日韩av大片在线观看欧美成人不卡|午夜先锋看片|中国女人18毛片水多|免费xx高潮喷水|国产大片美女av|丰满老熟妇好大bbbbbbbbbbb|人妻上司四区|japanese人妻少妇乱中文|少妇做爰喷水高潮受不了|美女人妻被颜射的视频,亚洲国产精品久久艾草一,俄罗斯6一一11萝裸体自慰,午夜三级理论在线观看无码

您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng) 登錄注冊產(chǎn)品展廳收藏該商鋪

北京中航時代儀器設備有限公司 北京中航時代儀器設備有限公司
12

13699145010

當前位置:
北京中航時代儀器設備有限公司>>介電常數(shù)測試儀>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀>> 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測定儀(介電性能測試儀)

在線溝通:

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測定儀(介電性能測試儀)

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測定儀(介電性能測試儀)
參考價18000-110000/件
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號

  • 品牌

    AIRTIMES/中航時代

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)商

  • 所在地

    北京市


更新時間:2025-02-12 10:34:19瀏覽次數(shù):6684

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,,謝謝!


產(chǎn)品簡介
產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 5萬-10萬
應用領域 化工,石油,航空航天,汽車及零部件,電氣
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測定儀(介電性能測試儀)電介質(zhì)在單位時間內(nèi)消耗的能量稱為電介質(zhì)損耗功率,簡稱電介質(zhì)損耗,?;颍弘妶鲎饔孟碌哪芰繐p耗,由電能轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪?,如熱能、光能等,,統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗,。它是導致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿的根源。
  一,、符合標準:
 
  GB/T1409測量電氣絕緣材料在工頻,、音頻、高頻(包括米波波長存內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法;
 
  GB/T 5654-2007液體絕緣材料相對電容率,、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量;
 
  二,、產(chǎn)品概述:
 
  ZJD-87介電常數(shù)介質(zhì)損耗測定儀(介電性能測試儀)是一款專為實驗室研制的高精度高壓電橋,突破了傳統(tǒng)的電橋測量方式,,采用變頻電源技術(shù),,利用單片機和現(xiàn)代化電子技術(shù)進行自動頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運算,;達到抗干擾能力強,、測試速度快、精度高,、全自動數(shù)字化,、操作簡便;廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器,、互感器,、套管、電容器,、避雷器等設備及相關絕緣材料的介損和介電常數(shù)的測量,。
 
  三、技術(shù)指標:
 
  準確度:Cx:±(讀數(shù)×0.5%+0.5pF),;
 
  tgδ:±(讀數(shù)×0.5%+0.00005),;ε:0.5%;
 
  抗干擾指標:變頻抗干擾(40-70Hz),,最大輸入電流5A,;
 
  內(nèi)置最高10KV測試電壓輸出,,可調(diào)分辨率1V;
 
  電容量范圍:內(nèi)施高壓:3pF~60000pF/10kV,;60pF~1μF/0.5kV,;
 
  外施高壓:3pF~1.5μF/10kV;60pF~30μF/0.5kV,;
 
  外接量程擴展器時可以測試幾千安培下高壓電器的介損值,;
 
  分辨率:最高0.001pF,4位有效數(shù)字,;
 
  計算機接口:標準RS232接口,;
 
  外形尺寸:8U標準機箱;
 
  儀器重量:25kg,;
 
  離子位移極化—— Ionic Polarization
 
  電介質(zhì)中的正負離子在電場作用下發(fā)生可逆的彈性位移,。 正離子沿電場方向 移動,負離子沿反電場方向移動,。由此形成的極化稱為 離子位移極化,。
 
image.png
離子在電場作用下偏移平衡位置的移動相當于形成一個感生偶極矩。
 
image.png
  離子位移極化所需時間大約為10-12~10-13秒 ,。不以熱的形式耗散能量,,不導致介電損耗。
 
  介電常數(shù)介質(zhì)損耗測定儀(介電性能測試儀)
 
  •損耗的形式
 
  •介質(zhì)損耗的表示方法
 
  •介質(zhì)損耗和頻率,、溫度的關系
 
  •無機介質(zhì)的損耗
 
  介質(zhì)損耗定義:
 
  電介質(zhì)在單位時間內(nèi)消耗的能量稱為電介質(zhì)損耗功率,,簡稱電介質(zhì)損耗?;颍弘妶鲎饔孟碌哪芰繐p耗,,由電能轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪埽鐭崮?、光能等,,統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗。它是導致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿的根源,。
 
  損耗的形式:
 
  電導損耗:在電場作用下,,介質(zhì)中會有泄漏電流流過,引起電導損耗,。 實質(zhì)是相當于交流,、直流電流流過電阻做功,故在這兩種 條件下都有電導損耗,。絕緣好時,,液、固電介質(zhì)在工作電 壓下的電導損耗是很小的,
 
  極化損耗:只有緩慢極化過程才會引起能量損耗,,如偶極子 的極化損耗,。
 
  游離損耗:氣體間隙中的電暈損耗和液、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱為游離損耗,。
 
  介質(zhì)損耗的表示:
 
  當容量為C0=?0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt,。則:
 
image.png
1,、電容器極板間為真空介質(zhì)時,, 電容上的電流為:
 
image.png
2、電容器極板間為非極性絕緣材料時,,電容上的電流為:
 
image.png
3,、電容器極板間為弱導電性或極性,電容上的電流為:
 
image.png
G是由自由電荷產(chǎn)生的純電導,,G=?S/d,, C=?S/d
 
  如果電荷的運動是自由的, 則G實際上與外電壓額率無關,;如果這些電荷是被 符號相反的電荷所束縛, 如振動偶極子的情況,,G 為頻率的函數(shù)。
 
image.png
image.png
介質(zhì)弛豫和德拜方程:
 
