在科技日新月異的今天,，材料科學(xué)的發(fā)展正以速度推動(dòng)著電子,、生物醫(yī)學(xué)和能源等多個(gè)領(lǐng)域的創(chuàng)新,。其中，原子層沉積（Atomic Layer Deposition,ALD）技術(shù)作為一種高精度,、高控制性的薄膜沉積方法,，在微納加工領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力與應(yīng)用價(jià)值,。
原子層沉積ALD的基本原理基于自限制化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,。它通過(guò)將氣體狀態(tài)的前驅(qū)體分子交替引入到真空或惰性氣體環(huán)境中，使其與基底表面發(fā)生化學(xué)吸附,，形成單個(gè)原子層厚的薄膜。每個(gè)周期只沉積一層原子,，這一特性確保了ALD可以精確控制薄膜厚度至原子級(jí)水平,，同時(shí)保持的均勻性和重復(fù)性,。
由于每一層的沉積都是獨(dú)立且自限制的過(guò)程,，ALD可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度的精確控制，即使是在復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)中也能保證一致性和均一性,。ALD能夠在各種形狀和尺寸的表面上形成均勻的薄膜,，包括深孔、窄縫等難以觸及的空間,，這對(duì)于制造高密度存儲(chǔ)設(shè)備,、傳感器和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）至關(guān)重要。從金屬,、氧化物,、氮化物到有機(jī)化合物，ALD幾乎能夠處理所有類型的材料,，這極大地?cái)U(kuò)展了其在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用范圍,。相比于傳統(tǒng)的物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD），ALD可以在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行,，減少了熱應(yīng)力的影響,，適用于更多敏感基材的應(yīng)用場(chǎng)景。
隨著半導(dǎo)體器件向更小尺度發(fā)展，傳統(tǒng)制造工藝面臨的挑戰(zhàn)日益增加,，而ALD憑借其性能成為解決這些問(wèn)題的關(guān)鍵技術(shù)之一,。特別是在下一代集成電路、新型太陽(yáng)能電池,、高效催化劑以及生物醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域,，ALD的應(yīng)用正在迅速擴(kuò)大。
例如,，在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的芯片生產(chǎn)中,，ALD被用來(lái)沉積超薄的絕緣層和電介質(zhì)，以提高器件性能和可靠性,；在太陽(yáng)能電池板上,，則用于制備具有高吸收效率的光吸收層；而在生物醫(yī)學(xué)工程中,，ALD可用于制備具有特殊功能的納米涂層,，如抗菌、抗血栓或藥物釋放涂層,，為醫(yī)療器械提供額外的功能性保護(hù),。
