放開BERTHOLD檢測儀ST1500550V

BERTHOLD    LT-17023
BERTHOLD    LX/LSH-273014
BERTHOLD    LX/LSHH-273016
BERTHOLD    LX/LSL-273013
BERTHOLD    LX/LSLL-273010
BERTHOLD    LX/LSLL-273019
BERTHOLD    LX/LSLL-273021
BERTHOLD    LX/LSLL-273023
BERTHOLD    LX/LT-273011
BERTHOLD    LX/LT-273015
BERTHOLD    LX/LT-273022
BERTHOLD    LX/LT-273024
BERTHOLD    M B 65 C-0.2W
BERTHOLD    M/N:LB440-11 Id.:40441-11
BERTHOLD    MICRO-POLAR BRIX~TM LB565
BERTHOLD    MN3D-5000A 帶USB接口
BERTHOLD    MODEL:LB490 with HART
BERTHOLD    Multiplier for rod detector
BERTHOLD    NaJ/TI 50*50 cpl
BERTHOLD    NO:30366 配:LB5441-02上用
BERTHOLD    P/N:41441 夾緊裝置
BERTHOLD    P/N:41765 夾緊裝置
BERTHOLD    P/N：B18640723
BERTHOLD    Photomultiplier XP 3240/B02
BERTHOLD    PHREX-2便攜式PH計
BERTHOLD    PN34518(LB6639W-CSJ-40/50)
BERTHOLD    Point Source Isotope Cs-137
BERTHOLD    Point source shielding d=150
BERTHOLD    PREAMP 訂貨號：40822
BERTHOLD    PUMPEN-BERTHOLD STR.1009113
BERTHOLD    R1/4 SNR:21326
BERTHOLD    Rod detector shielding,CP1
BERTHOLD    Rod detector: nominal length
BERTHOLD    SER.NO:2439
BERTHOLD    set of fastening clamps
BERTHOLD    SIRIUS  單機
BERTHOLD    SIRIUS  單機配件
BERTHOLD    SPGU 85/65/1.4571
BERTHOLD    SSC-SRD-02
BERTHOLD    SSC-SRD-02附連接件配套鋼繩
BERTHOLD    SZ-5-L3/50
BERTHOLD    SZ5-L3-50/50
BERTHOLD    TowerSens Electronic Block
BERTHOLD    TYPE:81036/LB  3961-1
BERTHOLD    Type:TOL/F
BERTHOLD    UNI-PROBE  LB 490-51
BERTHOLD    XP3240/B02
BERTHOLD    XRM65P40X2433
BERTHOLD    LB4710-180
BERTHOLD    探測器 LB5441-03
BERTHOLD    型號 38477-151,探針LB-490
BERTHOLD    型號38477-121, 探針LB-490
BERTHOLD    型號38477-171, 探針LB-490
BERTHOLD    液面檢測LB352-2
BERTHOLD    液面檢測LB367
BERTHOLD    接收器LB6639W
BERTHOLD    LB6639W-BGO-5M ID-81637-08

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量子點紅外探測器 編輯
量子點紅外探測器（QDIP）在紅外探測領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景,同時由于QDIP的有效載流子壽命長,、暗電流低、工作溫度高,、對垂直入射光響應(yīng)等優(yōu)勢,近年來高性能QDIP已經(jīng)成為研究的熱點,。
中文名 量子點紅外探測器 類    別 儀器 類    型 紅外探測器 對    象 量子點
目錄
1 量子點材料生長
2 QDIP 的主要結(jié)構(gòu)
? 簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
