Matrix矩陣蓄電池NP55-12 12V55AH報(bào)價(jià)參數(shù)

Matrix矩陣蓄電池產(chǎn)品特點(diǎn)：不需維護(hù)：電池在整個(gè)使用壽命期間不需要加水補(bǔ)液,。可靠性高,、使用壽命長(zhǎng),，特殊的密封結(jié)構(gòu)和阻燃外殼,，在使用過程中不會(huì)產(chǎn)生泄漏電解液的缺陷,。重量,、體積比能量高,，內(nèi)阻小，輸出功率高,。自放電小,，20℃下每月的自放電率不大于2﹪,。

滿荷電出廠，無流動(dòng)的電解液,，運(yùn)輸安全,。無需均衡充電,，由于單體電池的內(nèi)阻,、容量,，浮充電壓*性優(yōu)良,，確保了電池在使用期間,，無需均衡充電,。堅(jiān)固的銅端子,，便于安裝連接,，導(dǎo)電能力強(qiáng)。計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和計(jì)算機(jī)控制主要生產(chǎn)過程,，確保產(chǎn)品性能的*性并達(dá)到設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),。

Matrix矩陣蓄電池適用范圍:

◆　免維護(hù)無須補(bǔ)液；　　　　　　　　　　● UPS不間斷電源,；
◆　內(nèi)阻小，大電流放電性能好,；　　　　　● 消防備用電源,；
◆　適應(yīng)溫度廣；　　　　　　　　　　　　● 安全防護(hù)報(bào)*系統(tǒng),；
◆　自放電小,；　　　　　　　　　　　　　● 應(yīng)急照明系統(tǒng),；
◆　使用壽命長(zhǎng)；　　　　　　　　　　　　● 電力,，郵電通信系統(tǒng),；
◆　荷電出廠，使用方便,；　　　　　　　　● 電子儀器儀表,；
◆　安全防爆；　　　　　　　　　　　　　● 電動(dòng)工具,電動(dòng)玩具,；
◆　*配方,，深放電恢復(fù)性能好；　　　　● 便攜式電子設(shè)備,；
◆　無游離電解液,，側(cè)倒仍能使用；　　　　● 攝影器材,；
◆　產(chǎn)品通過CE,ROHS認(rèn)證,所有電池　　　　● 太陽(yáng)能,、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)；
符合**標(biāo)準(zhǔn),。　　　　　　　　　　　● **自行車,、紅綠*示燈等,。

型號(hào)規(guī)格一覽表

Matrix矩陣蓄電池功能特色：

1）免維護(hù)操作：吸收玻璃墊（AGM）技術(shù),，保證高效的氣體復(fù)合達(dá)99%和自由電解液維護(hù),。電池的預(yù)期壽命期間,，無需檢查電解液比重或加水,。

2）良好的放電能力：緊裝配技術(shù)，保證了良好的高倍率放電性能,。

3）使用壽命長(zhǎng)：一個(gè)*的耐腐蝕板柵合金確保電池使用壽命長(zhǎng),。

4）自放電率低：采用高純度的原材料保證了電池的自放電小,。

5）環(huán)保無污染：氣體復(fù)合技術(shù)保證了電池的高密封反應(yīng)率，可防止酸霧析出,。

6）安全可靠：高效的通風(fēng)系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)釋放多余的氣體,，當(dāng)壓力升高超過正常水平和封裝的閥門時(shí)，它返回到正常速度,，可以保護(hù)電池爆裂,。

Matrix矩陣蓄電池優(yōu)勢(shì)：

1．電池充滿電時(shí)，它的出廠,，無需使用液體充,；

2．有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格

3．高隔斷，吸附力強(qiáng),；

4．是不流動(dòng)的液體（貧液），不漏酸和游離顛倒,，

5．comply環(huán)保要求,，使用方便，

6．采用鉛鈣合金,，電池的自放電非常低,，

7．easy存儲(chǔ)，維護(hù)少,；

8．using ABS塑料外殼和閥門的安全使用技術(shù),。

蓄電池特點(diǎn)

