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目錄:深圳市唯銳科技有限公司>>外延晶圓系列>>III-V族外延晶圓生長>> III-V族外延晶片

III-V族外延晶片
  • III-V族外延晶片
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 深圳市
屬性

供貨周期:兩周 應(yīng)用領(lǐng)域:環(huán)保,化工

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更新時(shí)間:2024-10-09 16:57:44瀏覽次數(shù):1727評(píng)價(jià)

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供貨周期 兩周 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工
III-V族外延晶圓是MCT/InAs/InAsSb探測(cè)器的設(shè)計(jì)者和制造商,,提供低溫制冷的紅外探測(cè)器,、III-V族外延片,,覆蓋1-16μm光譜范圍,同時(shí)提供探測(cè)器模塊,、前置放大器,、TEC溫控等組件和解決方案,。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓,。

III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年,,擁有一支超過30年紅外探測(cè)器研究經(jīng)驗(yàn)的資深專家隊(duì)伍,是MCT/InAs/InAsSb探測(cè)器的設(shè)計(jì)者和制造商,,提供低溫制冷的紅外探測(cè)器,、III-V族外延片,覆蓋1-16μm光譜范圍,,同時(shí)提供探測(cè)器模塊、前置放大器,、TEC溫控等組件和解決方案,。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。

產(chǎn)品介紹

VIGO的ENT外延部門生產(chǎn)III-V(GaAs-,,InP-)相關(guān)的半導(dǎo)體化合物,,在外延方面有35年的經(jīng)驗(yàn),并且能夠根據(jù)客戶需求提供定制服務(wù),。VIGO利用MOCVD外延技術(shù)制備了二元,、三元、四元和五元三-五元化合物半導(dǎo)體的原子工程外延層,,具有德國柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產(chǎn)系統(tǒng),,擁有水平層流反應(yīng)器,進(jìn)行基片載流子的多次旋轉(zhuǎn)產(chǎn)品,。這條新產(chǎn)品線擴(kuò)展了VIGO公司的產(chǎn)品組合,,為各種微電子和光子應(yīng)用提供外延服務(wù),下游的應(yīng)用包含三極管,,二極管,,激光器,,探測(cè)器等。具有以下特點(diǎn):

  • 外延納米技術(shù),,超越單一技術(shù)解決方案

  • 大規(guī)模生產(chǎn)或小批量制造,,提供多類優(yōu)質(zhì)外延片

  • 生產(chǎn)的高級(jí)III-V族化合物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu),被廣泛運(yùn)用于光子設(shè)備(F-P,、VCSEL,、QCL激光器、光電探測(cè)器),、微電子設(shè)備(二極管,、晶體管)

  • 聚焦無線、電信,、傳感或打印領(lǐng)域的高度創(chuàng)新型產(chǎn)品,,可提供全面的研發(fā)服務(wù)。

III-V族外延晶片主要特點(diǎn)

  • 超高純度

  • 精確控制厚度在±1nm

  • 優(yōu)秀的均勻性

  • 重現(xiàn)性

  • 可外延尺寸 2, 3, 4,,8英寸

產(chǎn)品性能

XRD曲線:

產(chǎn)品純度一致性:

表面粗糙度:

量子井:

產(chǎn)品應(yīng)用

半導(dǎo)體類型:

  • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,,被動(dòng)器件,高遷移率晶體管

  • EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

  • LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

  • InGaAs, AlGaAs探測(cè)器,SWIR, LWIR

外延晶圓類型:

  • GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

  • InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y

 

GAAS BASED PRODUCTS INP BASED PRODUCTS
AlGaAs/GaAs QW edge emitting lasers

 

VCSELs

FETs, HEMTs, Schottky diodes

varactors

InGaAsP/InP strained or matched QW edge emitting
lasers and SOAs 1300 – 1600nm
GaAsP/GaAs strained QW edge emitting lasers InGaAs/InP QW edge emitting lasers
InGaAsP/GaAs QW lasers 808nm InGaAsP/InP VCSEL structures
InGaAs/AlGaAs/GaAs strained QW lasers InAlGaAs/InP edge emitting and VCSEL structures
InAs/GaAs QD lasers InGaAsP/InP passive devices
AlGaAs/GaAs passive waveguides InGaAs photodetectors
Manufactured to specification InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
Manufactured to specification

 

 

 

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