? 引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
? 引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)
? Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
? InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
3 QDIP 的測試
量子點材料生長編輯
量子點結(jié)構(gòu)的生長技術(shù)是QDIP研究的基礎(chǔ)。低維半導體結(jié)構(gòu)的發(fā)展很大程度上依賴于材料良好生長技術(shù)（分子束外延技術(shù),、金屬有機化合物化學氣相沉積技術(shù)等）和精細加工工藝（聚焦電子,、離子束和X射線光刻技術(shù)等）的進步。上個世紀90年代,，人們開發(fā)了損傷的低維半導體材料的制備方法,，就是利用不同材料的晶格失配而產(chǎn)生的應(yīng)力，通過Stranski-Krastanow(S-K)生長模式來獲得缺陷,、位錯和尺寸均勻的量子點,，即所謂的自組織生長量子點的方法。這為制備滿足器件要求的量子結(jié)構(gòu)帶來了希望,。隨著科學技術(shù)的發(fā)展,，人們又提出了很多新的制備方法。其中包括：（a）在部分掩膜襯底上原位生長量子點（由于掩膜受光刻精度的限制,，所以降低了人們對此工藝的興趣）,；（b）采用偏向襯底或高指數(shù)面襯底，一定晶向的襯底提供的橫向周期性將會影響吸附原子的生長動力學過程從而導致不同的應(yīng)力弛豫機制,；高指數(shù)面的表面再構(gòu)可使量子點的空間分布有序化,。這兩種方法的難點是器件后期工藝要求特殊控制,。（c）應(yīng)力緩沖層法，先在襯底上生長適當厚度的應(yīng)力緩沖層后,，再生長量子點,。由于應(yīng)力緩沖層的引入改變了應(yīng)力場的分布，使量子點形成于富In區(qū)或凸起點的上方,。從外延生長的角度來分,，共有三種生長模式：層狀生長，即FM模式,；島狀生長,，即VM模式；層狀加島狀生長,，即S-K模式,。不同的生長模式主要由表面能、界面能和晶格失配度的大小確定的,。（1）若失配度較小且外延層表面能和界面能之和小于襯底的表面能,，則外延生長為層狀的FM模式；（2）若失配度較大且外延層的表面能與界面能之和大于襯底的表面能,，則外延生長為島狀的VW模式,；（3）當外延層的表面能與界面能之和，在開始時小于襯底的表面能,，則外延層初始為2D層狀生長（浸潤層）,，隨著浸潤層厚度的增加，體系的應(yīng)變能也在增加,，當浸潤層厚度達到一臨界值時,，則由平面生長轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長，即形成量子點,。這時,，應(yīng)變發(fā)生弛豫，應(yīng)變能減小,，表面能增加,，總能量減小，這就是S-K生長模式,。所以說量子點的形成是應(yīng)變能弛豫的一種方式,，用這種方法可以獲得位錯、尺寸較均勻的量子點,，即所謂的自組織量子點,。
QDIP 的主要結(jié)構(gòu)編輯
簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)是QDIP 研究初期常見的一種結(jié)構(gòu)，它的特點是結(jié)構(gòu)簡單，生長操作容易,，理論基礎(chǔ)豐富,，經(jīng)常用于QDIP 理論的實驗論證。缺點是受帶隙的影響,，探測率很難得到繼續(xù)提高,。目前，這一結(jié)構(gòu)的
QDIP 的探測率不超過1010 cmHz1/2W-1,，探測波長一般在4~13 μm 范圍內(nèi),。
引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
引入AlGaAs 暗電流阻擋層結(jié)構(gòu)是InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)的改進型，它的理論基礎(chǔ)是AlGaAs 阻擋層對暗電流的阻擋效果大于對光電流的阻擋效果,。如果設(shè)計得當，AlGaAs 阻擋層確實可以起到減小暗電流同時對光電流也影響不大的效果,，但是由于暗電流和光電流具有相同的電子躍遷通道,，所以一般情況下是很難使兩種效果同時達到的。
引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)
