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少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌Freiberg Instruments

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地上海市

更新時間：2024-11-02 14:01:02瀏覽次數(shù)：239次

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少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
用于單晶硅錠,、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT,、HIT,、TOPcon、雙面PERC,、PERC+太陽能電池,、鈣鈦礦等中的硅材料。

少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)


產(chǎn)品特點

用于單晶硅錠,、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控,。用于HJT,、HIT、TOPcon,、雙面PERC,、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料,。

詳細介紹


產(chǎn)品介紹：

MDPpro 850+


用于單晶硅錠,、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT,、HIT,、TOPcon、雙面PERC,、PERC+太陽能電池,、鈣鈦礦等中的硅材料。



特點 ：        

◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）   

◇  SEMI標準：PV9-1110        

◇  測試速度：線掃描 < 30 s,；完整的面掃秒 < 5 min        

◇  同時測量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率

◇  自動幾何形狀識別： G12,、M10晶磚和晶圓片        

    

直拉硅單晶硅錠中的滑移線


應(yīng)用 :   


◇  壽命 & 電阻率面掃描        

◇  晶體生長監(jiān)控（即滑移線）        

◇  污染監(jiān)測

◇  氧條紋/OSF環(huán)       

◇  P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

◇  光束感應(yīng)電流（LBIC）

◇  發(fā)射極層的方阻        

◇  更多…


含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量


技術(shù)規(guī)格 :   

材料單晶硅
晶錠尺寸125  x 125至210 x 210 mm2，晶磚長850 mm或更長
晶圓尺寸直徑可達300 mm
電阻率范圍0.5 – 5 ohm cm,。根據(jù)要求提供其他范圍
導(dǎo)電類別p//n
可測量的參數(shù)壽命-μPCD/MDP（QSS）,、光電導(dǎo)率、電阻率等
默認激光器

IR激光二極管（980 nm,，不超過500 mW）和IR激光二極管（905 nm,，不超過9000 mW）?？筛鶕?jù)要求提供其他波長

電腦Windows 11或新版本,、 Framework更新、2個以太網(wǎng)端口
電力要求100 – 250 V AC, 6 A
尺寸（寬*高*長）  2560 × 1910 × 1440 mm
重量約200 kg
認證根據(jù)ISO 9001準則制造,，符合CE要求


MDP studio -  操作和評估軟件 ：

用戶友好且優(yōu)良的操作軟件具有：

◇  導(dǎo)入和導(dǎo)出功能

◇  帶有操作員的用戶結(jié)構(gòu)

◇  所有執(zhí)行的測量概覽

◇  樣品參數(shù)輸出

◇  單點測量（例如：注入濃度相關(guān)的測量）

◇  面掃描

◇  測試配方

◇  分析功能包

◇  線掃描和單點瞬態(tài)視圖


遠程訪問基于IP的系統(tǒng)允許在世界任何地方進行遠程操作和技術(shù)支持


配置選項：

◇  光斑尺寸變化

◇  電阻率測量（晶磚和晶圓片）

◇  背景/偏置光

◇  反射測量（MDP）

◇  LBIC

◇  P型摻雜硅中的鐵圖譜

◇  p/n檢測

◇  條碼讀取器

◇  自動幾何識別

◇  寬的激光器波長范圍


多晶硅晶圓線掃描


HJT晶圓的壽命測量


MDPpro850+  應(yīng)用 ：        

鐵濃度測定

鐵的濃度的精確測定是非常重要的,，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度,，具有非常高的分辨率且**是在線的

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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測量

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止,，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性,。迄今為止的困難……

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陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為,，也可以對太陽能電池產(chǎn)生影響,。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能,。

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注入相關(guān)測量

少數(shù)載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度),。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息,。

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