自2010年以來(lái),，潛在的誘導(dǎo)退化被認(rèn)為是導(dǎo)致模塊故障的主要原因之一。利用弗勞恩霍夫CSP開(kāi)發(fā)的新技術(shù),，以及弗萊貝格儀器公司的臺(tái)式工具PIDcon,，可以對(duì)太陽(yáng)能電池和微型組件的PID敏感性進(jìn)行測(cè)試，現(xiàn)在已經(jīng)投入市場(chǎng),。
了解更多關(guān)于PID的原因以及如何研究太陽(yáng)能電池,、微型模塊和封裝材料的敏感性。
PID-s的物理性質(zhì)
電勢(shì)誘導(dǎo)退化（PID）是在晶體硅組件中觀察到的較高危險(xiǎn)的退化現(xiàn)象之一,。在了解分流型PID（PID-s）的基本機(jī)制方面已經(jīng)取得了很大進(jìn)展,。
PID-s的物理性質(zhì)
在現(xiàn)場(chǎng)，模塊中的前玻璃表面和太陽(yáng)能電池之間可能會(huì)出現(xiàn)較大的電位,，硅太陽(yáng)能電池的p-n結(jié)會(huì)發(fā)生分流,，從而導(dǎo)致電阻和功率輸出下降。
以下模型是由[1]提出的：
模塊中存在的高場(chǎng)強(qiáng)導(dǎo)致Na+漂移通過(guò)SiNx層,。鈉離子在SiNx/Si界面（SiOx）橫向擴(kuò)散,，并裝飾了堆疊故障。pn結(jié)通過(guò)高度裝飾的堆積斷層的缺陷水平被分流（過(guò)程1）,，另外,，由于耗盡區(qū)的缺陷狀態(tài)的重組過(guò)程，J02增加（過(guò)程2）,。請(qǐng)注意,，Na離子應(yīng)該是來(lái)自Si表面而不是玻璃。
因此,，模塊的易感性主要取決于SiNx層以及玻璃和EVA箔的電阻率,。
參考文獻(xiàn)：
[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318
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