引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)主要研究單位是南加州大學,。引入InGaAs 應(yīng)力緩解層有兩個好處,，一方面，引入InGaAs 應(yīng)力緩解層可以有效減小量子點和隔離層的內(nèi)部應(yīng)力,，減少了缺陷,，提高了晶體質(zhì)量，從而可以增加光電響應(yīng),；另一方面,，在量子點上面覆蓋一層InGaAs 等于是在量子點的一側(cè)插入一個量子阱，該量子阱不但可以降低量子點內(nèi)激發(fā)態(tài)的能量,，從而降InAs 低暗電流,，而且還可以為電子提供量子阱內(nèi)的電子能級，電子可以從量子點內(nèi)的能級先躍遷到量子阱內(nèi),，然后隧穿出隔離層形成光電流,。
Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
DWELL 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國新墨西哥大學。DWELL 結(jié)構(gòu)紅外探測器是目前研究的比較有前景的一類,。DWELL 結(jié)構(gòu)兩個優(yōu)點：一是通過引入量子阱可以降低量子點內(nèi)電子的能級,，從而降低暗電流，二是通過改變量子阱的寬度和量子點在量子阱內(nèi)的不對稱性可以方便地調(diào)節(jié)響應(yīng)波長,。本文在這些研究基礎(chǔ)上進一步研究了該結(jié)構(gòu)的器件性能和理論模擬方法,。
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國西北大學。InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)QDIP 目前具有QDIP 中的最高探測率,，而且也實現(xiàn)了FPA的紅外成像,。由于InAs 和InGaP 具有較大的導帶差，所以電子從量子點內(nèi)的束縛態(tài)躍遷到隔離層的連續(xù)態(tài)需要很大的能量,，所以該類型探測器具有近紅外和中紅外的探測波長,，同時熱激發(fā)電子導致的暗電流也很小,，這造成了該探測器具有高的近、中紅外探測率,。
QDIP 的測試編輯
光致發(fā)光譜或光熒光（PL）是研究QDIP的基礎(chǔ)手段之一,。在說明PL測試之前，先需要說明傅立葉光譜儀的測試原理,。邁克爾遜干涉儀是現(xiàn)代傅里葉變換光譜儀的核心部件,，它是一種振幅分割的雙光束干涉系統(tǒng)，如圖2.4所示,，具有以下特點：兩光束的光程差易于改變,；光路中使用分光板，入射光的一半經(jīng)固定鏡,，另一半經(jīng)運動鏡反射,；環(huán)狀干涉條紋一直延伸到窮遠處；等厚干涉條紋則是由于兩個鏡子間的光學聯(lián)系引起的,，在調(diào)節(jié)儀器時必須注意到這兩種干涉條紋,。根據(jù)邁克爾遜干涉儀運動鏡的移動（即光程差），我們就可獲得干涉圖,，然后經(jīng)傅立葉變換,，就得到了我們所看到的光譜分布。同時,，我們還可以看到得到的光譜分還只與光的調(diào)制部分有關(guān),，與不發(fā)生調(diào)制的部分關(guān)。半導體量子點的發(fā)光主要是指輻射復合光發(fā)射,，它是除熱平衡的黑體輻射以外的第部分光輻射,，是光吸收過程的逆效應(yīng)。光吸收（或稱光激發(fā)）導致的光發(fā)射常稱為光致發(fā)光或光熒光（PL）,，其測量原理是：當激發(fā)光源發(fā)出hv > Eg 的光照射到被測樣品表面時,，由于激發(fā)光在材料中的吸收系數(shù)很大（通常大于104 cm-1），通過本征吸收,，在材料表面約1 μm以內(nèi)的區(qū)域里激發(fā)產(chǎn)生大量的電子－空穴對,，使樣品處于非平衡態(tài)。這些非平衡載流子一邊向體內(nèi)擴散,，一邊發(fā)生復合,。通過擴散，發(fā)光區(qū)將擴
展到深入體內(nèi)約一個少子擴散長度的距離,。電子－空穴對通過不同的復合機構(gòu)進行復合,，其中的輻射復合就發(fā)出疊加在熱平衡輻射上的光發(fā)射，稱為熒光。熒光在逸出表面之前會受到樣品本身的自吸收,。熒光逸出表面之后,，會聚進入單色儀分光，此后經(jīng)探測器接收轉(zhuǎn)變成電信號并進行放大和記錄,，從而得到發(fā)光強度按光子能量分布的曲線,，即光致發(fā)光譜。

有政策支持,，大川合作社有了發(fā)展壯大的底氣,，今年他們又購買了2架植保飛機、2臺高空噴藥機,?！昂献魃绗F(xiàn)有各種農(nóng)機具57套，其中大部分是大型機械,，具備規(guī)?；鳂I(yè)能力。"孫大川說,，合作社今年經(jīng)營托管土地270公頃，在完成自家作業(yè)的同時,，還開展機械對外作業(yè)800多公頃,。