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MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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  • 型號(hào) E系列
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  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 武漢市
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更新時(shí)間:2021-12-31 09:11:10瀏覽次數(shù):599

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地類(lèi)別 國(guó)產(chǎn) 電動(dòng)機(jī)功率 0.3kW
外形尺寸 19英寸1U機(jī)箱mm 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子/電池
重量 6kg 最大輸出功率 300W,,3000V/100mA(不同型號(hào)有差異);
輸出電壓建立時(shí)間 < 5ms,; 輸出接口 KHV(三同軸),支持四線測(cè)量,;
功率器件IGBT測(cè)試儀器具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn),。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,,輸出及測(cè)量電流0~100mA,。支持恒壓恒流工作模式

詳細(xì)介紹

MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,,MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,一般需要多臺(tái)儀表整合為成套測(cè)試系統(tǒng),,單獨(dú)的一臺(tái)源表,,或者采集卡,并不能滿足測(cè)試需要,。不同的測(cè)試,需要不同的儀器儀表進(jìn)行整合,。如下為普賽斯產(chǎn)品,在不同測(cè)試中的使用情況,隨著普賽斯產(chǎn)品的不斷完善,,后續(xù)會(huì)滿足IGBT更多項(xiàng)目的測(cè)試,。

測(cè)試項(xiàng)目

普賽斯產(chǎn)品

靜態(tài)測(cè)試

E300高壓程控電源

HCPL100高電流脈沖源

P300脈沖源表

PMST夾具箱

動(dòng)態(tài)測(cè)試

E300高壓程控電源

P300脈沖源表

A200高速采集卡


功率循環(huán)

A400采集卡




老化測(cè)試

E300高壓程控電源




 

一、E300高電壓源測(cè)單元

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E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V),、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn),。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,,輸出及測(cè)量電流0~100mA,。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式,。

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源,、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義,。


 

二,、HCPL100型高電流脈沖電源

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HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A),、脈沖邊沿陡(10uS),、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn),。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管,、整流橋堆、IGBT器件,、IGBT半橋模塊,、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試,。



三,、P系列脈沖數(shù)字源表

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P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài),、數(shù)字觸摸源表,,匯集電壓,、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,,Z大輸出電壓達(dá)300V,,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中,。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料,、有機(jī)半導(dǎo)體,、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析,。



總之,,MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)需要的儀器是一系列的,具體可以找生產(chǎn)廠家普賽斯儀表為您提供檢測(cè)方案哦,!

 

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