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拉薩雷迪司LADIS蓄電池MF12-200 12V200AH

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更新時間:2018-06-22 14:45:38瀏覽次數(shù):385

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產(chǎn)品簡介

供貨周期 現(xiàn)貨 規(guī)格 鉛酸蓄電池
貨號 TI9685522 主要用途 直流屏蓄電池
拉薩雷迪司LADIS蓄電池MF12-200 12V200AH
雷迪司(LADIS)是杭州藍光電子有限公司旗下品牌 公司成立于2001年,致力于提供高效節(jié)能的電源解決方案,,幫助用戶更好的管理電力

詳細介紹

拉薩雷迪司LADIS蓄電池MF12-200 12V200AH

雷迪司(LADIS)是杭州藍光電子有限公司旗下品牌 公司成立于2001年,,致力于提供高效節(jié)能的電源解決方案,幫助用戶更好的管理電力,。公司設(shè)立在美國科羅拉州的研發(fā)機構(gòu)AMERICA LADIS ELECTRONICS CO. LTD(美國雷迪司電子有限公司)致力于研發(fā)安全穩(wěn)定,、高效節(jié)能、綠色環(huán)保的電源產(chǎn)品,,同時著力成本控制,,用**性價比的產(chǎn)品為用戶節(jié)省投入。
公司先后在北京,、上海,、杭州、成都,、深圳,、西安、長沙、武漢,、南寧,、昆明、溫州,、寧波,、重慶、沈陽,、濟南,、呼和浩特、蘭州,、西寧成立分支機構(gòu),,提供新品倉儲和換機備品庫,保證及時供貨和售后,。目的在全國各省份城市成立倉儲和換機備品庫,,各地級市成立售后服務(wù)站提供上門安裝與售后,終成為用戶家門口的電源服務(wù)商,。

 

雷迪司LADIS蓄電池應(yīng)用領(lǐng)域與分類:雷迪司蓄電池現(xiàn)貨供應(yīng)
◆ 免維護無須補液,;          ● UPS不間斷電源;
◆ 內(nèi)阻小,,大電流放電性能好,;     ● 消防備用電源;
◆ 適應(yīng)溫度廣,;            ● 安全防護報*系統(tǒng),;
◆ 自放電小,;             ● 應(yīng)急照明系統(tǒng),;
◆ 使用壽命長;            ● 電力,,郵電通信系統(tǒng),;
◆ 荷電出廠,使用方便,;        ● 電子儀器儀表,;
◆ 安全防爆;             ● 電動工具,電動玩具,;
◆ *配方,,深放電恢復(fù)性能好;    ● 便攜式電子設(shè)備,;
◆ 無游離電解液,,側(cè)倒仍能使用,;    ● 攝影器材,;
◆ 產(chǎn)品通過CE,ROHS認證,所有電池    ● 太陽能,、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng);
符合**標(biāo)準(zhǔn),?!           ?**自行車、紅綠*示燈等,。

雷迪司LADIS閥控式密封免維護鉛酸蓄電池規(guī)格型號參數(shù)

型號

電壓(V)

容量(AH)

重量(KG)

外型尺寸(mm)

總高

MF12-7

12

7

2.7

151

65

94

101

MF12-17

12

17

5.6

180

77

167

167

MF12-24

12

24

7.5

165

125

175

180

MF12-38

12

38

14.5

197

165

175

180

MF12-65

12

65

21

350

166

175

175

MF12-100

12

100

30

407

173

210

236

MF12-150

12

150

42

483

170

239

240

MF12-200

12

200

55

522

240

219

244

 

 

 

 

