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前言

碳化硅（SiC）是制作半導(dǎo)體器件及材料的理想材料之一，但其在工藝過(guò)程中,，會(huì)不可避免的產(chǎn)生晶格缺陷等問(wèn)題，而快速退火可以實(shí)現(xiàn)金屬合金,、雜質(zhì)激活,、晶格修復(fù)等目的。在近些年飛速發(fā)展的化合物半導(dǎo)體,、光電子,、先進(jìn)集成電路等細(xì)分領(lǐng)域，快速退火發(fā)揮著無(wú)法取代的作用,。

01快速退火在化合物半導(dǎo)體上的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,，具有硬度高、熱導(dǎo)率高,、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),，在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

由于碳化硅器件的部分工藝需要在高溫下完成,，這給器件的制造和封測(cè)帶來(lái)了較大的難度,。例如，在摻雜步驟中,，傳統(tǒng)硅基材料可以用擴(kuò)散的方式完成摻雜,，但由于碳化硅擴(kuò)散溫度遠(yuǎn)高于硅，所以需要采用高溫離子注入的方式,。而高能量的離子注入會(huì)破壞碳化硅材料原本的晶格結(jié)構(gòu),，因此需要采用快速退火工藝修復(fù)離子注入帶來(lái)的晶格損傷，消除或減輕晶體應(yīng)力和缺陷,，提高結(jié)晶質(zhì)量,。

*退火工藝處理前后對(duì)比（圖源：網(wǎng)絡(luò)）

02什么是快速退火爐（RTP SYSTEM）

快速退火爐是利用鹵素紅外燈作為熱源，通過(guò)極快的升溫速率,，將材料在極短的時(shí)間內(nèi)從室溫加熱到300℃-1250℃,，從而消除材料內(nèi)部的一些缺陷，改善產(chǎn)品性能,。

*圖源：網(wǎng)絡(luò)

03快速退火爐產(chǎn)品介紹

全自動(dòng)雙腔快速退火爐

RTP-DTS-8是一款全自動(dòng)雙腔快速退火設(shè)備,，可兼容6-8英寸晶圓Wafer,。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

?全自動(dòng)雙腔設(shè)計(jì)，有效提升產(chǎn)能

?溫度可達(dá)1250℃,，具有超高溫場(chǎng)均勻性

?具備穩(wěn)定的溫度重現(xiàn)性

?能夠滿足SIC量產(chǎn)化制程需求

半自動(dòng)快速退火爐

RTP-SA-12是在保護(hù)氣氛下的半自動(dòng)立式快速退火系統(tǒng),，可兼容4-12英寸晶圓Wafer。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

?采用紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷,；

?快速PID溫控，可控制溫度升溫,，保證良好的重現(xiàn)性和溫度均勻性,；

?采用平行氣路進(jìn)氣方式，氣體進(jìn)出口設(shè)置在晶圓表面,，避免退火過(guò)程中冷點(diǎn)產(chǎn)生,，保證良好的溫度均勻性；

?大氣與真空處理方式均可選擇,，實(shí)現(xiàn)進(jìn)氣前氣體凈化處理,；

?標(biāo)配兩組工藝氣體，可擴(kuò)展至6組工藝氣體,。

桌面型快速退火爐

RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火設(shè)備,，標(biāo)配三組工藝氣體，可兼容6英寸晶圓Wafer,。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

?紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷；

?采用快速PID溫控,，可控制溫度升溫,，保證良好的重現(xiàn)性和溫度均勻性；

?采用平行氣路進(jìn)氣方式,，氣體進(jìn)出口設(shè)置在晶圓表面,，避免退火過(guò)程中冷點(diǎn)產(chǎn)生，保證良好的溫度均勻性,；

?大氣與真空處理方式均可選擇,，實(shí)現(xiàn)進(jìn)氣前氣體凈化處理。