軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑,、增強(qiáng)光刻膠的粘附性,、釋放旋轉(zhuǎn)涂膠產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力,、改善線寬控制,、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進(jìn)行,，軟烘設(shè)備工作原理如圖2.17所示,，硅片放在真空熱板上，熱量從硅片背面通過熱傳導(dǎo)方式加熱光刻膠,。一般軟烘溫度為85~120℃,，時(shí)間為30~60S。軟烘后將硅片轉(zhuǎn)移到軌道系統(tǒng)的冷板上冷卻以便下一步操作,。

以光學(xué)紫外曝光為例,，首先將硅片定位在光學(xué)系統(tǒng)的聚焦范圍內(nèi)，硅片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與掩模版上相匹配的標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)后,，紫外光通過光學(xué)系統(tǒng)和掩模版圖形進(jìn)行投影,。掩模版圖形若以亮暗的特征出現(xiàn)在硅片上，這樣光刻膠就曝光了,。