LVEM5 特點 1.低電壓——高反差 LVEM5采用低電壓設(shè)計,,zui高電壓只有5KV,低電壓電子束可達到較傳統(tǒng)TEM更高反差的圖象,。舉例來說,,對20nm碳膜樣品,,5KV電壓下比100KV電壓下反差提高10倍以上。而LVEM5的空間分辨率在低電壓下仍能達到2nm,。 LVEM5的*設(shè)計,,使輕元素(H, C, N, O, S, P)樣品能達到高反差的觀察效果,而且*不需要染色(staining or shadowing),。 2.電子/光學(xué)雙級放大設(shè)計 LVEM5設(shè)計上與傳統(tǒng)TEM的zui大不同之處是電子/光學(xué)雙級放大設(shè)計:電鏡所成的TEM圖像經(jīng)過LVEM5中純光學(xué)顯微鏡的二次放大,。zui大放大倍數(shù)近150000倍,其中TEM電鏡放大36~360倍,,光學(xué)顯微鏡40~400倍,。在LVEM5中間的YAG屏就是電子/光學(xué)圖象的轉(zhuǎn)換器,TEM電鏡圖象成像于YAG屏上,,光學(xué)顯微鏡再放大YAG屏上圖像,。 由于TEM電鏡僅放大360倍,而且電壓低(X-Ray防護要求低),,因此該TEM為小型透射電鏡,與普通光學(xué)顯微鏡大小相當(dāng),。 3.的Schottky FEG LVEM5電子槍采用的肖特基熱場發(fā)射槍(Schottky FEG),,為電子槍倒置結(jié)構(gòu),提供高亮度高相干的電子束,,同時電子槍使用壽命可達2000小時以上,。高亮度高穩(wěn)定的電子源充分兼容透射模式(TEM)和掃描模式(SEM)。電鏡系統(tǒng)中采用了*磁鐵透鏡,、靜電場透鏡,、靜電場像散校正器,*磁鐵透鏡非常穩(wěn)定而且不需任何冷卻,。 4.四種圖像模式 TEM/ED/STEM/SEM 盡管LVEM5是*zui小的透射電鏡,,卻兼容傳統(tǒng)TEM的所有標(biāo)準(zhǔn)圖象模式:TEM/ED/STEM/SEM;而且四種模式間切換簡單快捷,。VEM5在這四種圖像模式下都能達到很好的空間分辨率,。其中SEM采用背散射探頭(BSE),放大倍率: 1,200 ~ 300,000+,,空間分辨率優(yōu)于 2.5 nm,,由于采用BSE探頭,樣品無須鍍導(dǎo)電膜,。 5.真正的桌上型電鏡 LVEM5是真正的桌上型電鏡設(shè)計,又稱超小型臺式透射電鏡,。LVEM5由三部分組成:電子顯微鏡、穩(wěn)壓電源,、真空系統(tǒng),。標(biāo)準(zhǔn)配置的控制電腦為雙顯示器,。 LVEM5尺寸較傳統(tǒng)電鏡縮小90%,而且無暗房,、冷卻水需求,,很容易維護/使用,是目前電鏡中實用的解決方案,。 6.圖象功能 LVEM5安裝了Proscan慢掃描的1300 x 1030 像素CCD照相鏡頭,,獲取TEM/ED圖象。LVEM5安裝了ProDIA圖像處理軟件,,以進行圖像的獲取,、整理、存檔等功能,,同時配備了圖像測量,、分析功能。 ProDIA還配備了多樣化的圖像處理:直方圖(Histogram),,銳化(Sharpening),,等效化(Adaptive Equalisation),對比微分化(Differential Contrast),,中值濾波(Median Filter),,去噪聲化(Noise Reduction),自動對比度調(diào)整(Auto Contrast),,圖像斑點調(diào)整即“黑點”校正(Shading Correction),,結(jié)構(gòu)化(Structure),反相化(Invert),,灰階化(Convert to 8 bits grayscale),,影像旋轉(zhuǎn)90度(Rotation 90 degree),影像翻轉(zhuǎn)(Flip)等等 7.無染色制樣 LVEM5采用標(biāo)準(zhǔn)的3mm 銅網(wǎng)承載樣品,,由于*不需要染色(staining or shadowing),,制樣過程得以簡化。而且無染色制樣可充分保留樣品的真實微觀結(jié)構(gòu),。 TEM/ED 模式一般要求樣品的厚度為~30nm,,30nm 樣品厚度是針對低電壓的應(yīng)用,以實現(xiàn)低電壓的高空間分辨率,,而100KV 高電壓下那么薄的樣品很容易打壞,。STEM/SEM 模式下可觀察更厚的樣品,也可以觀察染色的樣品,。 |