介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷,、電容器等陶瓷的一項重要的物理性質(zhì),。LDJD-B介電常數(shù)測定儀 介質(zhì)損耗 Q表通過測定介質(zhì)損耗角正切(tanδ)及介電常數(shù)(ε)可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù),。

試驗原理

按照物質(zhì)電結構的觀點,，任何物質(zhì)都是由不同性的電荷構成，而在電介質(zhì)中存在原子,、分子和離子等,。當固體電介質(zhì)置于電場中后，固有偶極子和感應偶極子會沿電場方向排列,，結果使電介質(zhì)表面產(chǎn)生等量異號的電荷,，即整個介質(zhì)顯示出一定的極性，這個過程稱為極化,。極化過程可分為位移極化,、轉(zhuǎn)向極化、空間電荷極化以及熱離子極化,。對于不同的材料,、溫度和頻率，各種極化過程的影響不同,。

介電系數(shù)是電介質(zhì)的一個重要性能指標,。在絕緣技術中，特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)儲能材料時,，都需要考查電介質(zhì)的介電系數(shù),。此外，由于介電系數(shù)取決于極化,，而極化又取決于電介質(zhì)的分子結構和分子運動的形式,。所以，通過介電常數(shù)隨電場強度,、頻率和溫度變化規(guī)律的研究還可以推斷絕緣材料的分子結構,。

陶瓷等介質(zhì)在電場作用下由于漏導、極化等各種因素造成電能損耗而轉(zhuǎn)成熱能散失的現(xiàn)象，稱為介質(zhì)損耗,。絕緣材料中，介質(zhì)損耗的大小通常用介質(zhì)損耗角正切(tanδ)來表示,。

介電常數(shù)(ε)的意義則是由某一電介質(zhì)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量C與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量C,。之比值，即e=C/Co,。介質(zhì)損耗對于用在高壓裝置,、高頻設備，特別是用在高壓,、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義,。介質(zhì)損耗過大，不僅降低整機的性能,，甚至會造成絕緣材料的熱擊穿,。

裝置瓷的介電常數(shù)太大，會導致產(chǎn)生不必要的雜散電容,，影響整機的質(zhì)量,。而電容器陶瓷則需要高的介電常數(shù)以使器件重量輕、體積小,、電容量大,。

介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)的測定，主要用電橋或諧振電路的原理進行,。LDJD-B介電常數(shù)儀是常用來測量tanδ和ε的儀器,。它由高頻振蕩器、高頻信號監(jiān)視裝置,、測試回路,、真空管伏特計及電源等部分組成。

Q表工作原理

基于Q表的諧振法原理,，利用串聯(lián)或并聯(lián)法(即把被測元件接入電感端或電容端)能用Q表測量電感線圈的Q值,、電感量、電容的有效電容,、分布電感,、介質(zhì)損耗和介電常數(shù)等性能數(shù)據(jù)。

LDJD系列介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

試驗儀器

LDJD-B介電常數(shù)測定儀 介質(zhì)損耗 Q表裝置見上圖,。

（1）頻率范圍及刻度誤差

范圍：10kHz～110MHz,，精度3×10-5 ±1個字，6位有效數(shù)字,，采樣精度11BIT,；

Q值測量范圍：1～1000自動/手動量程；Q值分辨率0.1，4位有效數(shù)字,；Q值測量工作誤差＜5%,；

電感測量范圍及誤差：1nH～8.4H，分辨率0.1nH,，測量誤差＜3%,，自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能；

材料測試厚度：0.1mm~10mm（薄膜類試樣可采取多層貼合的方式）

試樣尺寸：φ38mm或φ50mm

測試夾具

注意事項

(1)陶瓷材料圓片形試樣的尺寸[φ=(38±1)mm,，d=(2士0.5)mm]要符合公差要求,，兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術條件,；

(2)電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡,，所以測定時，電壓或頻率要求穩(wěn)定,，電壓變動不得大于1%,，頻率變動不得大于0.5%；

(3)電極與試樣的接觸情況,，tanδ測試結果有很大影響,，因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻,，而厚度適當,；

(4)試樣吸濕后，測得的tanδ值增大,，影響測量精度,，應嚴格避免試樣吸潮。