CCP等離子刻蝕機(jī)(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領(lǐng)域的設(shè)備，用于對半導(dǎo)體器件,、光學(xué)元件,、生物芯片等材料進(jìn)行精細(xì)加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術(shù),，通過將氣體放電產(chǎn)生等離子體,，利用等離子體中的離子和自由基對材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理刻蝕。工作原理：
1.將氣體(如氟化氣體)引入反應(yīng)室,，通過射頻(RF)功率源或微波源等方式對氣體進(jìn)行放電,。放電過程中產(chǎn)生的電場和能量激發(fā)氣體分子，形成等離子體,。
2.氣體分子被激發(fā)成離子,、電子和自由基等活性物種。這些活性物種對材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，如氟化,、氧化、硅化等,，從而改變表面化學(xué)性質(zhì),。
3.離子和自由基對材料表面施加能量，導(dǎo)致材料表面原子或分子的脫除,。這種物理刻蝕過程使材料表面逐漸被剝離,，實現(xiàn)對材料的精細(xì)加工和圖案定義。
4.通過控制氣體種類,、放電功率,、反應(yīng)室壓力等參數(shù)，可以實現(xiàn)對不同材料的選擇性刻蝕,。例如,，可以實現(xiàn)對硅、氮化硅,、氧化硅等材料的選擇性刻蝕,。
5.通常還配備真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng),、氣體流控制系統(tǒng)等輔助功能,，以確保刻蝕過程的穩(wěn)定性和可控性。
CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計的高性價比CCP等離子體系統(tǒng),。作為一個多功能系統(tǒng),，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝,。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小,，業(yè)的機(jī)械設(shè)計與優(yōu)化的自動化操作軟件使該設(shè)備操作簡便、安全,，且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳,。
CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造,、光學(xué)器件制造,，生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場產(chǎn)生等離子體,，在等離子體的作用下將材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理碰撞,，從而實現(xiàn)對材料的刻蝕。
CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH刻蝕系統(tǒng)通過電容耦合(CCP)方式產(chǎn)生高密度等離子體,，按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形,、實現(xiàn)對介質(zhì)材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕,。
CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成：反應(yīng)腔室,、下電 、噴淋頭(上電),、射頻電源,、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室,、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件,、配套附件等,。
WINETCH等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點：
-刻蝕形貌好、工藝性能*
-高選擇比,、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
WINETCH等離子刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù)：
晶圓尺寸：6/8寸兼容
適用工藝：等離子體刻蝕
適用材料：SiO2,，Si3N4，etc.適用域:化合物半導(dǎo)體,、MEMS,、功率器件、科研等域
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