在半導(dǎo)體制造的全流程中,，封裝與測試（簡稱"封測"）作為后道關(guān)鍵工序，猶如芯片產(chǎn)品的"品質(zhì)守門人",，肩負(fù)著保障芯片可靠性,、提升產(chǎn)品性能的重要使命。隨著5G,、AI,、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展，芯片封裝技術(shù)正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)向先進(jìn)的跨越式變革,，而精準(zhǔn)高效的測試技術(shù)則成為確保芯片品質(zhì)重要的關(guān)鍵環(huán)節(jié),。

本文將系統(tǒng)性地為您剖析：

芯片封裝技術(shù)的演進(jìn)歷程與發(fā)展趨勢

先進(jìn)封裝的核心技術(shù)原理與工藝特點(diǎn)

封測環(huán)節(jié)的關(guān)鍵設(shè)備與質(zhì)量控制要點(diǎn)

行業(yè)前沿的創(chuàng)新方向與技術(shù)挑戰(zhàn)

通過詳實(shí)的技術(shù)解析和直觀的示意圖示，我們將帶您深入了解從傳統(tǒng)封裝到2.5D/3D先進(jìn)封裝的技術(shù)躍遷,，揭示封裝測試如何保障芯片可靠性,，并探討Chiplet等創(chuàng)新技術(shù)為行業(yè)帶來的新機(jī)遇。

一,、封裝的目的與重要性

芯片封裝是將晶圓上的裸芯片（晶粒）轉(zhuǎn)化為最終成品的關(guān)鍵步驟,。封裝主要有兩大目的：

保護(hù)功能：防止脆弱的晶粒受到物理損傷或空氣中的雜質(zhì)腐蝕

適應(yīng)應(yīng)用：根據(jù)不同使用場景需求，提供合適的外形和連接方式

我們?nèi)粘Ｒ姷降母鞣N形狀的芯片,，其實(shí)都是不同封裝類型的結(jié)果,。

1、不同封裝類型的芯片

二,、封裝技術(shù)發(fā)展歷程

封裝技術(shù)已走過70多年的發(fā)展歷程,，大致可分為五個階段：

1、傳統(tǒng)封裝時代（1960-1990）

早期采用TO（晶體管封裝）和DIP（雙列直插封裝）：

TO封裝：經(jīng)典三極管造型

DIP封裝：雙排直插式引腳

DIP封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)

隨后發(fā)展出SOP（小外型封裝）及其衍生系列：

SOJ（J型引腳小外形封裝）

TSOP（薄小外形封裝）

VSOP（甚小外形封裝）

SSOP（縮小型SOP）

TSSOP（薄的縮小型SOP）

SOT（小外形晶體管）

SOIC（小外形集成電路）

這些傳統(tǒng)封裝主要依靠引線連接晶粒與外部電路,，至今仍用于對性能要求不高的經(jīng)典芯片,。

2、BGA封裝時代（1990-2000）

隨著電子產(chǎn)品小型化需求，BGA（球柵陣列封裝）成為主流：

引腳位于芯片下方,，數(shù)量多

體積緊湊,，適合小型設(shè)備

類似技術(shù)還有LGA（平面網(wǎng)格陣列）和PGA（插針網(wǎng)格陣列）

BGA封裝結(jié)構(gòu)

3、先進(jìn)封裝崛起（2000年后）

這一階段出現(xiàn)了三大革新性封裝技術(shù)：

芯片級封裝(CSP)：封裝尺寸接近芯片本身（不超過1.2倍）

晶圓級封裝(WLP)：先封裝后切割晶圓,，流程與傳統(tǒng)相反

倒裝封裝(Flip Chip)：晶圓反轉(zhuǎn)通過凸點(diǎn)(Bump)直接連接基板

倒裝封裝示意圖

4,、三維封裝時代

進(jìn)入21世紀(jì)后，封裝技術(shù)向三維空間發(fā)展：

2.5D/3D封裝

硅通孔(TSV)

