日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需最大300萬倍穩(wěn)定觀察的*半導體器件,，高分辨成像所設計,。

新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能,。

0.4nm / 30kV（SE）

1.2nm / 1kV（SE）

0.34nm / 30kV（STEM）

用改良的高真空性能和電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。

日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,，高效,，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號,。

核心參數(shù)
價格區(qū)間：500萬-700萬
電子槍種類：冷場發(fā)射
二次電子圖象分辨率：0.4nm@30kV,1.2nm@1kV
放大倍數(shù)：220~8,000,000
加速電壓：0.5~30kV