雷迪司LADIS蓄電池產(chǎn)品特點

1,、采用緊裝配技術(shù),具有優(yōu)良的高率放電性能,。

2,、采用特殊的設(shè)計,電池在使用過程中電液量幾乎不會減少,,使用壽命期間*無需加水,。

3、采用*的耐腐蝕板柵合金,、使用壽命長,。雷迪司蓄電池廠價直銷

4、全部采用高純原材料,,電池自放電極小,。

5、采用氣體再化合技術(shù),,電池具有*的密封反應(yīng)效率,,無酸霧析出,安全環(huán)保,,無污染,。

6、采用特殊的設(shè)計和高可靠的密封技術(shù),,確保電池密封,,使用安全、可靠,。

 

密封性

采用電池槽蓋,、極柱雙重密封設(shè)計,防止漏酸,,可靠的安全閥可防止外部空氣和塵埃進入電池內(nèi)部,。

 

免維護

H2O再生能力強,密封反應(yīng)效率高,,吸附式玻璃纖維棉技術(shù)使氣體符合效率高達99%,,使電解液具有免維護功能,,因此電池在整個使用過程中無需補水或補酸維護。

安全可靠

正常使用下無電解液漏出,電池外殼無膨脹及破裂現(xiàn)象,,要求選擇蓄電池電壓必須與逆變器直流輸入電壓*,。例如,12V 逆變器必須選擇12V蓄電池,。電池內(nèi)部裝有特制安全閥和**裝置,,能有效隔離外部火花 ,不會引起電池內(nèi)部發(fā)生爆炸,,使電池在整個使用過程中更加安全可靠,。

長壽命設(shè)計

通過計算機精密設(shè)計的耐腐蝕鈣鉛錫等多元合金板柵,ABS耐腐蝕材料外殼,,高強度緊裝配工藝,,提高電池裝配緊度,防止活物質(zhì)脫落,提高電池使用壽命,,增多酸量設(shè)計,,確保電池不會因電解液枯竭而導(dǎo)致電池使用壽命縮短。

性能高

(1) 重量,、體積小,,能量高,內(nèi)阻小,,輸出功率大,。

(2) 充放電性能高。采用高純度原料和特殊制造工藝,,自放電控制在每個月2%以下,,室溫(25℃)儲存半年以上仍可正常使用。

(3) 恢復(fù)性能好,,在深放電或者充電器出現(xiàn)故障時,,短路放置30天后,仍可充電恢復(fù)其容量,。

(4) 無需均衡充電,。由于單體電池的內(nèi)阻、容量,、浮充電壓*性好,, 選擇高頻機必然要從三個方面進行:性能、價格和售后,。確保電池在浮充狀態(tài)下無需均衡充電,。

拉薩雷迪司LADIS蓄電池MF12-200 12V200AH

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雷迪司蓄電池運行檢查和記錄
⒈電池投入運行后,應(yīng)至少每季測量浮充電壓和開路電壓一次,,并作記錄:每個單體電池浮充電壓或開路電壓值,;
⒉蓄電池系統(tǒng)的端電壓(總壓),;
⒊環(huán)境溫度。
⒋每年應(yīng)檢查一次連接導(dǎo)線是否有松動和腐蝕污染現(xiàn)象,,松動的導(dǎo)線必須及時擰緊,,腐蝕污染的接頭應(yīng)及時作清潔處理。
⒌運行中,,如發(fā)現(xiàn)以下異常情況,,應(yīng)及時查找故障原因,并更換故障的蓄電池:
⒍電壓異常,;
⒎物理性損傷(殼、蓋有裂紋或變形),; ⒏電池液泄漏,;
⒐溫度異常。

凡在本公司購買UPS蓄電池及電源設(shè)備的用戶,,本公司均備有用戶檔案,,設(shè)備到達用戶現(xiàn)場后,根據(jù)雙方所協(xié)商的安裝時間,, 公司將派專門人員到達現(xiàn)場對UPS不間斷電源設(shè)備進行免費的安裝調(diào)試工作,。
-----凡用戶在本公司購買的UPS蓄電池設(shè)備,主機均享有二年的免費保修服務(wù),,電池享有三年免費保換服務(wù),。在保修期內(nèi),在滿足使用環(huán)境和使用條件及按規(guī)范操作的情況下,,對UPS蓄電池發(fā)生故障和器件損壞等意外情況時,,對損壞的器件和故障進行免費的更換和檢修維護。雷迪司蓄電池12V7AH免維護蓄電池

