隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷逼近物理極限，三維集成與先進(jìn)封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律的重要途徑,。晶圓鍵合作為實(shí)現(xiàn)3D封裝的核心工藝,，其可靠性直接決定了最終器件的性能與良率。然而,，由于異質(zhì)材料間的熱失配、晶格失配以及工藝參數(shù)復(fù)雜等因素,，鍵合界面的可靠性面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),。 

本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將從鍵合原理出發(fā)，詳細(xì)介紹晶圓鍵合可靠性的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),、測(cè)試方法及關(guān)鍵儀器應(yīng)用,，為行業(yè)提供一套完整的工藝可靠性分析方案,，助力國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)突破先進(jìn)封裝技術(shù)瓶頸。

一,、晶圓鍵合可靠性分析原理

1,、鍵合界面力學(xué)特性

晶圓鍵合可靠性本質(zhì)上取決于界面原子或分子間的結(jié)合強(qiáng)度。根據(jù)鍵合類型不同,，界面作用力可分為：

化學(xué)鍵合力：共價(jià)鍵（熔融鍵合）、離子鍵（陽(yáng)極鍵合）和金屬鍵（銅-銅鍵合）

物理吸附力：范德華力（臨時(shí)鍵合膠）和氫鍵

機(jī)械互鎖力：共晶鍵合和熱壓鍵合中的微觀機(jī)械錨定效應(yīng)

鍵合強(qiáng)度通常用界面斷裂能（Gc）表示,，定義為分離單位面積鍵合界面所需能量，單位為J/m2,。高質(zhì)量永jiu鍵合的Gc應(yīng)接近材料本體斷裂能（硅約為2.5 J/m2）,。

2、可靠性失效機(jī)制

鍵合工藝常見(jiàn)的失效模式包括：

界面分層：由表面污染,、活化不足或熱應(yīng)力引起

空洞缺陷：鍵合過(guò)程中氣體滯留形成

熱機(jī)械失效：CTE失配導(dǎo)致循環(huán)應(yīng)力積累

電遷移：混合鍵合中銅互連的電流密度問(wèn)題

3、可靠性評(píng)價(jià)維度

二,、晶圓鍵合可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-883：方法2019.7規(guī)定芯片剪切測(cè)試方法

JESD22-B109：晶圓級(jí)鍵合剪切強(qiáng)度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

SEMI G86：臨時(shí)鍵合/解鍵合工藝指南

DIN EN ISO 19095：塑料-金屬界面粘附力評(píng)估

2、關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)

A,、剪切強(qiáng)度測(cè)試（依據(jù)JESD22-B109）

測(cè)試目的：評(píng)估鍵合界面抗剪切應(yīng)力能力

合格標(biāo)準(zhǔn)：

硅-硅直接鍵合：≥15 MPa

銅混合鍵合：≥50 MPa

臨時(shí)鍵合膠：5-15 MPa

B,、拉伸強(qiáng)度測(cè)試（依據(jù)ASTM F692）

測(cè)試方法：使用圓柱形夾具垂直分離鍵合對(duì)

典型要求：≥5 MPa（永jiu鍵合）

C,、熱循環(huán)測(cè)試（依據(jù)JESD22-A104）

條件：-55℃~125℃，1000次循環(huán)

判定標(biāo)準(zhǔn)：強(qiáng)度衰減<20%

三,、檢測(cè)設(shè)備（剪切強(qiáng)度測(cè)試）

1,、Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)

1,、設(shè)備介紹

Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)是一種專為微電子領(lǐng)域設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備,，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝,、LED封裝、光電子器件封裝等多個(gè)行業(yè),。該設(shè)備采用先進(jìn)的傳感技術(shù),，能夠精確測(cè)量材料或組件在推力、拉力和剪切力作用下的強(qiáng)度和耐久性,。其主要特點(diǎn)包括：

a,、高精度：全量程采用自主研發(fā)的高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,。

b、多功能性：支持多種測(cè)試模式，如晶片推力測(cè)試,、金球推力測(cè)試,、金線拉力測(cè)試以及剪切力測(cè)試等。

c,、操作便捷：配備專用軟件,，操作簡(jiǎn)單，支持多種數(shù)據(jù)輸出格式,，能夠wan美匹配工廠的SPC網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。

2,、產(chǎn)品特點(diǎn)

3,、常用工裝夾具

4、實(shí)測(cè)案例

四,、可靠性測(cè)試流程

步驟一、測(cè)試前準(zhǔn)備

1,、樣品制備

鍵合對(duì)切割為10×10mm2測(cè)試單元

標(biāo)記測(cè)試位置（避開(kāi)劃片道）

2、設(shè)備校準(zhǔn)

力傳感器歸零

光學(xué)系統(tǒng)焦距校準(zhǔn)

溫度平臺(tái)驗(yàn)證（如適用）

步驟二,、標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試流程

1,、非破壞性篩查

使用聲學(xué)顯微鏡（SAM）檢測(cè)界面空洞

合格標(biāo)準(zhǔn)：空洞面積<5%

2,、剪切強(qiáng)度測(cè)試

將樣品固定在加熱平臺(tái)（根據(jù)測(cè)試要求）

刀頭以50μm/s速度接近樣品

接觸后自動(dòng)檢測(cè)初始接觸力（閾值0.01N）

以設(shè)定速度（通常100μm/s）施加剪切力

記錄最大斷裂力和失效模式

3、數(shù)據(jù)分析

計(jì)算平均強(qiáng)度及Weibull分布

失效模式分類：

界面斷裂（粘附失效）

內(nèi)聚斷裂（材料本身破壞）

混合失效

4,、加速老化測(cè)試

高溫高濕存儲(chǔ)（85℃/85%RH，96h）

熱沖擊測(cè)試（-65℃~150℃,，100次）

測(cè)試后重復(fù)步驟2-3

步驟三,、典型測(cè)試報(bào)告內(nèi)容

樣品信息（材料、工藝參數(shù)）

測(cè)試條件（溫度,、濕度、速度）

原始數(shù)據(jù)及統(tǒng)計(jì)結(jié)果

失效模式顯微照片

Weibull分布曲線

與工藝規(guī)范的符合性判定

五,、案例研究：銅混合鍵合可靠性分析

1,、測(cè)試條件

樣品：12英寸晶圓，5μm銅凸點(diǎn)

鍵合參數(shù)：300℃/40kN/30min

對(duì)比組：不同CMP粗糙度（Ra=1nm vs 3nm）

2,、測(cè)試結(jié)果

5.3,、結(jié)論

表面粗糙度對(duì)鍵合可靠性影響顯著：

Ra=1nm組表現(xiàn)出更高強(qiáng)度及一致性

粗糙表面導(dǎo)致應(yīng)力集中，降低界面結(jié)合

優(yōu)化CMP工藝可提高可靠性30%以上

以上就是小編介紹的有關(guān)于晶圓鍵合工藝可靠性測(cè)試相關(guān)內(nèi)容了,，希望可以給大家?guī)?lái)幫助,！如果您還想了解更多關(guān)于推拉力測(cè)試機(jī)廠家、怎么使用視頻和圖解,，品使用步驟及注意事項(xiàng),、作業(yè)指導(dǎo)書(shū),，原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻,，推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范,、使用方法和測(cè)試視頻 ，焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題,，歡迎您關(guān)注我們,，也可以給我們私信和留言，【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻,、晶圓、硅晶片,、IC半導(dǎo)體,、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝,、微電子封裝,、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案,。