 1.維護(hù)簡(jiǎn)單

充電時(shí)電池內(nèi)部產(chǎn)生的氣體基本被吸收還原成電解液、基本沒有電解液減少

2.持液性高

電解液吸收地特殊的隔板中,，保持不流動(dòng)狀態(tài),，所以即使倒下也可使用。（倒下超過90度以上不能使用）

3.安全性能*

由于過充電操作失誤引起過多的氣體時(shí)可以放出,，防止電池的破裂,。

4.自放電極小

用特殊鉛鈣合金生產(chǎn)板柵，把自放電控制在zui小,。

5.壽命長(zhǎng),、經(jīng)濟(jì)性好

電池的板柵采用耐腐蝕好的特種鉛鈣合金，同時(shí)采用特殊隔板能保住電解液,，再同時(shí)用強(qiáng)力壓緊正板活性物質(zhì),，防止脫落，

所以是一種壽命長(zhǎng),、經(jīng)濟(jì)的電池,。

6.內(nèi)阻小

由于內(nèi)阻小,，大電流放電特性好。

7.深放電后有*的恢復(fù)能力

萬一出現(xiàn)長(zhǎng)期放電,，只要充分充電,，基本不出現(xiàn)容量降低，很快可以恢復(fù)

構(gòu)造特征

 ◎ 高強(qiáng)度ABS塑料電池槽,、蓋,，構(gòu)造緊湊，具有耐沖擊,，抗哆嗦性能好的特征,。◎ 特種鉛基多元合金板柵,，內(nèi)阻小,，耐腐蝕性好，充電承受能力強(qiáng),?！?nbsp;新式極板制作技術(shù)，活性物質(zhì)利用率高,?！?nbsp;優(yōu)異超細(xì)玻璃纖維隔板，大電流放電性能好,?！?nbsp;高純度電解液和分外添加劑，自放電小

Matrix矩陣電池安全使用規(guī)程

一,、電池使用前

蓄電池到達(dá)后,，請(qǐng)先檢查外包裝箱有無異常：

當(dāng)蓄電池到達(dá)使用場(chǎng)所后，請(qǐng)開箱檢查蓄電池的外觀（有無漏酸,、破裂）,，電池?cái)?shù)量是否正確及其配件是否齊全。

二,、安裝使用

請(qǐng)勿在密閉空間或有火源的場(chǎng)合使用蓄電池,；

請(qǐng)勿用 薄膜類有可能引發(fā)靜電的塑料遮蓋電池，產(chǎn)生的靜電 ,；

請(qǐng)勿在低于-40℃或高于50℃的溫度環(huán)境下使用電池（電池使用環(huán)境高于50℃,，請(qǐng)使用高溫系列電池）；

請(qǐng)勿在有可能浸水的場(chǎng)合安裝,、使用蓄電池,；

安裝搬運(yùn)電池過程中，請(qǐng)勿在端子處用力,；

電池在多只串聯(lián)使用時(shí),，請(qǐng)勿按電池標(biāo)識(shí)“+”,、“-” 性依次排列，電池之間的距離不能小于15mm,；

在電池連接過程中,，請(qǐng)戴好防護(hù)手套，使用扭矩扳手等金屬工具時(shí),，請(qǐng)將金屬工具進(jìn)行絕緣包裝,，避免扭矩扳手等金屬工具兩端同時(shí)接觸到電池正、負(fù)端子,，造成電池短路傷人,；

安裝接插式端子的蓄電池時(shí)（FP型號(hào)），請(qǐng)不要改變端子的形狀或位置,，如需改變,，請(qǐng)和我公司。安裝螺栓擰緊式蓄電池時(shí)（LFP,、CFP型號(hào)）,，請(qǐng)用隨電池配件的螺栓母墊圈，緊固連接線時(shí),，使扭矩達(dá)到11.3N.M即可,；

和外接設(shè)備連接之前，使設(shè)備處于斷開狀態(tài),，并再次檢查蓄電池的連接 性是否正確，然后再將蓄電池（組）的正連接設(shè)備的正,，蓄電池（組）的負(fù)連接設(shè)備的負(fù)端,，并緊固好連接線；