據(jù)CNBC報道,,雖然美國商務(wù)部在6月7日與中興達成新的和解協(xié)議,,中興也做出了繳納10億美元的罰款,并在30天內(nèi)更換董事會和管理層等一系列慘痛代價,。但19日卻又出現(xiàn)了逆轉(zhuǎn),,美國參議院通過了《國防授權(quán)法案》其中有一項是繼續(xù)對中興實施制裁的條款;不過,,此法案仍在醞釀之中,,雖然不知道是否會出現(xiàn)在終版本中,但中興事件暴露的主要問題是核心技術(shù)和源頭技術(shù)創(chuàng)新不夠,。而隨著5G技術(shù)和人工智能的發(fā)展,,以及半導(dǎo)體產(chǎn)能的第三次轉(zhuǎn)移,中國的潛力不可低估,。這是某國所不能容忍的,,所以變著法卡住七寸整中興也就不奇怪了,。

  中興之后,國產(chǎn)芯片布局反思與應(yīng)對

  據(jù)統(tǒng)計體行業(yè)已經(jīng)形成超過4000億美元的龐大產(chǎn)業(yè)規(guī)模,,而僅去年我國半導(dǎo)體市場的規(guī)模就達16860億元,,占*的60%左右。而面對如此巨大的占有率,,我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就像國足一樣,,在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中沒有話語權(quán)。當(dāng)前,,中美貿(mào)易糾紛和中興事件等再次暴露我國集成電路的短板問題,,我國雖然整機和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,但信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)缺乏,,特別是芯片產(chǎn)業(yè),。

  不過,隨著中興事件的警醒,,芯片相關(guān)領(lǐng)域,,已經(jīng)有大型企業(yè)加入,加大對基礎(chǔ)研究和科研人才的投入,。

  人工智能芯片領(lǐng)域獨角獸企業(yè)寒武紀科技已經(jīng)完成數(shù)億美元的B輪融資,。在終端領(lǐng)域,寒武紀以處理器IP授權(quán)的形式與*同行共享新的技術(shù)成果,,幫助客戶能夠快速設(shè)計和生產(chǎn)具備人工智能處理能力的芯片產(chǎn)品,。

  芯片行業(yè),阿里巴巴積極入局,,投資了中天等芯片企業(yè),,有達摩院兩萬名科學(xué)家的,再整合上各個公司的芯片技術(shù),,相信阿里巴巴的芯片就會面試,。此外,華為自主研發(fā)的麒麟芯片,,型號的980也高速進入后商用階段,。

  電科38所*自主設(shè)計,的數(shù)字信號處理器——“魂芯二號A”能在一秒鐘內(nèi)能完成千億次浮點操作運算,,單核性能超過當(dāng)前市場上同類芯片性能4倍,,主要面向軍工領(lǐng)域。紫光收購?fù)顿Y的長江存儲,,已完成量產(chǎn)NAND Flash芯片的準(zhǔn)備,,計劃到2020年把中國芯片制造自產(chǎn)率從 8%提升到40%。

  小結(jié):芯片的研發(fā)不僅僅是硬件的設(shè)計,,還需要軟硬件同時設(shè)計,;產(chǎn)業(yè)涉及的細節(jié)末梢又特別多,,部分環(huán)節(jié)國內(nèi)企業(yè)缺乏足夠的行業(yè)經(jīng)驗。同時技術(shù),、市場,、需求這三點或許才是較值得國內(nèi)芯片企業(yè)關(guān)注的,以用戶的需求為根本出發(fā),,結(jié)合自身產(chǎn)品和技術(shù)的特點,,集中研發(fā)和資金的投入,這才是應(yīng)對之道,。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)哪些經(jīng)驗可以借鑒,?