重布線層(RDL)

扇入/扇出型晶圓級封裝

系統(tǒng)級封裝(SiP)

這些技術(shù)成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵,。

三,、先進(jìn)封裝核心技術(shù)

1、2.5D/3D封裝技術(shù)

2.5D封裝：

通過硅中介層(Interposer)整合多種芯片

信號橫向傳輸

需要TSV,、RDL等技術(shù)支持

2,、3D封裝：

垂直堆疊多個芯片

直接在芯片上打孔布線

典型應(yīng)用：HBM高帶寬存儲器

2.5D與3D封裝對比

2、系統(tǒng)級封裝(SiP)

與SoC（系統(tǒng)級芯片）不同：

SiP直接整合多個現(xiàn)有芯片

采用2.5D/3D堆疊方式

更靈活,、成本更低

Chiplet（小芯片）技術(shù)基于SiP理念

3,、硅通孔(TSV)技術(shù)

在硅介質(zhì)層刻蝕垂直通孔

填充金屬實(shí)現(xiàn)上下層連接

實(shí)現(xiàn)小型化、高密度互連

3D封裝的關(guān)鍵技術(shù)

4,、重布線層(RDL)技術(shù)

在芯片表面沉積金屬層形成新導(dǎo)線

重新布局IO端口

實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的靈活連接

與TSV配合：TSV負(fù)責(zé)Z軸,，RDL負(fù)責(zé)X-Y平面

四、扇入/扇出型晶圓級封裝

1,、扇入型(Fan-In WLP)：

直接在晶圓上封裝后切割

封裝尺寸=芯片尺寸

2,、扇出型(Fan-Out WLP)：

先切割后重新布置到人工載板

封裝尺寸>芯片尺寸

可提供更多IO接口

五、封裝測試設(shè)備介紹

在封裝測試環(huán)節(jié),，各種精密設(shè)備發(fā)揮著關(guān)鍵作用,。以科準(zhǔn)測控的Beta S100推拉力測試機(jī)為例：

Beta-S100自動推拉力測試機(jī)是一款專業(yè)用于微電子封裝測試領(lǐng)域的高精度動態(tài)測試儀器。該設(shè)備主要應(yīng)用于：

1,、核心測試功能

引線鍵合焊接強(qiáng)度測試

焊點(diǎn)與基板粘接力測試

失效分析研究

2,、典型測試項(xiàng)目

晶片推力測試

金球推力測試

金線拉力測試

3、技術(shù)特點(diǎn)

配備高速力值采集系統(tǒng)

模塊化設(shè)計(jì),，支持自動識別和切換測試模組

量程可自由切換

操作簡便的專用軟件系統(tǒng)

這類設(shè)備對于確保封裝質(zhì)量,、提高產(chǎn)品可靠性至關(guān)重要，是封測廠的核心裝備之一,。

對于初入半導(dǎo)體行業(yè)的從業(yè)者和技術(shù)愛好者而言,，掌握基礎(chǔ)的封裝概念和技術(shù)原理，是深入了解這個領(lǐng)域的重要第一步,。希望本文能夠幫助您建立起對芯片封裝技術(shù)的基本認(rèn)知框架,。

科準(zhǔn)測控作為專業(yè)的測試設(shè)備提供商，將持續(xù)關(guān)注封裝測試領(lǐng)域的zui技新術(shù)發(fā)展,。我們的Beta-S100自動推拉力測試機(jī)等專業(yè)設(shè)備,，已廣泛應(yīng)用于：金絲鍵合可靠性分析,、焊點(diǎn)強(qiáng)度測試、封裝失效分析等多個關(guān)鍵質(zhì)量檢測環(huán)節(jié),。

如需了解更多關(guān)于：

? 鍵合絲拉力測試標(biāo)準(zhǔn)

? 推拉力測試機(jī)操作規(guī)范

? 焊接強(qiáng)度測試方法

? 各類封裝測試解決方案

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