若需要電池并聯(lián)使用,，一般不要超過三組（只）并聯(lián),，若要超過請(qǐng)和我公司；

充電電壓循環(huán)使用：2.40-2.50V/單格初始電流不大于0.3CA浮充使用:2.23-2.30V/單格當(dāng)溫度低于15℃或高于35℃時(shí),需對(duì)充電電壓進(jìn)行調(diào)整,標(biāo)準(zhǔn)為±3mV/單格

三,、例行維護(hù)

定期（每三個(gè)月一次）對(duì)運(yùn)行蓄電池進(jìn)行如下檢查或操作：電池組總電壓,，若與電壓規(guī)定值有差異，請(qǐng)校正,；單體電池電壓,；環(huán)境溫度及電池表面溫度；電池組各部位連接線緊固狀態(tài),，如有松動(dòng),，對(duì)其緊固；電池外觀有無異常,；電池端子連接線部位是否清潔,。

Matrix矩陣蓄電池NP55-12 12V55AH報(bào)價(jià)參數(shù)

對(duì)如下異常情況的電池進(jìn)行更換并與我公司：電池外殼破裂,；電池漏液；單只電池充電電壓異常（過高或過低,，比平均值低或高0.15V/單格,；單只電池過熱。

新中國(guó)建國(guó)后的*個(gè)三十年,，我國(guó)計(jì)算機(jī)和集成電路事業(yè)在自主趕超路線的主導(dǎo)和公有制科研,、生產(chǎn)體系的統(tǒng)籌下，從無到有,，初步建立起了獨(dú)立完整的產(chǎn)業(yè)體系,，不斷縮小與日本、美國(guó)的差距,，比韓國(guó)起步早,，發(fā)展快，對(duì)今天的芯片產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)仍有重要的啟示,。

　　對(duì)鋼鐵技術(shù)產(chǎn)業(yè),、電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)都做過專門研究的老一代革命家馬賓（原鞍鋼總、總工程師,，改革開放后歷任冶金工業(yè)部副部長(zhǎng),、國(guó)家進(jìn)出口委員會(huì)副主任、經(jīng)濟(jì)研究中心副總干事等）早在90年代初指出,，“如果說集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心,，那么繼承電路生產(chǎn)的支撐產(chǎn)業(yè)就是電子信息工業(yè)的基礎(chǔ)。”“IC產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng),，實(shí)際上是制造設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)”,，從65-78年，“產(chǎn)業(yè)內(nèi)各行業(yè)是同步發(fā)展的,，并已建立了較完整的設(shè)備,、儀器、材料,、科研,、生產(chǎn)的體系”。

　　1,、科研和生產(chǎn)布局：集中攻關(guān),，遍地開花

　　科研和生產(chǎn)配置方面，早在建國(guó)初期,，1950年抗美援朝戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)后,，為解決電子通信問題，國(guó)家成立電信工業(yè)管理局,，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（京東方前身）,，由民主德國(guó)（東德）提供技術(shù)援助,。酒仙橋還建起了規(guī)模龐大的北京電機(jī)總廠、華北無線電器材聯(lián)合廠（下轄706,、707,、718、751,、797,、798廠）、北京有線電廠（738廠）,、華北光電技術(shù)研究所等單位,。在1952年，中國(guó)便成立了電子計(jì)算機(jī)科研小組,，由當(dāng)時(shí)的數(shù)學(xué)研究所所長(zhǎng)華羅庚負(fù)責(zé),。

　　1956年，中國(guó)提出“向科學(xué)進(jìn)軍”,，國(guó)家制訂了發(fā)展各門*科學(xué)的“十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃”,，把計(jì)算機(jī)列為發(fā)展科學(xué)技術(shù)的重點(diǎn)之一，并籌建了中國(guó)*個(gè)計(jì)算技術(shù)研究所,。根據(jù)國(guó)外發(fā)展電子器件的進(jìn)程,，提出了中國(guó)也要研究發(fā)展半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一,。從半導(dǎo)體材料開始,，自力更生研究半導(dǎo)體器件。為了落實(shí)發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃,，中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所舉行了半導(dǎo)體器件短期訓(xùn)練班,。請(qǐng)回國(guó)的半導(dǎo)體專家內(nèi)昆、吳錫九,、黃敞,、林蘭英,、王守武,、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制技術(shù)和半導(dǎo)體線路,。參加短訓(xùn)班的約100多人,。

