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CH.GREAT蓄電池6-GFM-120 FM系列規(guī)格及參數(shù)

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  • 所在地 菏澤市
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更新時間:2020-11-06 19:54:49瀏覽次數(shù):189

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產(chǎn)品簡介

供貨周期 現(xiàn)貨 規(guī)格 見詳情
應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,地礦,能源,航空航天,電氣 主要用途 UPS/EPS,太陽能,直流屏,光伏發(fā)電,風(fēng)能發(fā)電,船舶設(shè)備,醫(yī)療設(shè)備
CH.GREAT蓄電池6-GFM-120 FM系列規(guī)格及參數(shù)
主要應(yīng)用范圍:
太陽能、風(fēng)能、水力發(fā)電儲能,,風(fēng)光互補(bǔ)工程;
電信,、移動、網(wǎng)絡(luò),、鐵道,、機(jī)場等各種通信、信號系統(tǒng)備用電源,;
艦船,、海事等備用電源;海洋信號與航標(biāo),;
石化系統(tǒng)備用電源,;
UPS、醫(yī)療設(shè)備,、應(yīng)急照明等備用電源

詳細(xì)介紹

CH.GREAT蓄電池6-GFM-120 FM系列規(guī)格及參數(shù)

福建格瑞特蓄電池規(guī)格 參數(shù):

型號  額定電壓(V)  額定容量(Ah)  尺寸(mm)  重量(kg)  端子

C20  C1  長  寬  高  總高

6-FM-24  12  24  14  165  125  177  180  10  M6

6-FM-38  12  38  22  196  165  176  178  13.8  M6

6-FM-50  12  50  28  257  166  170  176  18.2  M6

6-FM-65  12  65  37  322  167  170  175  22.5  M6

6-FM-80  12  80  45  288  171  216  227  28.2  M6

6-FM-100  12  100  56  377  174  217  227  33  M6

6-FM-120  12  120  68  407  174  216  227  39.8  M6

6-FM-150  12  150  84  497  203  225  247  53.8  M6

6-FM-200  12  200  112  497  259  224  247  70  M6

蓄電池售后服務(wù):

1. 對售出的電池我們建立《顧客檔案》,,實(shí)行跟蹤服務(wù)。

2. 電池售出后,,實(shí)行隨時電話跟蹤,,并執(zhí)行每年少一次的*巡檢,并向顧客報告蓄電池使用情況,,讓顧客用的放心,。

3. 發(fā)生顧客投訴時,一小時內(nèi)提供解決方案,。包括現(xiàn)場恢復(fù)方案及退貨處理方案,,直到顧客滿意。宗旨是將客戶的麻煩降到小。

4. 正常情況下,,退回電池在到貨兩周內(nèi)出具檢測報告,,確屬我司原因我司承擔(dān)責(zé)任;非我司電池原因,,我們出具相應(yīng)報告,,對顧客的使用加以指導(dǎo)

質(zhì)保規(guī)則:

質(zhì)量保證期限:視使用方法及使用客戶,,質(zhì)保期為三年,。

使用說明:鉛酸蓄電池長時間放置三個月要為電池補(bǔ)充電量,放置半年讓電池充放一次,,達(dá)到一個循環(huán);使用過 程中,,切忌把電放干再充電,對電池影響很大,,要 隨用隨充電,,充滿為止,但也不要過充,、過放電,。

包裝:為紙箱,根據(jù)運(yùn)輸距離可打扎帶,,可打木箱,。 紙箱包裝:1只/箱,采用物流長途運(yùn)輸或兩箱打一個包 裝,,節(jié)約運(yùn)輸費(fèi)用,。


