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產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	價(jià)格區(qū)間	5萬-10萬
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合

鈣鈦礦鍍膜設(shè)備主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng),、真空測(cè)量系統(tǒng),、蒸發(fā)源,、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng),、配氣系統(tǒng)等部分組成,。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜,、氧化物薄膜,、有機(jī)薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料,、新工藝薄膜研究工作,，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作，廣泛應(yīng)用于有機(jī),、無機(jī),、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域,。

功能特點(diǎn)

樣品位于真空室上方,，蒸發(fā)源位于真空室下方，向上蒸發(fā)鍍膜,，且蒸發(fā)源帶有擋板裝置,。
設(shè)有烘烤加熱功能，可在鍍膜過程中加熱樣品,，最高烘烤加熱溫度為180℃,。
設(shè)有斷水、斷電連鎖保護(hù)報(bào)警裝置及防誤操作保護(hù)報(bào)警裝置,。

技術(shù)參數(shù)
鍍膜室	不銹鋼材料,，采用方形前后開門結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板,，腔室尺寸約為600mm×450mm×450mm
真空排氣系統(tǒng)	采用分子泵+機(jī)械泵系統(tǒng)
真空度	鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa
系統(tǒng)漏率	≤1×10-7Pa
蒸發(fā)源	安裝在真空室的下底上,；有機(jī)蒸發(fā)源4個(gè)、容積5ml,，2臺(tái)蒸發(fā)電源,，可測(cè)溫、控溫,，加熱溫度400℃，功率0.5KW,；無機(jī)蒸發(fā)源4套,、容積5ml，2臺(tái)蒸發(fā)電源,，加熱電流300A,，功率3.2KW,；蒸發(fā)源擋板采用自動(dòng)磁力控制方式控制其開啟
樣品架	安裝在真空室的上蓋上，可放置Ø120mm的樣品,、載玻片,，旋轉(zhuǎn)速度0-30rpm
加熱溫度	RT-180℃，測(cè)溫,、控溫
膜厚控制儀	石英晶振膜厚控制儀,，膜厚測(cè)量范圍0-999999Å

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