介質(zhì)損耗測試儀

技術(shù)參數(shù)：

1．Q值測量

a．Q值測量范圍：2～1023,。

b．Q值量程分檔：30、100,、300、1000,、自動換檔或手動換檔,。

c．標(biāo)稱誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%

     工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%

2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測量：1~205

     主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

     準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF,； 150pF以上±1%

     注：大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍：5～1000,。

6．B-測試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度：0℃～+40℃,；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V,，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W,；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280,。

場強度

存在界面極化時,，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加,，其損耗指數(shù) 大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下,，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關(guān).

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗,、松弛質(zhì)點的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗,。此外，表面氣孔吸附水分,、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會引起較大的損耗。

在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中,，介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相,，這樣就使損耗增大。如滑石瓷,、尖晶石瓷隨黏土含量增大,，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷,，如氧化鋁瓷,、金紅石等很少含有玻璃相,。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散,，生成了缺固濟體,、多品型轉(zhuǎn)變等,。

漏導(dǎo)損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場的作用下,，總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”,。由于實阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷,，或多或少存在一些帶電粒子或空位,，因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下,，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗,。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損,。在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度,，一般情況下都期望耗損因子低些好 ,。

電介質(zhì)在恒定電場作用下,，介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下,，電位移D與電場強度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量，此時介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù),，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小,。

D，E，J之間的相位關(guān)系圖

D,，E,，J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示,，從電路觀點來看，電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位,。稱為有功電流密度,，導(dǎo)致能量損耗,；Je，相比較E超前90°,，稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,，δ稱為損耗角，tanδ稱為損耗角正切值,。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時的重要評價參數(shù),。為了減少介質(zhì)損耗，希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切,。損耗因素的倒數(shù)Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素,，希望它的值要高。

介質(zhì)損耗測試儀

電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,，并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個 大值，這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān),。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù) 大值位置,。

高頻Q表能在較高的測試頻率條件下,，測量高頻電感或諧振回路的Q值,，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值,，電工材料的高頻介質(zhì)損耗,，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關(guān),、學(xué)校,、工廠等單位,。

LKI-1電感組：

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz,，50MHz   233，211    0.9       0.125μH