　　當(dāng)時(shí)國(guó)家決定由五所大學(xué)-北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué),、吉林大學(xué),、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)半導(dǎo)體物理專來，共同培養(yǎng)*批半導(dǎo)體人才,。五校中zui出名的教授有北京大學(xué)的黃昆,、復(fù)旦大學(xué)的謝希德和吉林大學(xué)的高鼎三,。1957年就有一批畢業(yè)生，其中有現(xiàn)在成為中國(guó)科學(xué)院院士的王陽(yáng)元（北京大學(xué)）,、工程院院士的許居衍（華晶集團(tuán)公司）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺等人,。之后，清華大學(xué)等一批工科大學(xué)也先后設(shè)置了半導(dǎo)體專業(yè),，培養(yǎng)了大批專業(yè)人才,。

　　1958年，上海組建華東計(jì)算技術(shù)研究所,，及上海元件五廠,、上海電子管廠、上海無線電十四廠等企業(yè),。使上海和北京,，成為中國(guó)電子工業(yè)的南北兩大基地。1960年,，中國(guó)科學(xué)院在北京成立半導(dǎo)體研究所,，集中了王守武博士、黃昆博士,、林蘭英博士等著名海外歸國(guó)專家,。同年組建河北半導(dǎo)體研究所（后為中電集團(tuán)第13所），進(jìn)行工業(yè)技術(shù)攻關(guān),。

　　到六十年代初,，中國(guó)半導(dǎo)體器件開始在工廠生產(chǎn)。此時(shí),，國(guó)內(nèi)搞半導(dǎo)體器件的已有十幾個(gè)廠點(diǎn),。當(dāng)時(shí)北方以北京電子管廠為代表，生產(chǎn)了II-6低頻合金管和II401高頻合金擴(kuò)散管,；南方以上海元件五廠為代表,。

　　1961年我國(guó)*個(gè)集成電路研制課題組成立。1962年由中科院半導(dǎo)體所,，組建全國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試中心,。1963年中央政府組建第四機(jī)械工業(yè)部，主管全國(guó)電子工業(yè)（1982年改組為電子工業(yè)部）,，由通信專家王諍中將任部長(zhǎng),。1968年，我國(guó)組建國(guó)營(yíng)東光電工廠（878廠）,、上海無線電十九廠,，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

　　
　　2,、科研和生產(chǎn)成果：自力更生,，逐漸縮小同國(guó)外差距

　　在科研和生產(chǎn)成果上，前三十年我國(guó)整體上緊跟世界相關(guān)領(lǐng)域的*成就,，不斷縮小同發(fā)達(dá)國(guó)家的距離,，下面是幾個(gè)具有標(biāo)志性的成果比較：

　　1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺,，拉出了鍺單晶,。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年,，中國(guó)相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）,。國(guó)外zui早是在1947年，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了半導(dǎo)體點(diǎn)接觸式晶體管,。中外差距：10年,。

　　1963年（一說1962年），河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管,。平面工藝技術(shù)是半導(dǎo)體元件制作中的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，是制作集成電路的基礎(chǔ),。國(guó)外zui早是在1958年,，由仙童半導(dǎo)體公司 （Fairchild Semiconductor,，也譯作“飛兆公司”）首先發(fā)展出平面工藝技術(shù)。中外差距：5年,。

　　1962年,，為解決晶體管制造難題,，中國(guó)人民軍事工程學(xué)院四系四○四教研室康鵬（25歲）臨危受命,，成功研發(fā)“隔離-阻塞振蕩器”（后被命名為康鵬電路），解決了晶體管的穩(wěn)定性問題,，使中國(guó)比美國(guó)晚近8年進(jìn)入晶體管時(shí)代,。

　　

