大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,，普賽斯以自主研發(fā)為導向,，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,，先后推出了直流源表,，脈沖源表、高電流脈沖源表,、高電壓源測單元等測試設備,，廣泛應用于高校研究所、實驗室,，新能源,，光伏，風電,，軌交,，變頻器等場景。

IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,，期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中,，如電動汽車、變電站等,。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點,，IGBT是電力電子設備的“cpu”,，被國家列為重點研究對象,。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件,，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試,。

2,、IGBT的漏電流越小越好,，所以需要高精度的設備進行測試。

3,、IGBT動態(tài)電流范圍大,，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試,。

4,、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯,，脈沖測試可以減少自加熱效應,，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性,。

5,、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應用有密切關系,。所以IGBT的電容測試非常重要,。

6,、IGBT開關特性非常重要,，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試,。

那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）,、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在第一象限,，輸出及測量電壓0~3000V,，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式,。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源,、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義,。

E300高電壓源測單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）,、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）,、支持輸出極性切換等特點。

設備可應用于肖特基二極管,、整流橋堆,、IGBT器件,、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,，使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓”掃描測試,。

HCPL100型高電流脈沖電源

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài),、數(shù)字觸摸源表,，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,，Z大脈沖輸出電流達10A,，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作,，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中,。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導體,、納米器件和材料,、有機半導體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸,、低功率器件特性分析,。

P系列脈沖源表

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀簡介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET,、BJT,、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA,。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點,。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,，如輸入電容，輸出電容,、反向傳輸電容等,。

產(chǎn)品特點

• 高電壓：支持高達3KV高電壓測試；

• 大電流：支持高達4KA大電流測試,；

• 高精度：支持uΩ級電阻,、pA級電流、uV級精準測量,；

• 豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板,，方便用戶快速配置測試參數(shù)；

• 配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能,；

• 數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,，亦可一鍵導出；

• 模塊化設計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設計,，可自由配置,，方便維護；

• 可拓展：支持拓展溫控功能,，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度,；

• 可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

   

  技術(shù)指標