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HT-391手持式四探針方阻測試儀

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更新時間:2023-04-11 14:38:15瀏覽次數(shù):485

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產(chǎn)品簡介

應用領域 綜合
HT-391手持式四探針方阻測試儀參照硅片電阻率測量的標準(ASTM F84);GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》,;GB/T 1551-1995《硅,、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》,;GB/T 1552-1995《硅,、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》,采集集成電路恒流源系統(tǒng),,可充電式電源系統(tǒng),,上下限設定,。

詳細介紹

HT-391手持式四探針方阻測試儀參照硅片電阻率測量的標準(ASTM F84);GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》,;GB/T 1551-1995《硅,、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》;GB/T 1552-1995《硅,、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》,,采集集成電路恒流源系統(tǒng),可充電式電源系統(tǒng),,上下限設定,。


HT-391手持式四探針方阻測試儀功能介紹:

手持式外型結構,適用于車間生產(chǎn),、品管抽檢,,外出攜帶測量的場所;也適用于中小型半導體材料生產(chǎn)企業(yè).


HT-391手持式四探針方阻測試儀參數(shù)資料:

規(guī)格型號

HT-391A

HT-391B

HT-391C

1.方塊電阻范圍

10~2.00×102Ω/□

10~2.00×103Ω/□

10~2.00×104Ω/□

2.電阻率范圍

1~2×103Ω-cm

1~2×104Ω-cm

1~2×105Ω-cm

3.分辨率

0.01Ω

0.01Ω

0.01Ω

4.顯示讀數(shù)

液晶顯示:電阻率,、方阻,、單位換算、電流,、電壓,、探針形狀、探針間距,、厚度

5.測試方式

單電測量

6.工作電源

5V.1000mA

7. 誤差

≤4.5%(標準樣片結果)

8.選配

選配1.方形探頭,; 選配2.直線形探頭;探針間距,;選配3:探針間距1mm,;2mm;3mm三種規(guī)格; 選配4:探針材質:碳化鎢針;鍍金磷銅半球形針


參數(shù)資料

規(guī)格型號

HT-392A

HT-392B

HT-392C

1.方塊電阻范圍

0.1~2.00×102Ω/□

0.1~2.00×103Ω/□

0.1~2.00×104Ω/□

2.電阻率范圍

0.01~2×103Ω-cm

0.01~2×104Ω-cm

0.01~2×105Ω-cm

3.分辨率

0.01Ω

0.01Ω

0.01Ω

4.顯示讀數(shù)

液晶顯示:電阻率,、方阻,、單位換算、電流,、電壓,、探針形狀、探針間距,、厚度

5.測試方式

單電測量

6.工作電源

5V.1000mA

7. 誤差

≤4.5%(標準樣片結果)

8.選配

選配1.方形探頭,; 選配2.直線形探頭;探針間距,;選配3:探針間距1mm,;2mm;3mm三種規(guī)格; 選配4:探針材質:碳化鎢針;鍍金磷銅半球形針


HT-393系列手持式方塊電阻測試儀

技術參數(shù)資料

規(guī)格型號

HT-393A

HT-393B

HT-393C

1.方塊電阻范圍

0.01~2.00×102Ω/□

0.01~2.00×103Ω/□

0.01~2.00×104Ω/□

2.電阻率范圍

0.001~2×103Ω-cm

0.001~2×104Ω-cm

0.001~2×105Ω-cm

3.分辨率

0.001Ω

0.001Ω

0.001Ω

4.顯示讀數(shù)

液晶顯示:電阻率、方阻,、單位換算,、電流,、電壓,、探針形狀,、探針間距,、厚度

5.測試方式

單電測量

6.工作電源

5V.1000mA

7.誤差

≤4.5%(標準樣片結果)

8.選配

選配1.方形探頭,; 選配2.直線形探頭,;探針間距,;選配3:探針間距1mm;2mm,;3mm三種規(guī)格; 選配4:探針材質:碳化鎢針;鍍金磷銅半球形針


HT-394系列手持式四探針電阻率測試儀

技術參數(shù)資料

規(guī)格型號

HT-394A

HT-394B

HT-394C

1.方塊電阻

0.001~2.00×102Ω/□

0.001~2.00×103Ω/□

0.001~2.00×104Ω/□

2.電阻率

0.0001~2×103Ω-cm

0.0001~2×104Ω-cm

0.0001~2×105Ω-cm

3.分辨率

0.001Ω

0.001Ω

0.001Ω

4.顯示讀數(shù)

液晶顯示:電阻率,、方阻、單位換算,、電流,、電壓、探針形狀,、探針間距,、厚度

5.測試方式

單電測量

6.工作電源

5V.1000mA

7.誤差

≤4.5%(標準樣片結果)

8.選配

選配1.方形探頭; 選配2.直線形探頭,;探針間距,;選配3:探針間距1mm;2mm,;3mm三種規(guī)格; 選配4:探針材質:碳化鎢針;鍍金磷銅半球形針


適用范圍:

1.覆蓋膜;導電高分子膜,,高、低溫電熱膜;隔熱,、導電窗膜 導電(屏蔽)布,、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽,、合金類箔膜;熔煉,、燒結、濺射,、涂覆,、涂布層,電阻式,、電容式觸屏薄膜;電極涂料,,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試

2.硅晶塊,、晶片電阻率及擴散層,、外延層、ITO導電箔膜,、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓,、太陽能電池、電子元器件,,導電薄膜(ITO導電膜玻璃等),,金屬膜,導電漆膜,,蒸發(fā)鋁膜,,PCB銅箔膜,

3.EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率  導電性油漆,,導電性糊狀物,,導電性塑料,導電性橡膠,,導電性薄膜,,金屬薄膜,

4.抗靜電材料,, EMI 防護材料,,導電性纖維,導電性陶瓷等,,


功能描述:

1. 四探針單電測量方法

2. 液晶顯示,,自動測量,自動量程,,自動系數(shù)補償.

3. 集成電路系統(tǒng),、恒流輸出.

4. 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇


參照標準:

1.硅片電阻率測量的標準(ASTM F84).

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅,、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》



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