　　1964年,，吳幾康成功研制119計(jì)算機(jī)，該計(jì)算機(jī)運(yùn)算能力為每秒5萬次，運(yùn)算能力略強(qiáng)于美國(guó)于1958年制造的IBM 709計(jì)算機(jī),，IBM 709計(jì)算機(jī)的運(yùn)算能力為每秒4.2萬次,。119計(jì)算機(jī)同1965年研制成功的109機(jī)，在我國(guó)研制的歷程中立下很大功勞,，被稱為“功勛機(jī)”。

　　1965年12月,，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會(huì),，鑒定了*批半導(dǎo)體管，并在*先鑒定了DTL型（二極管―晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底,，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路產(chǎn)品,。DTL和TTL都是雙極型數(shù)字集成電路,，它們的研制成功標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路,。國(guó)外zui早：1958年-1959年,，美國(guó)德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路,，1960年仙童半導(dǎo)體研發(fā)了*塊商用集成電路,。中外差距：5-7年,。

　　有了初級(jí)規(guī)模的集成電路,，就有了制造第三代計(jì)算機(jī)（中、小規(guī)模集成電路）的基礎(chǔ),。中國(guó)*臺(tái)第三代計(jì)算機(jī)是由位于北京的華北計(jì)算技術(shù)研究所研制成功的,，采用DTL型數(shù)字電路，與非門是由北京電子管廠生產(chǎn),，與非驅(qū)動(dòng)器是由河北半導(dǎo)體研究所生產(chǎn),，展出年代是1968年,。國(guó)外zui早是在1961年,，德州儀器為美國(guó)研發(fā)出*個(gè)基于集成電路的計(jì)算機(jī)，即所謂的“分子電子計(jì)算機(jī)”,。中外差距：7年。

　　與雙極型電路相比，MOS（金屬氧化物）電路具有電路簡(jiǎn)單,、功耗低、集成度高的優(yōu)勢(shì),。 1968年,，上海無線電十四廠制成PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路,，拉開了我國(guó)發(fā)展MOS電路的序幕,，并在七十年代初,，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路,，之后又研制成CMOS電路（互補(bǔ)型MOS電路）,。國(guó)外zui早：1960年，美國(guó)無線電（RCA）制造出金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,。1962年,，美國(guó)無線電（RCA）制造了一個(gè)實(shí)驗(yàn)性的MOS集成電路器件。1963年,，仙童實(shí)驗(yàn)室研制成CMOS電路,。中外差距：6-7年。

　　1972年,，我國(guó)自主研制的大規(guī)模集成電路在四川永川半導(dǎo)體研究所誕生,，實(shí)現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。國(guó)外：1971年,，In（英特爾）推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）,，包含2000多只晶體管,，標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)。中外差距：1年,。

　　1975年,，北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組，由王陽(yáng)元等人,，設(shè)計(jì)出我國(guó)*批三種類型的（硅柵NMOS,、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,，它比美國(guó)英特爾公司研制的C1103要晚五年,，但是比韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣要早四五年,。此時(shí),，中國(guó)臺(tái)灣才剛剛在向美國(guó)購(gòu)買3英寸晶圓廠。

　　1975年,，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當(dāng)時(shí)屬高水平的1024位移位存儲(chǔ)器,，集成度達(dá)8820個(gè)元器件，達(dá)到國(guó)外同期水平,。到上世紀(jì)70年代末,，我國(guó)又陸續(xù)研制出256和1024位ECL高速隨機(jī)存儲(chǔ)器，后者達(dá)到同期的較高水平,；可以生產(chǎn)NMOS256位和4096位,、PMOS1024位隨機(jī)存儲(chǔ)器；掌握了對(duì)于大規(guī)模集成電路制造起著重要作用的無顯影光刻技術(shù),，可用于制造分子束外延設(shè)備,。

　　總體來看，在這個(gè)時(shí)期,，雖然美國(guó)計(jì)算機(jī)發(fā)展迅猛,，但中國(guó)同行追得也很快，從無到有,，差距逐漸縮小,，甚至在某些局部領(lǐng)域追平西方，達(dá)到較高水平,。中科院上海冶金所還獨(dú)立發(fā)展了制造集成電路所需要的離子注入機(jī),，并出口到日本。

