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SiC功率器件測試哪方面？碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高,、熱穩(wěn)定好,、開關(guān)損耗低,、功率密度高等特點，被廣泛應(yīng)用在電動汽車,、風(fēng)能發(fā)電,、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來,，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移,。目前,我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。
目前常用的SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode,，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)，其中碳化硅mosfet器件屬于單級器件,，開通關(guān)斷速度較快,，對柵極可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性,，導(dǎo)致柵級結(jié)構(gòu)中的柵氧層缺陷數(shù)量較多,，致使碳化硅mosfet器件柵極早期失效率相比硅mosfet器件較高，限制了其商業(yè)化發(fā)展,。為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命,，需要對碳化硅功率半導(dǎo)體器件進行基于柵極的測試，在將碳化硅功率半導(dǎo)體器件壽命較低的器件篩選出來,，提高碳化硅功率半導(dǎo)體器件的使用壽命,。
SiC功率器件的電學(xué)性能測試主要包括靜態(tài)、動態(tài),、可靠性,、極限能力測試等，其中：
?。?）靜態(tài)測試：通過測試能夠直觀反映 SiC 器件的電學(xué)基本性能,，可簡單評估器件的性能優(yōu)劣。
各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù),、同時在功率器件檢測維修中發(fā)揮了至關(guān)重要的作用,。小編推薦一款SiC靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)NSAT-2000，該設(shè)備可測試各類型Si·二極管,、Si·MOSFET,、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET,、SiC·IGBT等分立器件的靜態(tài)參數(shù),，系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電腦的連接口,，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用,。
?。?）動態(tài)測試：主要測試 SiC 器件在開通關(guān)斷過程中的性能。
通常我們希望的功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度盡可能得高,、開關(guān)過程段,、損耗小。但是在實際應(yīng)用中,，影響開關(guān)特性的參數(shù)有很多,，如續(xù)流二極管的反向恢復(fù)參數(shù)，柵極/漏極,、柵極/源極及漏極/源極電容,、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數(shù)的測試,，變得尤為重要,。開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度,、器件應(yīng)力以及電磁兼容性,。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)性能具有極其重要的意義,。小編推薦一款SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)EN-1230A,，該設(shè)備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET,、Si·IGBT和SiC·二極管,、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的動態(tài)參數(shù),，如開通時間,、關(guān)斷時間、上升時間,、下降時間,、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延遲時間,、開通損耗,、關(guān)斷損耗、柵極總電荷,、柵源充電電量,、平臺電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù)充電電量,、反向恢復(fù)電流,、反向恢復(fù)損耗,、反向恢復(fù)電流變化率,、反向恢復(fù)電壓變化率、集電極短路電流,、輸入電容,、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容,、柵極串聯(lián)等效電阻,、雪崩耐量等。
（3）可靠性測試：考量 SiC 器件是否達到應(yīng)用標(biāo)準,，是商業(yè)化應(yīng)用的關(guān)鍵,。
半導(dǎo)體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產(chǎn)品的長期耐久性能,。
?。?）極限能力測試：如浪涌電流測試，雪崩能量測試
浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流,。
雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。推薦ENX2020A雪崩能量測試系統(tǒng),，能夠準確快速的測試出SiC·二極管,、SiC·MOSFET等半導(dǎo)體器件的雪崩耐量。
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