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開啟5G新時代——XPS成像技術(shù)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用
近年來,,中國已成為帶動半導(dǎo)體市場增長的主要動力,隨著5G商用牌照落地并在2019年11月份正式使用,會大大推動半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。失效分析對于提高半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā),、改進,,產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。針對半導(dǎo)體器件局部失效分析,,可以借助XPS成像技術(shù)及微區(qū)分析進行表征,,島津XPS配備DLD二維陣列延遲線檢測器,可以同時記錄光電子的信號強度及其發(fā)射位置,,亦可以在數(shù)秒的時間里獲取完整的XPS譜圖及高能量分辨的化學(xué)狀態(tài)圖像,。小編帶您一起來看看XPS成像技術(shù)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用實例吧!
實例一:引腳跡斑分析
引腳是指從集成電路(芯片)內(nèi)部電路引出與外圍電路的接線,,構(gòu)成了芯片的接口,。隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電路板上的器件引腳間距越來越小,,器件排列更加密集,,電場梯度更大,因此電路板對引腳的腐蝕也變得越來越敏感,。如下為一故障銅引腳器件,,在AXIS SUPRA儀器腔體顯微鏡下可看到有一處跡斑(直徑~150μm),通過成像技術(shù)結(jié)合微區(qū)分析技術(shù)(見圖1),,可知在該區(qū)域額外出現(xiàn)了Cl元素,,對比周圍區(qū)域測試結(jié)果,推測該元素的存在是造成腐蝕的主要原因,此外O元素峰強也有所增加,,說明該區(qū)域氧化現(xiàn)象更為顯著,。
圖1 平行成像及選區(qū)測試結(jié)果
實例二:“金手指”缺陷區(qū)域分析
“金手指”是指電腦硬件如內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽、顯卡與顯卡插槽之間等進行電信號傳輸?shù)慕橘|(zhì),,金手指涂敷工藝不良或由于使用時間過長導(dǎo)致其表面產(chǎn)成了氧化層,,均會導(dǎo)致接觸不良,甚至造成器件報廢,。如下采用XPS分析結(jié)合平行成像技術(shù)對“金手指”區(qū)域及缺陷處進行測試,,不同視場成像結(jié)果見下圖2,亮度越高的區(qū)域表示Au元素含量越多,。
圖2 不同視場下的“金手指”樣品成像結(jié)果
對缺陷部位及顯著存在Au元素部位分別進行小束斑選區(qū)分析,,測試位置見下圖3,由測試得到的全譜結(jié)果可知,,兩個區(qū)域均存在一定量的F元素,;在圖像中較亮區(qū)域測得結(jié)果中,Au元素為主要存在元素,,表面C,、O元素較少,而缺陷部位測試結(jié)果中則只具有少量的Au 4f信號,,而C,、O、N元素峰較為顯著,,推測該缺陷部位存在一定的有機物污染,。
圖3 “金手指”樣品缺陷處微區(qū)分析結(jié)果
小 結(jié)
選用XPS成像技術(shù)對半導(dǎo)體器件微區(qū)的表面元素進行分析,可以清楚地了解各元素在器件表面的分布情況,,結(jié)合污染元素組成及化學(xué)狀態(tài)進行有目的的原因排查,,有助于對功能器件的質(zhì)量控制和失效機制進行把控和解析,有效杜絕污染和器件失效發(fā)生,,以達到不斷對產(chǎn)品工藝和技術(shù)進行優(yōu)化的目的,。
撰稿人:崔園園
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