高能隙(Eg)資料鈍化太陽能電池的光接納外表的辦法以及所得的太陽能電池。在一個例子中,,太陽能電池包括具有光接納外表的基板,。在所述基板的所述光接納外表上設(shè)置有鈍化介電層。在所述鈍化介電層上方設(shè)置有III族氮化物資料層,。在另一個例子中,,太陽能電池包括具有光接納外表的基板。在所述基板的所述光接納外表上設(shè)置有鈍化介電層,。在所述鈍化介電層上方設(shè)置有大的直接帶隙資料層,,所述大的直接帶隙資料層具有少約3.3的能隙(Eg)。在所述大的直接帶隙資料層上設(shè)置有抗反射涂覆(ARC)層,,所述ARC層包含不同于所述大的直接帶隙資料層的資料,。
  技術(shù)引見
  光伏電池(常被稱為太陽能電池)是熟知的用于將太陽輻射直接轉(zhuǎn)換為電能的安裝。普通來講,,運(yùn)用半導(dǎo)體加工技術(shù)在基板的外表左近構(gòu)成p-n結(jié),,從而在半導(dǎo)體晶片或基板上制造太陽能電池。映照在基板外表上并進(jìn)入基板內(nèi)的太陽輻射在基板塊體中構(gòu)成電子和空穴對。電子和空穴對遷移基板中的p摻雜區(qū)和n摻雜區(qū),,從而使摻雜區(qū)之間生成電壓差,。將摻雜區(qū)銜接太陽能電池上的導(dǎo)電區(qū),以將電流從電池引導(dǎo)與其耦接的外部電路,。效率是太陽能電池的重要特性,,因其直接與太陽能電池發(fā)電才能有關(guān)。同樣,,制備太陽能電池的效率直接與此類太陽能電池的本錢效益有關(guān),。因而,進(jìn)步太陽能電池效率的技術(shù)或進(jìn)步制造太陽能電池效率的技術(shù)是普遍所需的,。本技術(shù)的一些施行例經(jīng)過提供制造太陽能電池構(gòu)造的新工藝而可以取得進(jìn)步的太陽能電池制造效率,。本技術(shù)的一些施行例經(jīng)過提供新型太陽能電池構(gòu)造可以取得進(jìn)步的太陽能電池效率,并經(jīng)過消弭常見的退化形式可以取得更高的穩(wěn)定性,。
  包括:具有光接納外表的基板,;設(shè)置在所述基板的所述光接納外表上的鈍化介電層;和設(shè)置在所述鈍化介電層上方的III族氮化物資料層,。2.依據(jù)權(quán)益請求1所述的太陽能電池,,還包括:直接設(shè)置在所述鈍化介電層和所述III族氮化物資料層之間的界面層,所述界面層包含不同于所述鈍化介電層且不同于所述III族氮化物資料層的資料,。3.依據(jù)權(quán)益請求2所述的太陽能電池,,其中所述界面層是富含硅的非晶硅層,并且具有大約在30埃50埃范圍內(nèi)的厚度,。4.依據(jù)權(quán)益請求2所述的太陽能電池,,其中所述界面層是不含氧的硅基層,所述層選自富含硅的非晶硅,、固有或磷摻雜的非晶硅,、和多晶硅,并且其中所述硅基層具有大約在10埃200埃范圍內(nèi)的厚度,。5.依據(jù)權(quán)益請求1所述的太陽能電池,,其中所述III族氮化物資料層設(shè)置在所述鈍化介電層上。6.依據(jù)權(quán)益請求1所述的太陽能電池,,其中所述III族氮化物資料層選自氮化鋁(AlN)層,、氮化鋁鎵(AlxGa1-xN,其中0<x<1)層和氮化鎵(GaN)層,。7.依據(jù)權(quán)益請求1所述的太陽能電池,,還包括:設(shè)置在所述III族氮化物資料層上的抗反射涂覆(ARC)層,所述ARC層包含不同于所述III族氮化物資料層的資料,。8.依據(jù)權(quán)益請求7所述的太陽能電池,,其中所述ARC層是選自氧化鋁(AlOx,x等于或小于1.5)層和氮氧化硅(SiOyNz,y>0,,z>0)層的層,,并且其中所述ARC層和所述III族氮化物資料層共同構(gòu)成所述太陽能電池的雙層抗反射涂層。9.依據(jù)權(quán)益請求8所述的太陽能電池,,其中所述III族氮化物資料層具有大約在50埃900埃范圍內(nèi)的厚度并具有大約2.0-2.4的折射率,,并且其中所述ARC層具有大約在300埃1500埃范圍內(nèi)的厚度并具有大約1.8的折射率。10.依據(jù)權(quán)益請求9所述的太陽能電池,,其中所述III族氮化物資料層和所述ARC層共同為所述太陽能電池提供電流加強(qiáng)和穩(wěn)定性,。11.依據(jù)權(quán)益請求7所述的太陽能電池,其中所述ARC層是氫化氮化硅(SiN:H)層,。12.依據(jù)權(quán)益請求11所述的太陽能電池,,其中所述III族氮化物資料層具有大約在30埃100埃范圍內(nèi)的厚度并具有大約2.0-2.4的折射率,,并且其中所述SiN:H層具有大約700埃的厚度并具有大于約1.9的折射率,。13.依據(jù)權(quán)益請求12所述的太陽能電池,其中所述III族氮化物資料層和所述ARC層共同為所述太陽能電池提供穩(wěn)定性,,而所述高帶Eg資料提供鈍化而對發(fā)光光譜無吸收,。14.依據(jù)權(quán)益請求1所述的太陽能電池,其中所述基板是晶體硅基板,,且所述鈍化介電層是二氧化硅(SiO2)層并具有大約在10埃300埃范圍內(nèi)的厚度,。15.依據(jù)權(quán)益請求1所述的太陽能電池,其中所述光接納外表具有紋理化形貌,,并且其中所述鈍化介電層和所述III族氮化物資料層都與所述光接納外表的所述紋理化形貌適形,。16.依據(jù)權(quán)益請求1所述的太陽能電池,其中所述基板還包括與所述光接納外表相對的背外表,,所述太陽能電池還包括:在所述基板的所述背外表上或上方的多個交替的N型和P型半導(dǎo)體區(qū),;和與所述多個交替的N型和P型半導(dǎo)體區(qū)電銜接的導(dǎo)電觸頭構(gòu)造。

 

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