　　截至70年代末,，中國(guó)科研人員和產(chǎn)業(yè)工人發(fā)揚(yáng)自力更生,、自強(qiáng)不息的精神，建成了中國(guó)自己的半導(dǎo)體工業(yè),，基本掌握了從單晶制備,、設(shè)備制造,、集成電路制造的全過程技術(shù)。在當(dāng)時(shí),，只有美國(guó),、蘇聯(lián)掌握從單晶制備、設(shè)備制造,、集成電路制造的全過程技術(shù),，雖然*很強(qiáng)，但個(gè)別領(lǐng)域被美國(guó)限制和閹割,。而此時(shí),，韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣才剛剛起步,。

　　3,、前三十年集成電路事業(yè)迅速趕超發(fā)展的經(jīng)驗(yàn)

　　總結(jié)新中國(guó)前三十年集成電路事業(yè)的趕超發(fā)展，有幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)值得今天學(xué)習(xí)（專業(yè)研究產(chǎn)業(yè)問題的學(xué)者鐵流對(duì)此有很好的總結(jié),，筆者也頗為認(rèn)同,，以下部分參考了其文中的一些觀點(diǎn)或論述）：

　　一是堅(jiān)持自主研發(fā)的趕超路線,。

　　貫穿前三十年技術(shù)進(jìn)步的是自力更生,，艱苦奮斗的精神。50年代,，即使我國(guó)已經(jīng)引進(jìn)了蘇聯(lián)的技術(shù)資料,，依舊保留自己的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，例如夏培肅于1954年即著手基本邏輯電路的設(shè)計(jì),、試驗(yàn)和運(yùn)算器,、控制器的邏輯設(shè)計(jì)，這為我國(guó)同蘇聯(lián)交惡后自主研制計(jì)算機(jī)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),。此后,，中國(guó)的科研工作人員在沒有外援的情況下，自力更生,，完成了一個(gè)又一個(gè)技術(shù)攻關(guān),。從有國(guó)外留學(xué)經(jīng)驗(yàn)的老科學(xué)家，到共和國(guó)自己培養(yǎng)的年輕科研人員,，都發(fā)揮了極大創(chuàng)造力,，例如前述25歲就研發(fā)出“隔離-阻塞振蕩器”，解決重大技術(shù)難題的康鵬,。

　　這一時(shí)期,，中國(guó)也抓住有利時(shí)機(jī)從國(guó)外引進(jìn)*技術(shù)設(shè)備。進(jìn)行充分消化吸收,。但無論是50年代末引進(jìn)蘇聯(lián)技術(shù)資料,，還是70年代通過特殊渠道少量購(gòu)買歐美*設(shè)備,，走的是都“消化吸收、融會(huì)貫通,、推陳出新,、舉一反三”的路線，技術(shù)引進(jìn)不僅沒對(duì)自主技術(shù)造成沖擊,，反而使其融入自己的工業(yè)體系中,，使中國(guó)自主技術(shù)更上一層樓。

　　70年代,，通過購(gòu)買國(guó)外單臺(tái)設(shè)備,，我國(guó)自己組建了三條生產(chǎn)線，以緩解國(guó)內(nèi)制造計(jì)算機(jī)的迫切需要,。1972年美國(guó)總統(tǒng)*訪華后,，中國(guó)開始從歐美引進(jìn)技術(shù)。對(duì)于當(dāng)時(shí)屬于高科技領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),，中國(guó)雖然始終無法從*途徑大規(guī)模引進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)資料,，但也通過特殊渠道少量購(gòu)買單機(jī)設(shè)備，并將其消化吸收后,，大量仿制,，推陳出新，搭建了自己的生產(chǎn)線,。

　　在此期間,，西方有意遏制中國(guó)*技術(shù)的發(fā)展勢(shì)頭，1973年我國(guó)7個(gè)單位分別從國(guó)外引進(jìn)單臺(tái)設(shè)備,，以期建成七條3英寸工藝線,，但由于*封鎖等各種因素，zui終拖了7年才引進(jìn),，引進(jìn)時(shí)已經(jīng)落后于較高水平,。這也說明不論什么時(shí)候，什么條件下,，堅(jiān)持自主創(chuàng)新為主始終是*位的,。

