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SINAMICS V20 380-480 V AC 三相交流 - 15/+ 10 % 47-6 標稱功率 0.37 kW 有 60 秒 150 % 過載 集成過濾器 C3 I/O 接口：4 DI,，2 DO,， 2 AI,，1 AA 現場總線：USS/MODBUS RTU 安裝有 BOP 防護等級 IP20/UL 開放 尺寸：尺寸A 90x150x146（寬x高

5) 西門子變頻器如果要長電纜運行時，此時要采取措施長電纜對地耦合電容的影響,，避免西門子變頻器出力不足,，所以在這樣情況下,，西門子變頻器容量要放大一檔或者在西門子變頻器的輸出端安裝輸出電抗器,。
　　6) 對于一些特殊的應用場合，如高溫,，高海拔,，此時會引起西門子變頻器的降容，西門子變頻器容量要放大一擋,。

　　USS協(xié)議使用CPU的下列資源：1）USS協(xié)議占用PLC的通訊端口0或1,，使用USS——INIT指令可以選擇PLC的端口是使用USS協(xié)議還是PPI協(xié)議，選擇USS協(xié)議后PLC的相應端口不能在做其它用途,，包括與STEP7-WICRO/WIN32的通訊,，只有通過執(zhí)行另外一條USS指令或將PLC——CPU。

西門子變頻器6SL3210-5BE13-7CV0通訊 　西門子電機軟啟動器的常見故障
 1,、電動機起不來
  電動機起不來的原因大致分兩種情況：一是六只可控硅的其中一只觸發(fā)不可靠或是不導通,，此時一相電路通過的是半波直流，電動機的兩相繞組通過的直流對電動機起到了制動作用,，不僅電機起不來,，嚴重的還會燒毀電機和可控硅。二是啟動參數或啟動曲線不合適造成電機起不來,，這是常見故障,。前者在使用過程當中會發(fā)生，但幾率低于接觸器的故障率,。后者多發(fā)生在次投運調試,，調試好以后就不會出現。多數的廠家不會出現此現象,，啟動程序性能好,，出廠值設定的適用性強。只有很少廠家的產品需要廠家自己去調試,。 

可控硅燒毀
  可控硅擊穿或,，此類故障不分品牌，因廠家而易,，但都比接觸器的故障率低,，而且主要問題出現在餅式可控硅的安裝工藝上。
3,、控制器燒損
  相對于軟啟動器來講,，控制器燒毀故障是嚴重的,。有的廠家此類故障造成的返修率已超過30%。進口的或合資的廠家此類問題不多見,。主要是控制器的電源和觸發(fā)電路以及輸入電路三部分容易燒毀,。。
　　3,、S7-200的擴展模塊不同信號的S7-200CPU上已經集成了一定數量的數字量I/O點,，若實際需要的I/O點數超過該CPU的I/O點數時，則通過增加輸入/輸出擴展模塊來達到擴展功能,、擴大控制能力,。擴展模塊有輸入/輸出擴展、熱電偶/熱電阻輸入擴展和通訊擴展三種類型,，通過總線連接器（插件和CPU模塊連接,。


　　由于系統(tǒng)程序及工作數據與用戶無直接，所以在PLC產品樣本或使用手冊中所列存儲器的形式及容量是指用戶程序存儲器,。當PLC提供的用戶存儲器容量不夠用,，許多PLC還提供有存儲器擴展功能。PLC存儲器所用的種類主要有：可讀/寫操作的隨機存儲器RAM,；只讀存儲器或可擦除可編程的只讀存儲器ROM,、PROM、EPROM和EEPROM,。

DCS在發(fā)展的過程中也是各廠家自成體系,，但大部分的DCS系統(tǒng)，比如西門子,、ABB,、霍尼維爾、GE,、施耐德等等,，雖說系統(tǒng)內部（過程級）的通訊協(xié)議不盡相同，但操作級的網絡平臺不約而同的選擇了以太網絡,，采用標準或變形的TCP/IP協(xié)議,。這樣就提供了很方便的可擴展能力。在這種網絡中,，控制器,、計算機均作為一個節(jié)點存在，只要網絡到達的地方,，就可以隨意增減節(jié)點數量和布置節(jié)點位置,。另外，基于windows系統(tǒng)的OPC,、DDE等開放協(xié)議,，各系統(tǒng)也可很方便的通訊,，以實現資源共享。

西門子變頻器6SL3210-5BE13-7CV0通訊 軟啟動器誤動作
電動機在運行的裝態(tài)下因軟起動器受干擾而停機在停止狀態(tài)下因軟起動器受干擾而起動是時有發(fā)生,，前者較普遍,，后者只有兩個品牌發(fā)生過。究其原因,，一是產品質量問題,，二是和線路布局有關。但是凡是進口或合資的軟啟都沒有上述現象,，國產品牌中此問題比較多,。
  5、軟啟動器內部插接件接觸不良
  軟啟動器內部插接件選用本來不是問題,，這是國內廠家容易忽略的問題，經常出現故障,。進口或合資廠家都不犯此類的錯誤,。

　　一定要保證無論在任何情況下，只要執(zhí)行停止或急停程序,，設備不會對人身造成傷害,。還有一個小細節(jié)，有經驗的在處理急停按鈕時,，程序中都用常閉點,，這點要注意。第六步：調試程序在調試程序這一步中,，可以分成兩個方面,。 蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小,。紅色段就幾乎變成水平了,，這就是“飽和”。實際上,，飽和是一個漸變的過程,，蘭色段也可以認為是初始進入飽和的區(qū)段。在實際工作中,，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件,。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交,，交點對應的Ib值就是臨界飽和的Ib值,。圖中可見該值約為0.25mA。由圖可見,，根據Ib*β=V/R算出的Ib值,，只是使晶體管進入了初始飽和狀態(tài),，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和,；倍數越大,，飽和程度就越深。