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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 電動(dòng)機(jī)功率 | 0.03kW |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 425*255*106mm | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,航空航天,電氣 |
| 重量 | 5kg |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
國(guó)產(chǎn)電流源表特點(diǎn)：
多功能：可作源和負(fù)載,，又能測(cè)；
高效率：滿(mǎn)足多種測(cè)試需求,；
可編程控制：高精度可調(diào),，靈活控制；
IV掃描：快速,、直觀(guān)顯示,，一步操作。
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試,，電阻,、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管,、PIN二極管,、BJT三極管、MOSFET,、SIC,、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試,，LED/AMOLED,、太陽(yáng)能電池、電池,、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測(cè)試,，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測(cè)試,，電子墨水,、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測(cè)試，石墨烯,、納米線(xiàn)等
測(cè)試功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測(cè)試,，輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
2 | 芯片 | L-IV測(cè)試,，輸入曲線(xiàn),、輸出曲線(xiàn) |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷骸⒄螂娏?、反向擊穿電壓,、反向漏電?/span> |
2 | 三極管 | L-IV測(cè)試，輸入曲線(xiàn),、輸出曲線(xiàn) |
3 | MOSFET | L-IV測(cè)試,，輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
4 | IGBT | L-IV測(cè)試,，輸出曲線(xiàn),、轉(zhuǎn)移曲線(xiàn) |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線(xiàn)、反向電壓電流曲線(xiàn),、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測(cè)試,，充放電掃描曲線(xiàn) |
2 | 光伏電池 | IV測(cè)試，放電掃描曲線(xiàn) |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測(cè)試,、輸入曲線(xiàn),、輸出曲線(xiàn) |
2 | 納米線(xiàn) | IV測(cè)試、輸入曲線(xiàn),、輸出曲線(xiàn) |
國(guó)產(chǎn)電流源表特點(diǎn)：
5寸800*480觸摸顯示屏,，全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶(hù)完成測(cè)試，如LIV,、PIV
源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%,，分辨率5數(shù)位
四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：電流100pA~1A,，電壓0.3mV~300V
豐富的掃描模式,，支持線(xiàn)性?huà)呙琛⒅笖?shù)掃描及用戶(hù)自定義掃描
支持USB存儲(chǔ),，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
支持多種通訊方式,，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
1,、 多功能測(cè)量需求下的廣泛的適應(yīng)性,，電壓高300V，電流低至100pA,；
2,、 實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率,。
3、 具備對(duì)測(cè)試器件的保護(hù)功能,，可進(jìn)行自我限制,，避免因過(guò)充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；
精確的電壓電流限制功能,，為器件提供完善的保護(hù)功能,，避免器件損壞。
4,、 觸屏圖形化操作,，使用簡(jiǎn)單。開(kāi)放式平臺(tái),，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求而針對(duì)性的開(kāi)發(fā)軟件,。
國(guó)產(chǎn)優(yōu)勢(shì)
1、自主研發(fā),，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求,；
2、性?xún)r(jià)比高,；
3,、可及時(shí)與客戶(hù)溝通，為客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比系統(tǒng)解決方案,。及時(shí)指導(dǎo)客戶(hù)編程,，加速測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。
