)儀

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗,。此外，表面氣孔吸附水分,、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗。

在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中,，介質(zhì)損耗主要來(lái)源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土）,，形成玻璃相，這樣就使損耗增大,。如滑石瓷,、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大,。因面一般高頻瓷,，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相,。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體,、多品型轉(zhuǎn)變等。

漏導(dǎo)損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì),，在外電場(chǎng)的作用下,，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能,。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”,。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位,，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下,，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗,。也叫介質(zhì)損失,，簡(jiǎn)稱介損,。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,。

技術(shù)參數(shù)：

1．Q值測(cè)量

a．Q值測(cè)量范圍：2～1023,。

b．Q值量程分檔：30,、100、300,、1000,、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔,。

c．標(biāo)稱誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%

     工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%

2．電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測(cè)量：1~205

     主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

     準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF,； 150pF以上±1%

     注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)后頁(yè)使用說(shuō)明

4.  信號(hào)源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍：5～1000。

6．B-測(cè)試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度：0℃～+40℃,；

b．相對(duì)濕度：<80％,；

c．電源：220V±22V,，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W,；

b．凈重：約7kg,；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280

影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率,、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響,。

1頻率

 因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃,、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和  tans幾乎是恒定的,，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率,。

 電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.

2溫度

 損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)大值,，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置,。

3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率,、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大,。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

4電場(chǎng)強(qiáng)度

 存在界面極化時(shí),，自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變,。

 在較高的頻率下,，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)

主要技術(shù)特性：

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷,、裝置瓷、電容器等陶瓷,，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù),；儀器的基本原理是采用高頻諧振法,，并提供了，通用,、多用途、多量程的阻抗測(cè)試,。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù),，改進(jìn)了調(diào)諧回路,，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),，使得新儀器在使用時(shí)更為方便,，測(cè)量值。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值,，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等。

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,，為了提高測(cè)量精度,，除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法,。

1．測(cè)試注意事項(xiàng)

a．本儀器應(yīng)水平安放,；

b．如果你需要較地測(cè)量，請(qǐng)接通電源后,，預(yù)熱30分鐘；

c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開(kāi)關(guān)時(shí),，當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào),；

d．被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短，足夠粗,，并應(yīng)接觸良好、可靠,，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來(lái)的測(cè)量誤差,；

e．被測(cè)件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上,，必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差,，有屏蔽的試件,，屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。

2．高頻線圈的Q值測(cè)量（基本測(cè)量法）

GDAT-A測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法,。

1  零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過(guò)50  MHz時(shí)的測(cè)量。測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就是在接人試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下,，調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡,。通?；芈凡捎梦髁蛛姌?、變壓器電橋(也就是互感藕合比例臂電橋)和并聯(lián)  T型網(wǎng)絡(luò),。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電極不需任何外加附件或過(guò)多操作,，就可采用保護(hù)電極;它沒(méi)有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn),。

2 諧振法適用于10kHz一幾百M(fèi)Hz的頻率范圍內(nèi)的測(cè)量。該方法為替代法測(cè)量,，常用的是變電抗法,。但該方法不適合采用保護(hù)電極,。

 注:典型的電橋和電路示例見(jiàn)附錄。附錄中所舉的例子自然是不全面的,，敘述電橋和側(cè)量方法報(bào)導(dǎo)見(jiàn)有關(guān)文獻(xiàn)和該種儀器的原理說(shuō)明書(shū)