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EBIC Amplifier用于對半導(dǎo)體樣品,，器件,，微納結(jié)構(gòu)可進行EBIC,EBAC,RCI,EBIV和EBIRCH分析,。通過MM3A/MM4將探針精確定位到探測位置，信號通過弱電流測量屏蔽套件（LCMK）傳輸?shù)絊EM/FIB視頻輸入端,，并通過SEM/FIB成像,。

配置：

• EBIC  Amplifier + MM3A-EMs + LCMK

• EBIC  Amplifier + Prober Shuttle

EBIC Amplifier應(yīng)用領(lǐng)域：

• 無損失效分析

• IC開路探測

• PN結(jié)觀測

• 電阻變化定位

技術(shù)參數(shù)：

• 最小電流測量：15Fa

• 增益：105 to 1012 V/A

• 帶寬：400Khz

• AC/DC 兩種放大模式

• 輸入電流補償

• 圖像反轉(zhuǎn)模式

前道工序（front-end-of-line：FEOL）中微縮晶體管，以及在中間工序（Middle-of-line：MOL）和后道工序（back-end-of-line：BEOL）中改進觸點和連線則變得越來越困難,。

FEOL涵蓋了芯片有源部分的加工,，即位于芯片底部的晶體管。晶體管作為電氣開關(guān),，使用三個電極進行操作：柵極,、源極和漏極。源極和漏極之間的導(dǎo)電通道中的電流可以被“開"和“關(guān)",，這一操作由柵極電壓控制,。

BEOL是加工的最后階段，指的是位于芯片頂部的互連,?；ミB是復(fù)雜的布線方案，它分配時鐘和其他信號,，提供電源和地,，并將電信號從一個晶體管傳輸?shù)搅硪粋€晶體管。BEOL由不同的金屬層,、局部(Mx),、中間線,、半全局線和全局線組成?？倢訑?shù)可以多達15層,，而Mx層的典型數(shù)量在3~6層之間。這些層中的每層都包含（單向）金屬線（組織在規(guī)則的軌道中）和介電材料,。它們通過填充有金屬的通孔結(jié)構(gòu)垂直互連,。

FEOL和BEOL由MOL聯(lián)系在一起。MOL通常由微小的金屬結(jié)構(gòu)組成,，作為晶體管的源極,、漏極和柵極的觸點。這些結(jié)構(gòu)連接到BEOL的局部互連層,。雖然單元尺寸在微縮,，但要連接到的引腳數(shù)量大致不變，意味著接觸它們的難度更大,。