  我國從五十年代就開始重視半導(dǎo)體布局,但是錯過了六七十年代的黃金發(fā)展期,,半導(dǎo)體行業(yè)的主流企業(yè)大部分都是在六七十年代興起,。上世紀70年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國形成規(guī)模,到80年代開始美國把半導(dǎo)體裝配產(chǎn)業(yè)委托給日本,,為技術(shù)、利潤含量較低的封裝測試環(huán)節(jié),。

  PC產(chǎn)業(yè)逐漸興起,,美國將很多半導(dǎo)體企業(yè)將制造部門及封測部門賣出剝離,或?qū)y試工廠轉(zhuǎn)移至日本等其他地區(qū),,為日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了近20年的繁榮期,,完成了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的*次轉(zhuǎn)移。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也是由此開始逐步積累完善,,并且在某些領(lǐng)域進行趕超,,成就了東芝、松下,、日立等,。

  而日本的半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展也為我們提供了產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗:首先是趕上了半導(dǎo)體行業(yè),特別是儲存器市場的風(fēng)口,。其次,,日本國家專門成立研究機構(gòu),出臺官民合作的政策,,選定了M作為主攻方向,,技術(shù)研究全部轉(zhuǎn)化給了投資聯(lián)盟的企業(yè),企業(yè)以此推出自己更高階的產(chǎn)品并逐漸迭代,,使得日本在DM領(lǐng)域完成了技術(shù)趕超,。

  而隨著集成電路產(chǎn)業(yè)分工逐漸細分,再加上PC產(chǎn)業(yè)的升級,,對DRAM技術(shù)也不斷提升,,日本也在1990年代處于經(jīng)濟泡沫之中,,難以繼續(xù)支撐DRAM技術(shù)升級和晶圓廠建設(shè)的資金需求。韓國,、中國臺灣等地把握住了美,、日半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)由IDM模式拆分為IC設(shè)計公司(Fabless)和晶圓代工廠(Foundry)的時機,著力發(fā)展Foundry產(chǎn)業(yè),,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中獲得重要位置,。韓國更是在此時對DRAM的研發(fā)技術(shù)及產(chǎn)量規(guī)模持續(xù)投入,由此確立了在PC行業(yè)端地位,。

  在這一次制造轉(zhuǎn)移的過程中,,韓國的三星、海力士迅速崛起,,中國臺灣的臺積電也借勢成為了大代工廠,。我國錯過這波之后,市場已經(jīng)被占,,落后之后導(dǎo)致現(xiàn)在再進來非常困難,。但在新興領(lǐng)域,比如人工智能和區(qū)塊鏈芯片的研發(fā)方面具有優(yōu)勢,,應(yīng)該抓住機會大力發(fā)展,。

  小結(jié):隨著電子化進程的開展,憑借低廉的勞動力成本我國在過去的二十多年中獲取了部分國外半導(dǎo)體封裝,、制造等業(yè)務(wù),,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完成了從技術(shù)到人才的原始積累。但我們也要清楚的認識到我國在芯片設(shè)計,、制造等方面存在短板,,尤其是制造環(huán)節(jié)相對較弱,部分核心技術(shù),、關(guān)鍵設(shè)備沒有*掌握,。

  寫在后

  中興事件折射出我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)困境,核心技術(shù)的研發(fā)突破還需自力更生,。美國作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)源地,,在技術(shù)方面一直保持著*水平。芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也依賴周邊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,,包括設(shè)備的供應(yīng),,比如科光機、測試設(shè)備,、晶圓供應(yīng)商等一系列上游供應(yīng),,以及芯片公司和代工工廠等一系列產(chǎn)業(yè)鏈的相互促進。隨著人工智能和區(qū)塊鏈芯片的研發(fā)方面具有優(yōu)勢,以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次規(guī)模轉(zhuǎn)移帶來的技術(shù)轉(zhuǎn)移,,成為了美國,、日本半導(dǎo)體企業(yè)擔(dān)心的問題。

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