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中級(jí)會(huì)員 | 第7年

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  • 薄膜沉積CVD

    SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來(lái)沉積電介質(zhì)薄膜,。可在極低溫度下( 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, S...

    型號(hào): ICP-500D 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/12 15:04:52 對(duì)比
    SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積
  • 原子層沉積系統(tǒng)

    PICOSUN 原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Pro,;PICOSUN R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,,MEMS...

    型號(hào): PICOSUN A... 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/9/25 13:45:45 對(duì)比
    PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
  • PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)-高級(jí)版

    PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級(jí)版,;系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,,MEMS器件,,顯示器,,LED,激光和3D對(duì)象,,例如透鏡,,光學(xué)器件...

    型號(hào): ALD R-200... 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/9/25 13:43:50 對(duì)比
    PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
  • PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版

    PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),,例如IC組件,,MEMS器件,,顯示器,,LED,,激光和3D對(duì)象,,例如透鏡,,光學(xué)器件,,珠寶,...

    型號(hào): ALD R-200 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/9/25 13:41:31 對(duì)比
    PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
  • 等離子 中束流離子注入機(jī)

    離子注入機(jī)由離子源,、質(zhì)量分析器,、加速器、四級(jí)透鏡,、掃描系統(tǒng)和靶室組成,,可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位,,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子...

    型號(hào): IMC210 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/9/25 12:51:44 對(duì)比
    IBS中束流離子注入高溫離子注入機(jī)中束離子
  • ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D

    SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,,利用ICP高密度等離子源來(lái)沉積電介質(zhì)薄膜??稍跇O低溫度下( 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, S...

    型號(hào): ICP-500D 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/9/25 12:16:56 對(duì)比
    SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積

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