　　二是重視科研投入和科研人才培養(yǎng)。

　　新中國(guó)前三十年的社會(huì)主義建設(shè)時(shí)期,，我國(guó)依靠“高積累,、低消費(fèi)”的方式集中大量資源用于國(guó)家工農(nóng)業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)和國(guó)防技術(shù)研發(fā)，一代人吃兩代人的苦,，將一個(gè)落后的農(nóng)業(yè)國(guó)建設(shè)成為擁有的*六大工業(yè)國(guó),，計(jì)算機(jī)、集成電路這樣的高科技產(chǎn)業(yè)也從無到有，發(fā)展壯大,。

　　在此期間,，雖然國(guó)家財(cái)政并不富余，但中國(guó)用于科技研發(fā)的經(jīng)費(fèi)占國(guó)民生產(chǎn)總值的平均比例為1.28%,，達(dá)到當(dāng)時(shí)幾個(gè)初等發(fā)達(dá)國(guó)家的平均水平（如意大利,、西班牙）；到70年代末,，隨著經(jīng)濟(jì)實(shí)力的提升該比值提升到2.32%,，做到了竭盡所能為科研工作保障資金。這一投入遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越改革開放后的水平（80年代中期以后一度降到0.6%以下）,，達(dá)到同期幾個(gè)zui發(fā)達(dá)國(guó)家英,、法、西德的水平,，僅比當(dāng)時(shí)的美國(guó),、日本低一些（美國(guó)長(zhǎng)期為2.8-3.0%，日本70年代以前1.6%,，進(jìn)入70年代后與美國(guó)接近）,。

　　在人才方面，我國(guó)一方面積極吸引在海外留學(xué),、工作的技術(shù)人才回國(guó)效力,；另一方面積極培育自己的人才，在開設(shè)短期速成班的同時(shí),，在院校開設(shè)計(jì)算機(jī)專業(yè),，培育專業(yè)技術(shù)人才,，并送優(yōu)秀尖子赴蘇聯(lián)深造,。高水平的科研經(jīng)費(fèi)比例，保證了即便在困難時(shí)期和政治動(dòng)蕩的年份,，也能盡可能的為科研人員提供基本的生活,、工作條件。

　　三是全國(guó)統(tǒng)籌協(xié)作的研發(fā)模式,。

　　從前述列舉的重大成就來看,，當(dāng)時(shí)的科研單位雖然分散在全國(guó)各地，但在重大問題的攻堅(jiān)上卻是協(xié)同作戰(zhàn)和成功共享的,。在全國(guó)統(tǒng)籌協(xié)作的舉國(guó)體制下,，各個(gè)單位互幫互助，以集中全國(guó)科研力量攻堅(jiān)克難的方式解決了科研道路一個(gè)個(gè)難題,。國(guó)家還經(jīng)常舉辦各種展覽會(huì),，方便各單位進(jìn)行技術(shù)交流。

　　正是在自力更生、艱苦奮斗的精神和公有制體制的保障下,，我國(guó)計(jì)算機(jī)和集成電路事業(yè)在前三十年取得了一個(gè)又一個(gè)成就,。

　　4、新中國(guó)半導(dǎo)體及集成電路發(fā)展大事記：

　　1956年,，中央提出了“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號(hào),。*隨后主持制定了“十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃”（以下簡(jiǎn)稱“科學(xué)規(guī)劃”）。他有遠(yuǎn)見地提出和確定了四項(xiàng)“緊急措施”,，即大力發(fā)展計(jì)算機(jī),、無線電電子學(xué)、半導(dǎo)體,、自動(dòng)化,，并將新技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)和國(guó)防。

