目錄:鄭州科探儀器設(shè)備有限公司>>材料樣品處理>>小型濺射儀>> KT-Z1650PVD三氧化二鋁磁控濺射儀
| 靶材材質(zhì) | 金 鉑 銅 銀 | 靶材尺寸 | 50mm |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 1-5萬 |
| 濺射氣體 | 根據(jù)需求氣體 | 控制方式 | φ50 |
| 樣品倉尺寸 | φ160x160mm | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子 |
O2流量為0.8sccm,、1.0sccm,、1.2sccm時直流和射頻制備的薄膜均呈透明狀且表面均勻致密，常溫下不同O2流量制備的Al2O3薄膜均為非晶態(tài),?！ ≡趩我蛩卦囼炑芯康幕A(chǔ)上設(shè)計正交試驗，繼續(xù)深入研究直流,、射頻方法下,，濺射靶功率、O2流量,、工作氣壓的綜合變化對Al2O3薄膜濺射沉積速率的影響，并對正交試驗結(jié)果進行極差與方差分析,。獲取了較優(yōu)的直流,、射頻薄膜制備工藝參數(shù)并進行薄膜的制備，對制備薄膜的沉積時間,、薄膜表面粗糙度,、薄膜的復合硬度進行檢測并對比分析，選定了優(yōu)化后的直流濺射工藝參數(shù)并實施Al2O3薄膜的制備,。通過對制備的薄膜進行掃描電鏡觀測和能譜檢測,，驗證了所選工藝參數(shù)的合理性。對常溫下不銹鋼基底上制備的Al2O3薄膜進行退火處理,，測試分析退火溫度對薄膜晶體結(jié)構(gòu)影響,，結(jié)果表明:與常溫制備薄膜相比，退火溫度800℃時出現(xiàn)γ-Al2O3晶體結(jié)構(gòu),，奧氏體相消失,，退火溫度1000℃時出現(xiàn)α-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)和金屬間化合物AlFe?！ ±帽∧鞲衅鞯慕Y(jié)構(gòu)要求與傳感器薄膜的性能要求探索了制備Al2O3絕緣膜的工藝方法,，得出了濺射靶功率,、O2流量、工作氣壓,、負偏壓和本底真空度等因素對直流和射頻濺射沉積薄膜性能等的影響規(guī)律,，改進并優(yōu)化了Al2O3薄膜制備工藝，結(jié)合退火工藝得出了退火溫度對Al2O3薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律,。
三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD
應(yīng)用領(lǐng)域：
離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛,，通過向樣品表面噴鍍金、鉑,、鈀及混合靶材等金屬消除不導電樣品的荷電現(xiàn)象,，并提高觀測效率，另外可以使用噴碳附件對樣品進行蒸碳,，實現(xiàn)不導電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析,。
三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；
控制方式 | 7寸人機界面 手動 自動模式切換控制 |
濺射電源 | 直流濺射電源 |
鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
功率 | ≤1000W |
輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
真空 | 機械泵 ≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5*10^-3Pa |
濺射真空 | ≤30Pa |
擋板類型 | 電控 |
真空腔室 | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
樣品臺 | 可旋轉(zhuǎn)φ62 （可安裝φ50基底） |
樣品臺轉(zhuǎn)速 | 8轉(zhuǎn)/分鐘 |
樣品濺射源調(diào)節(jié)距離 | 40-105mm |
真空測量 | 皮拉尼真空計（已安裝 測量范圍10E5Pa 1E-1Pa） |
預(yù)留真空接口 | KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進氣口 |
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