  1)介質(zhì)弛豫:在外電場施加或移去后,,系統(tǒng)逐漸達到平衡狀 態(tài)的過程叫介質(zhì)弛豫,。 介質(zhì)在交變電場中通常發(fā)生弛豫現(xiàn)象,極化的弛豫,。在介質(zhì)上加一電場,由于極化過程不是瞬時的,,極化包括兩項:
 
  P(t) = P0 + P1(t)
 
P0代表瞬時建立的極化(位移極化), P1代表松弛極化P1(t)漸漸達到一穩(wěn)定值,。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致,。 當時間足夠長時, P1(t)→ P 1 ∞ ,, 而總極化P(t) → P∞ ,。
image.png
2)德拜(Debye)方程:
 
  頻率對在電介質(zhì)中不同的馳豫現(xiàn)象有關鍵性的影響,。 設低頻或靜態(tài)時的相對介電常數(shù)為ε(0),,稱為靜態(tài)相對介電常數(shù),;當頻率ω→∞時,相對介電常數(shù)εr’ →ε∞( ε∞代表光頻 相對介電常數(shù)),。則復介電常數(shù)為:
 
image.png
影響介質(zhì)損耗的因素:
 
  1,、頻率的影響
 
  ω→0時,此時不存在極化損 耗,主要由電導損耗引起,。 tgδ=δ/ωε,,則當ω→0時, tgδ→∞,。隨著ω升高,,tgδ↓。
 
image.png
  隨ω↑,,松弛極化在某一頻率開始跟不上外電場的變化,, 松弛極化對介電常數(shù)的貢獻 逐漸減小,因而εr隨ω↑而↓,。 在這一頻率范圍內(nèi),,由于ωτ <<1,故tgδ隨ω↑而↑,。
 
  當ω很高時,,εr→ε∞,介電常數(shù)僅 由位移極化決定,,εr趨于最小值,。 由于ωτ >>1,此時tgδ隨ω↑而↓,。 ω→∞時,,tgδ→0,。
 
image.png
tgδ達最大值時ωm的值由下式求出:
 
image.png
  tgδ的最大值主要由松弛過程決定,。如果介質(zhì)電導顯著變大,則tgδ的最大值變得平坦,, 最后在很大的電導下,tgδ無最大值,主要表現(xiàn)為電導損耗特征:tgδ與ω成反,。
 
image.png
2,、溫度的影響
 
  當溫度很低時,τ較大,,由德拜關系式可知,εr較小,,tgδ也較小。此時,,由于ω2τ2>>1,由德拜可得:
 
image.png
image.png
隨溫度↑,,τ↓,所以εr,、tgδ↑
 
  當溫度較高時,,τ較小,,此時ω2τ2<<1
 
image.png
隨溫度↑,,τ↓,所以tgδ ↓,。這時電導上升并不明顯,主要決定于極化過程:
 
image.png
  當溫度繼續(xù)升高,達到很大值時, 離子熱運動能量很大,,離子在電場作用下的定向遷移受到熱運動的阻礙,,因而極化減弱,εr↓,。此時電導損耗劇烈↑,,tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升↑,。
 
image.png
3.濕度的影響
 
  • 介質(zhì)吸潮后,介電常數(shù)會增加,,但比電導的增加要慢,,由于電導損耗增大以及松馳極化損耗增加,而使tgδ增大,。
 
  • 對于極性電介質(zhì)或多孔材料來說,,這種影響特別突出,,如,,紙內(nèi)水分含量從4%增加到10%時,其tgδ可增加100倍,。
 
  降低材料的介質(zhì)損耗的方法
 
  (1)選擇合適的主晶相:盡量選擇結(jié)構(gòu)緊密的晶體作為主晶相,。
 
  (2)改善主晶相性能時,,盡量避免產(chǎn)生缺位固溶體或填隙固溶體,最好形成連續(xù)固溶體。這樣弱聯(lián)系離子少,,可避免損耗顯著增大。
 
  (3)盡量減少玻璃相,。有較多玻璃相時,,應采用“中和效應"和“壓抑效應",,以降低玻璃相的損耗,。 (4)防止產(chǎn)生多晶轉(zhuǎn)變,多晶轉(zhuǎn)變時晶格缺陷多,電性能下降,,損耗增加。
 
  (5)注意焙燒氣氛,。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過程中升溫速度要合適,防止產(chǎn)品急冷急熱,。
 
  (6)控制好最終燒結(jié)溫度,,使產(chǎn)品“正燒",防止“生燒"和“過燒"以減少氣孔率。此外,,在工藝過程中應防止雜質(zhì)的混入,坯體要致密。
 

北京中航時代儀器設備有限公司主營產(chǎn)品:電壓擊穿試驗儀-介電常數(shù)測試儀 化工儀器網(wǎng) 設計制作,未經(jīng)允許翻錄必究.Copyright(C) http://sorrent.com.cn, All rights reserved.

以上信息由企業(yè)自行提供,,信息內(nèi)容的真實性,、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,化工儀器網(wǎng)對此不承擔任何保證責任,。
溫馨提示:為規(guī)避購買風險,,建議您在購買產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

產(chǎn)品對比 產(chǎn)品對比 二維碼 在線交流

掃一掃訪問手機商鋪

對比框

在線留言