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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 2萬(wàn)-5萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,電子,航天,電氣 | 產(chǎn)品尺寸 | 425*255*106mm |
| 產(chǎn)品重量 | 5KG | 測(cè)試范圍 | 0.3mV-300V/100nA-1A |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
源表特點(diǎn)：
多功能：可作源和負(fù)載,，又能測(cè)；
高效率：滿足多種測(cè)試需求,；
可編程控制：高精度可調(diào),，靈活控制；
IV掃描：快速、直觀顯示,，一步操作,。
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻,、二極管,、發(fā)光二極管、齊納二極管,、PIN二極管,、BJT三極管、MOSFET,、SIC,、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試,，LED/AMOLED,、太陽(yáng)能電池、電池,、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測(cè)試,，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測(cè)試,，電子墨水,、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測(cè)試，石墨烯,、納米線等
測(cè)試功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測(cè)試,，輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測(cè)試,，輸入曲線,、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷骸⒄螂娏?、反向擊穿電壓,、反向漏電?/span> |
2 | 三極管 | L-IV測(cè)試，輸入曲線,、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測(cè)試,，輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測(cè)試,，輸出曲線,、轉(zhuǎn)移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線,、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測(cè)試,，充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測(cè)試，放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測(cè)試、輸入曲線,、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測(cè)試,、輸入曲線、輸出曲線 |
S系列源表特點(diǎn)：
5寸800*480觸摸顯示屏,，全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,，加速用戶完成測(cè)試，如LIV,、PIV
源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%,，分辨率5位半
四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V,，低至10pA
豐富的掃描模式,，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
支持USB存儲(chǔ),，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
支持多種通訊方式,，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
1,、 多功能測(cè)量需求下的廣泛的適應(yīng)性,，電壓高300V，電流低至100pA,；
2,、 實(shí)現(xiàn)“源"的輸出和“表"的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率,。
3,、 具備對(duì)測(cè)試器件的保護(hù)功能，可進(jìn)行自我限制,，避免因過(guò)充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害,；
精確的電壓電流限制功能，為器件提供完善的保護(hù)功能,，避免器件損壞,。
4、 觸屏圖形化操作,，使用簡(jiǎn)單,。開放式平臺(tái),，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求而針對(duì)性的開發(fā)軟件,。
國(guó)產(chǎn)優(yōu)勢(shì)
1、自主研發(fā),，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求,；
2、性價(jià)比高；
3,、可及時(shí)與客戶溝通,，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶編程,，加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā),。
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