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蘇州科準(zhǔn)測(cè)控有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第4年

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從標(biāo)準(zhǔn)到實(shí)踐:ASTM F1269指導(dǎo)下的球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試方法解析

時(shí)間:2025/4/25閱讀:239
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在當(dāng)今高速發(fā)展的微電子封裝和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,,球形凸點(diǎn)(如焊球、導(dǎo)電膠凸點(diǎn),、銅柱凸點(diǎn)等)作為芯片與基板互連的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),,其機(jī)械可靠性直接影響產(chǎn)品的使用壽命和性能表現(xiàn)。隨著封裝技術(shù)向高密度,、微型化方向發(fā)展,,凸點(diǎn)尺寸不斷縮小(部分已降至50μm以下),,這對(duì)剪切力測(cè)試技術(shù)提出了更高要求,。

ASTM F1269標(biāo)準(zhǔn)作為國(guó)際通用的球形凸點(diǎn)機(jī)械測(cè)試規(guī)范,為行業(yè)提供了科學(xué)的測(cè)試方法,??茰?zhǔn)測(cè)控憑借多年材料力學(xué)測(cè)試經(jīng)驗(yàn),結(jié)合推拉力測(cè)試機(jī),,開(kāi)發(fā)了一套完整的球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試解決方案,。本文將系統(tǒng)性地介紹測(cè)試原理、設(shè)備選型,、標(biāo)準(zhǔn)解讀,、操作技巧及典型應(yīng)用案例,為工程師提供實(shí)用的技術(shù)參考,。

一,、測(cè)試原理

球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試通過(guò)施加平行于基板方向的力,直至凸點(diǎn)發(fā)生斷裂或脫落,,記錄zui大剪切力值,。該測(cè)試可評(píng)估以下關(guān)鍵指標(biāo):

剪切強(qiáng)度:zui大剪切力與凸點(diǎn)橫截面積的比值(單位:MPa)。

失效模式:界面斷裂(粘接失效),、凸點(diǎn)內(nèi)聚斷裂或混合失效,。

工藝一致性:多組凸點(diǎn)剪切力的離散性分析。

ASTM F1269標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)試速度,、刀具幾何形狀及數(shù)據(jù)采集要求,,確保測(cè)試條件的一致性。

二,、測(cè)試目的

1,、球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試的意義

可靠性評(píng)估:量化凸點(diǎn)與基板/芯片的結(jié)合強(qiáng)度

工藝優(yōu)化:比較不同焊接/固化工藝的質(zhì)量差異

失效分析:識(shí)別界面斷裂、內(nèi)聚斷裂等失效模式

壽命預(yù)測(cè):為熱循環(huán)可靠性提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)

2剪切力測(cè)試的力學(xué)模型

根據(jù)彈性力學(xué)理論,,球形凸點(diǎn)剪切過(guò)程可分為三個(gè)階段:

彈性變形階段:力-位移呈線性關(guān)系

塑性變形階段:材料發(fā)生屈服

斷裂階段:界面或凸點(diǎn)本體破壞

從標(biāo)準(zhǔn)到實(shí)踐:ASTM F1269指導(dǎo)下的球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試方法解析

三,、測(cè)試工具和儀器

1、Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)

A,、設(shè)備介紹

從標(biāo)準(zhǔn)到實(shí)踐:ASTM F1269指導(dǎo)下的球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試方法解析

Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)是專(zhuān)為微電子封裝設(shè)計(jì)的精密力學(xué)測(cè)試設(shè)備,,常見(jiàn)的測(cè)試有晶片推力、金球推力,、金線拉力等,,采用高速力值采集系統(tǒng)。根據(jù)測(cè)試需要更換相對(duì)應(yīng)的測(cè)試模組,系統(tǒng)自動(dòng)識(shí)別模組,,并自由切換量程,。產(chǎn)品軟件操作簡(jiǎn)單方便,適用于半導(dǎo)體IC封裝測(cè)試,、LED 封裝測(cè)試,、光電子器件封裝測(cè)試、PCBA電子組裝測(cè)試,、汽車(chē)電子,、航空航天、jun工等等,。亦可用于各種電子分析及研究單位失效分析領(lǐng)域以及各類(lèi)院校教學(xué)和研究,。

2、推刀

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3,、常用工裝夾具

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四,、測(cè)試流程

步驟一、樣品準(zhǔn)備

將帶有球形凸點(diǎn)的樣品(如BGA芯片)固定在測(cè)試平臺(tái),,確?;逅健?/span>

使用光學(xué)系統(tǒng)定位目標(biāo)凸點(diǎn),,調(diào)整刀具高度至凸點(diǎn)高度的50%~70%處(ASTM F1269推薦),。

步驟二、儀器設(shè)置

選擇ASTM F1269測(cè)試模板,,設(shè)置參數(shù):

測(cè)試速度:50~500μm/s(依材料調(diào)整,,默認(rèn)100μm/s),。

剪切方向:平行于基板,,刀具與凸點(diǎn)側(cè)壁接觸。

終止條件:力值下降80%(凸點(diǎn)wan全剝離),。

步驟三,、執(zhí)行測(cè)試

啟動(dòng)測(cè)試機(jī),刀具勻速推進(jìn),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)力值變化,。

記錄zui大剪切力(Fmax)及失效位置(界面或凸點(diǎn)內(nèi)部),。

步驟四、數(shù)據(jù)分析

計(jì)算剪切強(qiáng)度:

從標(biāo)準(zhǔn)到實(shí)踐:ASTM F1269指導(dǎo)下的球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試方法解析

統(tǒng)計(jì)分析同一批次凸點(diǎn)的強(qiáng)度分布,,評(píng)估工藝穩(wěn)定性,。

步驟五、報(bào)告輸出

生成包含以下內(nèi)容的測(cè)試報(bào)告:

zui大剪切力,、剪切強(qiáng)度,、失效模式。

-位移曲線及光學(xué)顯微鏡失效圖像,。

五,、應(yīng)用案例

某半導(dǎo)體廠商采用Alpha W260測(cè)試錫銀焊球(直徑200μm),發(fā)現(xiàn)部分凸點(diǎn)剪切力低于標(biāo)準(zhǔn)值,。經(jīng)分析為回流焊溫度不足導(dǎo)致界面結(jié)合不良,,優(yōu)化后剪切強(qiáng)度提升35%

以上就是小編介紹的有關(guān)球形凸點(diǎn)剪切力測(cè)試相關(guān)內(nèi)容了,,希望可以給大家?guī)?lái)幫助,!如果您還想了解更多關(guān)于電阻推力圖片、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),、測(cè)試方法和測(cè)試原理,,推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解,使用步驟及注意事項(xiàng),、作業(yè)指導(dǎo)書(shū),,原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻,,推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范,、使用方法和測(cè)試視頻 ,焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題,,歡迎您關(guān)注我們,,也可以給我們私信和留言,【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻,、晶圓,、硅晶片、IC半導(dǎo)體,、BGA元件焊點(diǎn),、ALMP封裝、微電子封裝,、LED封裝,、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案,。



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