CuxBi2Se3拓?fù)潴w微粒/薄膜/納米材料

西安齊岳生物科技有限公司經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)品種類(lèi)包括有：石墨烯,、高分子聚乙二醇衍生物、嵌段共聚物,、磁性納米顆粒,、納米金及納米金棒、鈣鈦礦,、環(huán)糊精衍生物,、發(fā)光材料、金屬配合物發(fā)光材料,、原料藥,、石墨炔(graphyne)大環(huán)配體類(lèi)、熒光量子點(diǎn)、透明質(zhì)酸衍生物,、石墨烯或氧化石墨烯,、碳納米管、富勒烯,，MRI核磁造等產(chǎn)品,。供應(yīng)Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2四元拓?fù)潴w;Bi2Te3-Bi2Se3的異質(zhì)結(jié)構(gòu);Bi2Te3三角形的納米薄片;Bi2Te3六邊形的納米薄片;Bi2Se3三角形的納米薄片;Bi2Se3六邊形的納米薄片;過(guò)渡金屬化合物L(fēng)aRu3Si2;Bi4O4S3導(dǎo)體;導(dǎo)體Ba2/3Pt3B2;碲化汞拓?fù)潴w;碲化鎘拓?fù)潴w;拓?fù)潴wTa As2;摻雜Mn的拓?fù)潴wBi2Se3的異質(zhì)結(jié)薄膜;拓?fù)潴wYbB6單晶體;拓?fù)潴wBi2Se3與鈣鈦礦氧化物L(fēng)a0.7Sr0.3MnO3復(fù)合結(jié)構(gòu);拓?fù)潴w/石墨烯復(fù)合柔性透明導(dǎo)電薄膜;單層Bi2Se3拓?fù)潴w薄膜;少層Bi2Se3拓?fù)潴w薄膜BiTe/SbTe晶格薄膜;Te元素?fù)诫sBi2Se3拓?fù)潴w納米線(xiàn);Bi2(TexSe1-x)3納米線(xiàn)

CuxBi2Se3拓?fù)潴w微粒/薄膜/納米材料

在導(dǎo)拓?fù)潴wCuxBi2Se3的導(dǎo)機(jī)理研究方面取得進(jìn)展，成功生長(zhǎng)出目前該體系高導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的單晶樣品（Tc=4.18K）,，進(jìn)一步系統(tǒng)的電,、磁輸運(yùn)性質(zhì)研究表明該體系屬于摻雜半導(dǎo)體家族中的規(guī)導(dǎo)體，為鉍硒基拓?fù)洳牧系膶?dǎo)機(jī)理研究作了的重要補(bǔ)充,。拓?fù)洳牧献鳛橐环N的量子材料,，在自旋電子器件、容錯(cuò)量子通信及量子計(jì)算機(jī)中具有應(yīng)用價(jià)值,。(Cu,Sr,Nb)x-Bi2Se3作為潛在的拓?fù)鋵?dǎo)體,，獲得了關(guān)注。該項(xiàng)研究中,，利用布里奇曼法生長(zhǎng)了Cu0.09Bi2Se3晶體,，并使用導(dǎo)量子干涉儀和綜合物性測(cè)量系統(tǒng)對(duì)材料的各向異性磁化率及電阻率、上下臨界磁場(chǎng),、磁通穿透深度等物理參量進(jìn)行分析,，發(fā)現(xiàn)材料在96K附近有的電荷密度異常行為，表明該體系中可能存在電荷密度波相,。

產(chǎn)品列表：

Cu2Se和Bi2Te3為基底的納米拓?fù)潴w材料
拓?fù)潴wBi2Se3單晶
Bi2Te3/NiTe2多晶復(fù)合物
SOI體上硅基底MoS2
Bi2Se3硒化鉍拓?fù)潴w單晶體
磁性拓?fù)潴w
Bi2Te2Se拓?fù)潴w納米帶
Bi2Te3碲化鉍拓?fù)潴w
Bi基拓?fù)潴w
拓?fù)潴wBi0.05Sb1.95Te3納米片
二維拓?fù)潴w
拓?fù)潴w薄膜
拓?fù)潴w微粒
拓?fù)潴wHgTe納米材料
半Heusler型拓?fù)潴wLaPtBi
三維拓?fù)潴w
拓?fù)潴w(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜
拓?fù)潴wSb2Te3薄膜
Cr摻雜拓?fù)潴wBi2Se3塊
Cu2Se為基底的納米拓?fù)潴w材料
CuxBi2Se3拓?fù)潴w
Cr摻雜BixSbyTe3晶體
Cr摻雜Bi2Se3
Fe摻雜Bi2Se3
Cr0.1(Bi0.1Sb1-0.1)2-0.1Te3撲體量子阱薄膜的材料
800nm拓?fù)潴w
一維的拓?fù)潴w—SSH模型拓?fù)?br />Bi2Se2Te三元拓?fù)潴w
Bi2-xSbxSe3三元拓?fù)潴w
Bi2-xSbxTe3三元拓?fù)潴w
四元拓?fù)潴wBi2-xSbxTe3-ySey (BSTS)
 

價(jià)格：比便宜30%-40%
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.25）