　　1956年,，在周總理的正確下,，我國(guó)提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，根據(jù)國(guó)外發(fā)展電子器件的進(jìn)程,，提出了中國(guó)也要研究半導(dǎo)體科學(xué),，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班,。請(qǐng)回國(guó)的半導(dǎo)體專家黃昆,、吳錫九、黃敞,、林蘭英,、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論,、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路,。在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué),、吉林大學(xué),、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)*批半導(dǎo)體人才,。培養(yǎng)出了*批著名的教授：北京大學(xué)的黃昆,、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三,。1957年畢業(yè)的*批研究生中有中國(guó)科學(xué)院院士王陽(yáng)元（北京大學(xué)微電子所所長(zhǎng)）,、工程院院士許居衍（華晶集團(tuán)中央研究院院長(zhǎng)）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺（北方華虹設(shè)計(jì)公司董事長(zhǎng)）。

　　1957年,，北京電子管廠通過還原氧化鍺,，拉出了鍺單晶。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年,，中國(guó)相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）,。

　　1958年，美國(guó)德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路（IC）之后,，發(fā)展極為迅猛,，從SSI（小規(guī)模集成電路）起步，經(jīng)過MSI（中規(guī)模集成電路）,，發(fā)展到LSI（大規(guī)模集成電路）,，然后發(fā)展到現(xiàn)在的VLSI（超大規(guī)模集成電路）及zui近的ULSI（特大規(guī)模集成電路），甚至發(fā)展到將來的GSI（甚大規(guī)模集成電路）,，屆時(shí)單片集成電路集成度將超過10億個(gè)元件,。

　　1959年，天津拉制出硅（Si）單晶,。

　　1960年,，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所（河北半導(dǎo)體研究所）,。

　　1962年,，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ),。

　　1962年,，我國(guó)研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版,，光刻工藝,。

　　1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管,。

　　1964年,，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

　　1965年12月,，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會(huì),，鑒定了*批半導(dǎo)體管，并在*先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路,。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品,。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主,，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門,、或非門,、或門、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路,。

　　1968年,，組建國(guó)營(yíng)東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠,，至1970年建成投產(chǎn),，形成中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

　　1968年,，國(guó)防科委在四川永川縣,，成立固體電路研究所（即永川半導(dǎo)體研究所，1424研究所,，現(xiàn)中電集團(tuán)24所）,。這是中國(guó)*的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠制成PMOS（P型金屬-氧化物半導(dǎo)體）電路,。拉開了中國(guó)發(fā)展MOS集成電路的序幕,。七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）,、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路,。之后，又研制成CMOS電路,。

　　七十年代初,，IC價(jià)高利厚，需求巨大,，引起了全國(guó)建設(shè)IC生產(chǎn)企業(yè)的熱潮,，共有四十多家集成電路工廠建成，四機(jī)部所屬?gòu)S有749廠（永紅器材廠）,、871（天光集成電路廠）,、878（東光電工廠）、4433廠（風(fēng)光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等,。各省市所建廠主要有：上海元件五廠,、上無七廠、上無十四廠,、上無十九廠,、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠,、北京半導(dǎo)體器件二廠,、三廠、五廠,、六廠,、天津半導(dǎo)體（一）廠,、航天部西安691廠等等。

　　1972年,，中國(guó)*塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功,。

　　1973年，我國(guó)7個(gè)單位分別從國(guó)外引進(jìn)單臺(tái)設(shè)備,，期望建成七條3英寸工藝線,，zui后只有北京878廠，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠,。

　　1975年,，北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組，由王陽(yáng)元等人,，設(shè)計(jì)出我國(guó)*批三種類型的（硅柵NMOS,、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,，它比美國(guó)英特爾公司研制的C1103要晚五年,，但是比韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣要早四五年,。那時(shí)韓國(guó),、中國(guó)臺(tái)灣根本就沒有電子工業(yè)科研基礎(chǔ)。

　　1975年,，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當(dāng)時(shí)屬高水平的1024位移位存儲(chǔ)器,，集成度達(dá)8820個(gè)元器件，達(dá)到國(guó)外同期水平,。

　　1976年11月,，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算所研制成功1000萬次大型電子計(jì)算機(jī)，所使用的電路為中國(guó)科學(xué)院109廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的ECL型（發(fā)射極耦合邏輯）電路,。

　　1978年10月,，中國(guó)科學(xué)院成立半導(dǎo)體研究所，由王守武,，研制4K DRAM,，次年在中科院109廠投入批量生產(chǎn)（比美國(guó)晚六年）。