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目錄:上海昊量光電設(shè)備有限公司>>專用實(shí)驗(yàn)設(shè)備>>輪廓儀>> IMOS納米表面輪廓儀

納米表面輪廓儀
  • 納米表面輪廓儀
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) IMOS
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
屬性

產(chǎn)地類別:進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域:電子

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更新時(shí)間:2021-06-21 09:50:53瀏覽次數(shù):1399評(píng)價(jià)

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 電子
納米模式下的Z軸分辨率 30pm微起伏模式(使用原子級(jí)光滑鏡)
IMOS納米表面輪廓儀實(shí)現(xiàn)了精確,、定量,、iso兼容,、非接觸式表面測(cè)量和表征微和納米尺度的表面特征,,在短短幾秒鐘內(nèi)可捕獲多達(dá)200萬個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn),。選擇正確的光學(xué)輪廓儀系統(tǒng)取決于您的應(yīng)用程序的要求,,包括速度,、精度、垂直范圍,、自動(dòng)化和靈活性,。

納米表面輪廓儀

IMOS納米表面輪廓儀實(shí)現(xiàn)了精確,、定量、iso兼容,、非接觸式表面測(cè)量和表征微和納米尺度的表面特征,,在短短幾秒鐘內(nèi)可捕獲多達(dá)200萬個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。選擇正確的光學(xué)輪廓儀系統(tǒng)取決于您的應(yīng)用程序的要求,,包括速度,、精度、垂直范圍,、自動(dòng)化和靈活性,。

IMOS光學(xué)表面輪廓儀在非接觸式光學(xué)表面輪廓方面提供了強(qiáng)大的通用性。有了該系統(tǒng),,它可以方便快捷地測(cè)量各種表面類型,,包括光滑、粗糙,、平坦,、傾斜和階梯。所有的測(cè)量都是無損的,,快速的,,不需要特殊的樣品準(zhǔn)備,。納米表面輪廓儀系統(tǒng)的核心是部分相干光干涉技術(shù),,它提供亞納米精度測(cè)量更廣泛的表面比其他商業(yè)可用技術(shù)。

 

IMOS 納米表面輪廓儀提供了不同的應(yīng)用程序的特殊價(jià)值,,如平直,,粗糙度,波浪形,,臺(tái)階高度等等,。
IMOS 納米表面輪廓儀配備了一個(gè)變焦頭,可以填充離散變焦光學(xué)定制的系統(tǒng),。樣本分段配置范圍從*自動(dòng)化到*自動(dòng)化的編碼行程,。

IMOS 納米表面輪廓儀提供高精度測(cè)量,易于使用,,快速測(cè)量,,有吸引力的價(jià)格,使其成為多功能3D光學(xué)輪廓儀的理想選擇,。

 

納米表面輪廓儀主要優(yōu)點(diǎn):

- 納米模式下的Z軸分辨率:

       ~ 30pm微起伏模式(使用原子級(jí)光滑鏡)

             ~ 0.3um微地貌模式下

- 外形緊湊;

- 快速響應(yīng);

- 抗外部振動(dòng);

- 測(cè)量過程自動(dòng)化程度高;

- 特殊的用戶友好的界面;

- 高質(zhì)量的圖形界面,,以工作與多計(jì)劃三維表示的測(cè)量結(jié)果;

- 廣泛的可能性配置的顯微鏡,以各種形態(tài)-邏輯的測(cè)量表面;

- 能夠工作在兩種模式:微浮雕和納米浮雕;

- *的存儲(chǔ)系統(tǒng)和測(cè)量結(jié)果的系統(tǒng)化,。

 

在硅基板上的Pd薄膜,,高度100nm硅晶體表面的階地,,高度為0.314nm在硅基板上的Pd薄膜,高度100nm

 

微起伏模式下的測(cè)量結(jié)果

硅晶體表面的階地,,高度為0.314nm   
認(rèn)證口徑,,標(biāo)稱高度值為101nm±3%

 

IMOS納米表面輪廓儀組成 
光電探測(cè)器*
矩形ccd-1392*1040 px

光源 * 
LED (λeff = 630 nm)

顯微物鏡*
20x (or 10x, 5x) 2 items
放大率不變

壓電掃描振鏡

位移臺(tái)

1d (Z) range 50 mm 
2d (XY) range 75x50 mm

控制器
CCD-相機(jī)抓幀器
位移臺(tái)控制器
設(shè)備控制器 

計(jì)算機(jī) 

軟件
Software for working with IMOS
System / MS Windows

* – 按客戶需求 

 

 

微地貌模式下的測(cè)量結(jié)果
認(rèn)證口徑, 厚 40 ± 1,2 μm   
衍射元件, 厚 3,7 μm
技術(shù)指標(biāo)     
測(cè)量區(qū)域 
0,4x0,3 mm2 (for 20X) 
 
像素尺寸 
0,3 μm (for 20X) 
 
橫向分辨率
Not worse 1 μm 
 
測(cè)量模式 
微地貌模式
微起伏模式 
 
Z軸分辨率
微地貌模式 ~ 0,3 μm
微起伏模式 ~ 30 pm (with atomically smoth mirror) 
 
測(cè)量范圍 
微地貌模式 up to 50 mm
微起伏模式 up to 20 μm 
 
測(cè)量速度 
微地貌模式 ~ 4 μm/s
微起伏模式 ~ 20 μm/10s 

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